Травитель для полировки монокристаллов висмута

П ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСН СВИДЕТЕЛЬСТ КИ МО ист м(ледяная )Плавиковая кисл 02 6 а (503-ная СУДАРСТВЕНЙЫЙ КОМИТЕТ СССР ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ(71) Черновицкий ордена Трудового Красного Знамени государственный университет(56) 1.Т.очеК 1 1,.С., Мегп 1 с 1 с Л.Н. байя 1 осай 1 оп еЕсп рЫя Ъ 1 явц 0.5.Арр 1 Раув.",1959, ч, 30, У 2, р. 234-235.2. Попкова Е.Г., Предводителев А.А. Избирательное травление на дислокациях в металлах. - "Кристаллография",1970, т.15, В 1, с.92-97 (прототип). ЯО 1142532 А(54)(57) ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛИРО НОКРИСТАЛЛОВ ВИСМУТА, содержа азотную, уксусную и плавикову лоты, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью одновременн выявления дислокационной стру он содержит компоненты в след соотношении, об.ч.Азотная кислотаИзобретение относится к исследованию Физико-химических свойств веществ и может быть использовано при подготовке монокристаллов висмута для структурных исследований, а также для придания им товарного вида.Известен травитель для избирательного травления плоскости (111) монокристаллов висмута, содержащий дымящую азотную кислоту, ледяную 10 уксусную кислоту и воду 1",1Недостатком данного травителя является то,что его воздействие распространяется только на плоскость (1) висмута.5Наиболее близким по технической 7,00-9,00 сущности к предлагаемому является травитель для полировки монокристаллов висмутами,23, содержащий азотную уксусную и плавиковую кислоты при следующем соотношении об.ч,;Азотная кислота(50%-ная) 2Однако с помощью этого травителя возможно полировать только плоскость (111) висмута без выявления дислокацйонной структуры монокристаллов на других плоскостях.Цель изобретения - одновременное выявление дислокационной структуры,Поставленная цель достигается тем, что травитель для полировки монокристаллов висмута, содержащий азотную, уксусную и плавиковую кислоты, содержит компоненты при следующем соотношении, об.ч.:Азотная кислота(ледяная)Плавиковая .кислота (50%-ная) 0,02-0, 16 20253040 П р и м е р 1. Монокристалл висмута, имеющий Форму цилиндра, плоский торец которого имеет ориентацию 111, а с противоположной стороны ограничен полусферой, в которой сколом обнажена плоскость (111), обрабатывают в травителе, содержащем азотную кислоту (плотность 1,36), уксусную кислоту (ледяную) и плагиковую кислоту (50%-ную), взятые в соотношении (об,ч.) соответственно 4,00:8,00:0,04. Обработку ведут при встряхивании слитка и температуре травителя 16-18 С.вПосле окончания процесса наблюдается эффект избирательного травления плоскостей ( Й 1) и Ш и по-лирования всех поверхностей моно- кристалла.П р и м е р 2. Ведут обработку монокристалла висмута в условиях примера 1, ио вместо ппосвости на исходном образце шлифованием обнажают произвольно выбранную плоскость.После обработки на плоскости (111) и произвольно выбранной плоскости наблюдают дислокационные ямки травления. При этом наблюдают полирование всей остальной поверхности образца,В таблице приведены результаты обработки монокристаллических образцов висмута в травителе различногоосостава при 16-18 С и использовании образца, монокристалла виамута подобного примеру 1,Таким образом, предлагаемый травитель позволяет наряду с полированием поверхностей образцов моно- кристаллов висмута одновременно выявлять дислокационную структуру их отдельных плоскостей.1142 532 Содержание кислоты Особенности травления плавиковой(503-ной) уксусной (ледяной) 0,01 Легкое пассивированиеповерхности кристаллов 8 0,02 0,04 0,08 0,12 0,16 0,18 0,04 2,5 0,04(1 ) и1 То же 0,04 9,0 Легкое пассивирование поверхности кристалла 0,04 9,5 азотной(плотность1,36) Полирование всех поверхностей крисгаллов и травление плоскостей ( )1) и 1То же Легкое пассивирование поверхности кристаллаНекоторые участкик 1.исталла темнеютПолирование всех поверхности кристалла и травление плоскостей Некоторые участки кристалла темнеютЛегкое пассивированиеповерхности кристаллаПолирование всей поверхности кристалла и травление плоскостей Полирование плоскости .Пассивирование всех остальных плоскостей ВНИЮЩ Заказ 663/27, Тираж 357 Ьодписиое Фзцшал ПОП фПатаатф, г,Уагород, ул.Проектиаа,. 4