C23C 14/14 — металлический материал, бор или кремний

Номер патента: 65404

Опубликовано: 01.01.1945

Автор: Бочкарев

МПК: C23C 14/14

Метки: вакууме, испарения, металлических, металлов, методом, нанесения, покрытий

...укладываются вымытые объекты, подлежащие металлизации. К концам стоек 1 привинчивается плавящий элемент 3, изготовленный из .тугоплавкого металла обычным способом. На концах дополнительных стоек 4 укрепляется плавящий элемент из тугоплавкой проволоки 5, с целью осуществления предварительного геттерирования (связывания) некоторых компонентов, входящих в состав остаточных газов.Работа по установке производит- ся следующим образом. На прокаленный в вакууме элемент 3 навешивается (или вкладывается внутрь конической спирали) необходимое для испарения количество металла, сплава или смеси последних.Точно такой же металл, сплав или смесь навешивается или вкладывается внутрь конической спирали, на дополнительный прокален.Ный в вакууме...

Номер патента: 142542

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Лебедев, Трейерова

МПК: C23C 14/14, C23C 14/18

Метки: пленки, токопроводящей, электродов

...равномерный наг мени и устойчивы при б ка, В последнем случа может быть увеличено припоем. ют доста ны во врс. ностях то- лектродов уживаниь рабате, име ев, стабиль льших плотсечение э путем об,одов для токо смотровых при, с целью упрополучают з ват. ст, путем ис или ковара Способ изготовления электр проводящей пленки, например, боров, отличающийся тем, что щения технологии, электроды кууме порядка 0,51 О мм р парения на стекло инвара Н Н 29 к присоединением заявкиИзвестные способы изготовления электродов для токопроводящсй пленки смотровых приборов путем нанесения серебра, платины, радия и других материалов в виде покрытия на указанную пленку, предупреждающую запотевание и обмерзание оптических приборов, требуют сложного...

Номер патента: 152741

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C23C 14/14, C30B 7/00

Метки: 152741

...каждого островка соответствуют определенной ячейке сетки. Так как при собирательной рекристаллизации (в частности в тонких слоях) рост кристаллов прекращается практически при достижении определенного размера кристалла, зависящего в основном от условий проведения опыта (температуры отжига, чистоты материалов и пр.), диаметр ячейки сетки должен быть меньше указанного предельного размера кристалла, а также достаточно малым, чтобы поперечные размеры кристаллов в островке позволяли сохранить высокую скорость роста.Полученный образец подвергался затем длительному отжигу в высоком вакууме (или в атмосфере инертного газа) при температуре, обеспечивающей требуемую скорость роста кристалла. Для германия такая температура лежит в интервале 900...

Номер патента: 158936

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C23C 14/14

Метки: 158936

...сульфида меди вместо слоя металлической меди, а также применение вакуума при обраоотке в парах серы значительно уменьшает окисление сульфида меди кислородом, что позволяет получать слои сульфида меди повышенной электропроводности и прозрачности.Кроме того, при осуществлении предлагаемого способа почти в два раза сокращается время, необходимое для обработки слоя в парах серы.Полученный описанным способом слой прозрачен в видимой и инфракрасной областях спектра. При этом светопропускание увеличивается с повышением сопротивления.Вследсгвие высокого значения показателя преломления сульфида меди ("-2,1) слой имеет высокий коэффициент отражения (до 20%), величина которого в видимой части спектра может быть значительно уменьшена путем...

Номер патента: 162740

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C03C 17/22, C03C 17/36, C23C 14/14, C23C 14/58 ...

Метки: 162740

...соединений, например арсенида галлия, нитридом алюминия,Наиболее распространенным материалом для контейнеров, применяемых для металлургической обработки полупроводниковых материалов, в том числе арсенида галлия, является чистый кварц. Известны также контейнеры из нитрида алюминия, изготовленные методами порогнксвой технологии.Отличие предлагаемого способа заключается в том, что на контейнеры из кварца сначала наносят напылением в вакууме слой алюминия, а затем нанесенный слой подвергают азотированию нагреванием в атмосфере азота нли аммиака,В результате на контейнере образуется плотная инертная пленка нитрида алюминия высокой степени чистоты, исключающая загрязнение полупроводниковых материалов гримесями из контейнера....

