Способ удаления налета с поверхности профилированных кристаллов сапфира
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1172946
Авторы: Багдасаров, Затуловский, Мунчаев, Цивинский
Текст
(:ОЯЗЩ ОПИСАН ИЗОБ тельству ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬ 1 ТИЙ(71) Ордена Трудового Красного Знамени институт кристаллографииим. А.В.Шубникова(54) (57) СПОСОБ УДАЛЕНИЯ НАЛЕТАС ПОВЕРХНОСТИ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА ПУТЕМ ХИМИЧЕСКОГО(5)4 С 30 В 33/009 2 АВЛЕНИЯ СМЕСЬЮ содержную кислоту, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения технологии, повышения качества поверхности и прозрачности кристаллов, смесь дополнительно содержит азотную кислоту и воду при следующем соотношении компонентов, об,ч,:Серная кислота (конц,) 3 Азотная кислота (конц.) 5 Вода 2 Травление ведут при 40-80 С в течение 0,5-0,2 ч, после чего кристаллы прополаскивают в концентрированном водном растворе аммиака в течение 0,5-0,7 ч при комнатной температуре и отжигают в атмосфере воздуха при 800-1000 С в течение 0,5-1,5 ч.117294 Т а б л и ц а 1 Т травления, С Время травле- Т отжига, С Время отжи- Светопропускаония, ч га, ч ние, 7 1000 80 0,2 92 1000 0,1 80 0,4 90 1000 80 0,2 85 Изобретение относится к способамфизико-химической обработки профилированных кристаллов сапфира, выращенных методом Степанова А.В., которыемогут быть использованы в качестве 5конструктивного материала, например,для изготовления газораэрядных натриевых ламп высокого давления.Цель изобретения - упрощение тех"вологин, повьппение качества поверх"ности и прозрачности кристаллов.П р и м е р. Способ состоит изпоследовательного применения трехопераций.Химическое травление в смеси концентрированных кислот, состоящей из3 об.ч. Н ВО, 5 об.ч. НМО и 2 об.ч.НО при 40-80 С в течение соответственно 0,5 - 0,2 ч приводит к растворению осевших из пара металлов, 20основных и атмосферных окислов,Прополаскивание в концентрированном растворе ИНОН при комнатнойтемпературе 0,5 - 0,7 ч способствуетрастворению кислотных и атмосферныхокисловОтжиг на воздухе при 800-1000 С соответственно в течение 1,5-0,5 ч приво"дит к возгонке летучих соединений,которые, в частности, могут образоваться при взаимодействии налетас воздухом.Химический состав налета практически не исследован, однозначно определить химические и физические про- З 5цессы, происходящие при этих обработках, в наст.вящее время не представляется возможным.Вне указанных режимов обработкане приводит к получению поверхности 40нужного качества, Увеличение темпе 6 гратуры травления выше 80 С, времени травления и отжига свыше 0,5 ч и 1,5 часа соответственно, температуры отжига свыше 1000 С не приводит к увеличению светопропускания более, чем на 17., и влечет за собой быстрый износ дорогостоящего технологического оборудования.В табл. 1 представлена зависимость светопропускания от времени травления и отжига.В табл. 2 приведена зависимость светопропускания от температур травления и отжига.Предлагаемый способ обработки экспериментально опробован на сапфировых трубках, предназначенных для изготовления газоразрядных натриевых ламп высокого давления, к которым предъявляются высокие требования по светопропусканию, Этот способ позволил обеспечить светопропускание не ниже 92%, что в 4 раза вьппе, чем светопропускание необработанных трубокКроме того, известный способ гарантирует эффективность очистки поверхности сапфировых лент лишь в 50 случаев - у другой половины протрав- ленных кристаллов поверхность становится матовой, т.е. половина обработанных кристаллов непригодна для дальнейшего применения, там где требуется прозрачность профилированных кристаллов порядка 92%. В предлагаемом способе достигается 1003-ная эффективность удаления налета с поверхности сапфировых трубок и достижения требуемых качества поверхности и значений прозрачности.4Та блица 2 1172946 Т травления, С Т отжига, С Время ото- Светопропускага, ч ние, Х Время травления, ч 92 900 1,2 0,5 70 92 1,0 1000 0,5 70 92 1,0 800 0,3 80 900 92 0,7 0,3 80 92 1000 0,2 80 Заказ 5000/25 Тираа 357 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 1 13035, Москва, Ж, Рауаская наб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
