Способ получения полупроводниковых материалов

Номер патента: 150495

Авторы: Большаков, Буленков, Федоров, Цирлин

ZIP архив

Текст

ОБРЕТЕНИЯ Од К АВТОРСК одписная группа4 о Н. А, Вульеиков, К. А, Большаков, Пи М. С. Цирлин ор ЛУПРОВОДНАЛОВ НИЯМАТЕ 1 Х ОСОБ ПОЛУ Заявлен в Комитет по делам изоб" при Совете Министров СС 3 ноябтений ткрыт ний19 за 1962 г публиковано в Бюллетене изо Известен способ получения полупроводниковых материалов путе 1 ввода шихты элементов в кварцевую ампулу, вакуумирования и нагре. ва ампулы до температуры синтеза, Однако при этом происходит взаимодействие элементов с материалом ампулы, что снижает чистоту конечного продукта,Предлагаемый способ отличается тем, что шихту помещают в несколько тиглей, например, из корунда, графита, циркония, расположе- ных таким образом, чтобы дно одного тигля служило крышкой другого. Это позволяет получать более чистый продукт и проводить синтез нес. кольких полупроводниковых материалов в одной ампуле,При осуществлении способа готовят шихту, содержащую взаимодействующие с 1 варцем элементы, Шихту размещают в цилиндрические тигли. Нижняя часть каждого тигля имеет внешний шлиф, а верхняя часть - внутренний шлиф. Тигли устанавливают таким образом, что дно верхнего тигля служит крышкой нижнего. Батарею, состоящдо из трех-четырех тиглей с шихтой, помещают в кварцевую ампулу, после чего ампулу вакуумируют до разрежения, равного 10 -- 10 -и.и рз. ст, Ампулу запаивают и нагревают до температуры синтеза. Шлиф тиглей пропускает газ при откачке ампулы, но практически он непроницаем для конденсирующихся паров и жидкости, так как капилляры шлифа быстро забиваются конденсатом.При синтезировании из чистых компонентов сплавов системы Мд - с 1 - ,зЬ и М - 5 п - ЯЬ с длительной выдержкой при высоких температурах с применением виброперемешивания, на внутренней поверхности ампулы заметного взаимодействия кварца с парами магния нс обнаруживается.Способ может быть применен для синтеза таких соединений, как фосфид индия и арсенид галлия.150495 Предмет и.,обретенияСпособ получения полупроводниковых материалов путем ввода шихты элементов в кварцевую ампулу, вакуумирования и нагрева ампулы до температуры синтеза, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью получения более чистого продукта и получения несколвких полупроводнико. вых материалов в одной ампуле, шихту помещают в несколько тиглей, например, из корунда, графита, циркония, расположенных таким обрз. зом, чтобы дио одного тигля служило крышкой другого.Редактор А, К Лейкина Техред Т, П, Курилко Корректор В. Н НикитинаПоди. к печ. 24,Ч 11-62 г. Формат бум, 70 Х 108/1 а Объем 0,18 изд. л.Зак 8608 Тираж 500 Цена 4 коп.ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытии при Совете Министров СССРМосква, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14.

Смотреть

Заявка

751103, 03.11.1961

Большаков К. А, Бульенков Н. А, Федоров П. И, Цирлин М. С

МПК / Метки

МПК: C30B 11/02

Метки: полупроводниковых

Опубликовано: 01.01.1962

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-150495-sposob-polucheniya-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения полупроводниковых материалов</a>

Похожие патенты