Номер патента: 163193

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C23C 14/14

Метки: 163193

...металлы испаряются, а пары металлов конденсируются на поверхности основы (сталь, алюминий, цинк и др.) формных пластин, образуя металлическое покрытие,Предварительно пластину, на которую наносят покрытие, обезжиривают. Затем пластину помещают в вакуум-камеру, из которой откачивается воздух до 510 - 1 - 5 10 2 мм рт. ст. При таком давлении в камере зажигается тлеющий разряд. При обработке в поле тлеющего разряда удаляются адсорбционные мономолекулярные слои, которые остаются на поверхности основы даже после тщательной очистки в атмосферных условиях, За тем вакуум в камере поднимается до 10 з - 10 5 мм рт, ст.Металл, который должен быть нанесен на основу, нагревается до температуры испарения, испаряется в виде атомарного пара и...

Номер патента: 165629

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C23C 14/14

Метки: 165629

...подложки располагают в кассете вертикально по внутренней поверхности вращающегося вокруг испарителя цилиндра. Количество пленок завиит от размеров вакуумного колпака, под коорым происходит напыление, и размеров подожек.На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.Испарение производится с вольфрамовой проволоки 1, изогнутой в виде двойной змейки, концы которой крепятся в контактных зажимах 2, подвешенных на стойках токовых вводов. Кассета 3 выполнена в виде торроида, на внутренней поверхности которого выфрезерованы гнезда для подложек. Подложки экранируются масками 4, соответствующими требуемой форме пленок. Для подогрева подложек в корпусе кассеты помещена молибденовая спираль 5, ток к которой подводится через контактную...

Номер патента: 166875

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Елютин, Костиков, Маурах

МПК: C23C 14/14

Метки: нанесения, покрытий

...Костико вит ПОКРЫТИЙ СПОСОБ ЯАНЕС Известны способы нанесения металлких покрытий путем термической диссоции в вакууме соединений, например иодвыделяющих при разложении металл.Предлагаемый способ отличается отстных тем, что в качестве исходных соедний используют гидриды металлов.Описываемый способ позволяет новьпроизводительность, снизить темперапроцесса и упростить аппаратуру. Дляществления способа гидриды металловвергают термической диссоциации в вакНа покрываемой поверхности осаждаетсталл, При использовании гидрида цирк ичес- циадов,ине путем термиметаллов в м, что, с цености, сиижеаппаратуры, в металлов иссить туру осу подууме. я ме- ония Подписная группа110 П. Елютин, М, А. Мау я нанесения покрытий на графит и молибн процесс ведут...

Номер патента: 180701

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: C23C 14/14

Метки: 180701

...нз двгок:.1 с 10суют в таолеткн венспаритель. На подературы 200 в 3"С, ьакууме 210 о л 1, нспарителя 1400 в Известные способы изготовления диэлектрических пленок, основанные на испарении в Вакуумной камере двуок 11 сР креенн 51, характеризуются сравнительо высокой температурой испарения, равной 2000 - 2200 С, что усложняет технологию и уменьшает воспроизводимость результатов.В описываемом способе сниРкение температуры испарения двуокиси кремния без ухудшения диэлектрических свойств пленки достигнуто применением смеси, состоящей 1 з двуокиси кремния и лантана, взятых в эквиполярных количествах.Технология полу.чения таких пленок заключается в следующем.Исходные материалы: двуокись кремния и лантан измельчают в атмосфере...

Номер патента: 261859

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Беккер

МПК: C23C 14/14, H01F 10/20, H01F 41/22 ...

Метки: пленок, ферритов

...напьных плено способам получемер, для изготовых элементов паранспорт кцию, ин узию об его фер и получаолучения азо-тран де - сре екает м лностью чуемых оо инте воличиваэто тем м химич реде озо и снос примерн пленок ферритов спортных реакций де кислсрода, Реедленно и окисле, что приводит к пленокнсифицирует проет "днородность что пленки фереских газо-трансна.оба ферритовую о до 1000, вклюет изобретен 1 Способ получ химических г окислительной 15 с целью интенс чения однородн вляют в среде ов путехакций тем, что и увели осущест ения пленок феррит азо-транспортных р среде, отличающиш:я ификации окисления ости пленок, процесс Изобретение ния пленок фер ления интеграл мяти.Известен способ п путем химических г в окислительной сре акция...

Номер патента: 362356

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Бондаренко, Бутузов, Евсеев, Сафонкин, Семенова

МПК: C23C 14/14

Метки: пленок, проводящих

...способу осаждение в вакууме пленок указанных мате 2 риалов ведут со скоростью не менее, чемо1500 А/сек на вращающиеся со скоростью 60 обмин подложки без дополнительного нагрева при плотности потока лучистой энергии испарителя, падающей на подложки, равной 2 не менее, чем 8 втсм 2.Сущность способа заключается в с до давления 10- - 10- мм очистку подложек ионной ЗО атем осуществляют осажия со скоростью не менее,чем 1500 А/сек на подложки без дополнительного нагрева, вращающиеся со скоростью 60 об/мин, при плотности потока лучистой энергии испарителя, падающей на подложки, не менее, чем 8 вт(см-. Испарение ведут из тиглей с косвенным нагревом, например, электронной бомбардировкой. Медь испаряют из молибденового тигля, алюминий - из...

Номер патента: 420705

Опубликовано: 25.03.1974

Авторы: Клебанов, Сумароков, Фонд

МПК: B22F 9/02, C23C 14/14

Метки: металлизированных, порошков

...Скоропарения материалов контролируют дат12 и 13, помещенными в потоки паров сствующих металлов. 0 Ниже приведен один из вариантов осуществления предлагаемого способа на примере получения порошков магнитного сплава самарий - кобальт.Исходным порошковым материалом - ос новой сплава является порошок карбонильного кобальта с размером частиц 1 - 2 мкм. Порошок помещают в смеситель 1 и при непрерывном перемешивании испарением и конденсацией в вакууме (1 - 2) 10 - 5 мм рт. ст. наносят на него слой самария - легкоокисляемого РЗЭ.Испарение самария ведут из вольфрамовоготигля 10, нагреваемого электронным лучом мощностью около 2 квт от электронной пуш ки 4. Температура испарения 1300 -1400 С.Коцденсацшо металла ведут до получения слоя...

Номер патента: 437813

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Веневцев, Севостьянов, Сорокина, Томашпольский

МПК: C23C 14/14, H01F 10/20, H01F 41/20 ...

Метки: пленок, сегнетоэлектрических

...известным способом (меньше, потери больше в 2 - 3 раза). нике.Известен способ изготовления сегнетоэлтрических пленок дискретным испарением.Прежние способы дискретного испаренне обеспечивали формирования достаточсовершенной структуры пленок, поэтомусегнетоэлектрические свойства были славыражены, а для толщин, менее 1000 А,обще не обнаружено пика температурнхода диэлектрической проницаемости и петдиэлектрического гистерезиса.Цель изобретения - улучшение сегнеэлектрических свойств пленок и уменьшеих толщины,екого ли тоние1 лученнои б пленки, е - вдвое Су аетс иал итан ество предлагаемого способа заклюв том, что в качестве исходного мате- берут керамику, например, на основе та бария нестехиометрического состава деленным дефицитом по...

Номер патента: 846596

Опубликовано: 15.07.1981

Авторы: Виноградов, Докукин, Рябцев, Тальвойш, Тюриков

МПК: C23C 14/14, H01F 10/14, H01F 10/16 ...

Метки: записи, носителя, осаждения, ферромагнитногопокрытия

...диском 1 и 7 обозначены потока пара846596 И Заказ, 5382/37 1048 Подписное Способ осуществляется следующим образом.Диск 1 с приводом 2 вращения устанавливают относительно испарителя 3 так, чтобы. угол между нормалью к диску и направлениями осаждения пара в зонах осаждения, ограниченных окнами 5 и б экрана 4, составлял 65 ф, а угол между проекциями направлений на диск для каждого участка диска при его переходе к следующей зоне осаждения находился в пределах 18060. При равномерном вращении диска йрб исходит последовательное для каждого . его участка осаждение слоев ферромагнитного материала в зонах, ограниченных окнами 5 и б. Симметричное рас положение окон 6 тносительно испарите- . ля обеспечивает одинаковость скоростей и времен...

Номер патента: 1454257

Опубликовано: 23.01.1989

Авторы: Бартон, Майкл

МПК: B22F 1/00, C22C 19/03, C23C 14/14 ...

Метки: напыления, никеля, основе, пламенного, порошок, сплава

...основой,Предложенный порошок сплава на осйове никеля для пламенного напыления 10 есферической формы со средним размером частиц 140+325 меш и удельной верхностью, превышающей 250 см /гй меет следующий состав, мас.%:.углеод 0,031-0,04; железо 17,3-20,9; 15 емний 1,6-1.молибден 21,8-22,8; льфрам 4,5-5,8, ванадий 0,3-0,4, итан 6,5-8,4 ф никель остальное.П р и м е р. Прочность сцепления окрытия с основой определяют для 20окрытий, полученных из порошка,еющего средний размер от 325 до40 меш (45-150 мкм и среднюю удельную поверхность, превышающую50 см /г. Использование порошка не сферической формы фракции -140+325 меш и с удельной поверхностью более 50 см /г обеспечивает лучшую теку 2 есть порошка, сопротивляемость окислению и высокую абсорбцию...

Номер патента: 688009

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Грибов, Попов, Родионов, Тихонов

МПК: C23C 14/14

Метки: металлов, окислов, пленок, ряда, тонких, хромового

...для легколетучих и ском нагревании испарителя давление в ка труднолетучих веществ); Такая ее скоростьпрактически не изменяется, что охлаждениявыдерживаетсявконцепроцеской . указывает на отсутствие перегретых участ.- са получения пленок. При более высоко ков и слаб ю десорбцию реактивных газов, скорости выхода на режим увеличивается Посколь степень дегазации технологиче- концентрация испаряемого вещества и ре-.ской оснастки зависит от интенсивности ее 20 активных газов, в результате чего образует- прогревания,предложенныйспособисклю- ся рыхлая крупнозернистая структура чает возможность образования перегретых пленки, которая трудно залечивается после- участков, Иэ результатов измерения темпе- дующими слоями. Таким образом,...

Номер патента: 1805137

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Голянов, Долгий, Ольшанский

МПК: C23C 14/14, G02B 1/10

Метки: отражающего, покрытия

...в камередавления(2;66-7,98);10 Па последовательно подают электропитание (напряжение 3 - 5 кВ) на две независимые секции адля катодного распыления магния и меди(или серебра) и осаждают последовательноподслой магния толщиной 1,5 нм и основнойслой меди (или серебра) толщиной 0,2. - 15мкм,Перемещение кассеты с. подложками отсекции к секции производят с помощью ме-,:ханического привода. Толщину подслоя. и йметаллического покрытия регулируют по.0 фвремени распыления материала, . СЭкспериментально было установлено у,что М 9 образует:максимально прочные свя-зи на границе раздела подложка (кварц) -отражающее покрытие при толщине Ы1,501 нм. ЧСпособ нанесения подслоя позволяетполучитъсплошную пленку даже при толщи-не моноатомного слоя и получить...

Номер патента: 2001969

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Воронов

МПК: C23C 14/02, C23C 14/14

Метки: вакууме, защитного, нанесения, покрытия

...соответствующие плр нлотры промежуточного слоя, с одной стороы, и минимальности толщины промежуто ного слоя, с другой стороны,Тонкая пленка, выращиоаемая на поверхности твердых тел, имеет сильно деформированную кристаллическую решетку, причем этот эффект наблодао)ся на толщинах 10 - 20 периодов решетки, т.е, "5 нм При дальнейшем росте пленки ее структура совпадает с кристаллической структурой макрообраэца из вещества этой пленки. Соотоетстоующие пределы лежат о диагаэоне 5 - 20 нм. Состав реагируощего газа ипи газовой смеси подбирается индивидуально для каждого защищаемого материала и определяется на Основе информацио тип ах симметрии и паралетрах кристаллических решеток химических соединений, образующихся при вэаилодейсгоии защищаемого...