3595236, 27.05.1983
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ КРИСТАЛЛОГРАФИИ ИМ. А. В. ШУБНИКОВА
МУНЧАЕВ АНЗОР ИБРАГИМОВИЧ, ЦИВИНСКИЙ СТАНИСЛАВ ВИКТОРОВИЧ, БАГДАСАРОВ ХАЧИК СААКОВИЧ, ЗАТУЛОВСКИЙ ЛЕВ МАРКОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 29/20, C30B 33/00
Метки: кристаллов, налета, поверхности, профилированных, сапфира, удаления
Опубликовано: 15.08.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1172946-sposob-udaleniya-naleta-s-poverkhnosti-profilirovannykh-kristallov-sapfira.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ удаления налета с поверхности профилированных кристаллов сапфира</a>
Способ контроля качества профилированных монокристаллов корунда
Номер патента: 1641901
Опубликовано: 15.04.1991
Авторы: Коневский, Кривоносов, Литвинов
МПК: C30B 29/20, C30B 33/02
Метки: качества, корунда, монокристаллов, профилированных
...в таблице данные имеют следующие обозначения: Т - температура отжига; Р - парциальное давление кислорода в зоне отжига; т 1 - время разогрева печи; х - время изотермической выдержки; тз - время снижения температуры; х 4 - время инерционного охлаждения; М - энергетические затраты по сравнению с прототипом; К - коэффициент скрытого брака.Печь нагревают в течение времени т 1 до температуры Т и выдерживают при этой температуре в течение времени г 2, после чего выключают нагрев, и печь инерционно остывает до комнатной температуры в течение времени гз . Затем извлекают из печи отожжейные образцы и визаульно контролируют наличие инородной фазы (помутнение кристаллов),При сравнении результатов отжига основными показателями...
Способ очистки поверхности травленой алюминиевой фольги от ионов хлора
Номер патента: 790375
Опубликовано: 23.12.1980
Авторы: Кирьянова, Кыров, Леонова, Пермяков, Розанов, Тимуршина
МПК: H01G 9/045, H05K 3/00
Метки: алюминиевой, ионов, поверхности, травленой, фольги, хлора
...в азотной кислоте осуществляют обработку ее в азотно- глицериновом растворе, содержащем азотную кислоту, глицерин и дистиллированную воду при следующем соотношении компонентов в вес.Ъ:,Азотная кислота 0,1-2,0 Глицерйн 0,2-2,0 Дистиллированная вода Остальное.Яример реализации способа очистки поверхности травленой алюминиевой фольги от ионов хлора.На типовом агрегате травления производят обработку алюминиевой фольги. Непрерывно двйжущаяся лента алюминиевой фольги электрохимически травится в ванне, заполненной травильным электрогитом на основе поФормулЬ изобретения Составитель Т. БарановаРедактор А, Шандор Техред А. Ач Корректор Н. Стец Заказ 9134/77 Тираж 885 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий...
Устройство для выращивания профилированных кристаллов с внутренней полостью
Номер патента: 1313027
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик
МПК: C30B 15/34
Метки: внутренней, выращивания, кристаллов, полостью, профилированных
...затягивается в кдпиппярный эдзар 11 между перфорираззанныл 111 кольцам 10 и кольцом 7формообразоодтеля 3. Полость 6 оказываетСЯ ИЗОПИЗОВД Н НОЙ ПЗ 1 ПО 1 лГЗЩИ ТаКОГ 0 ЖИД костного затвора, по мере роста изделия давление о ней падает, Перепад наружного и внутреннего давления приводит к изменению формы вплоть до полного здхлспывания полосги 6, после чего кольцо 10 пооорачиодется таким образом. чтобы отверстия 9 совпадали с перфорацией 12, Открыва,отся отверстия 9, при этом жидкостный затвор перестает действовать. и процесс выращивания повторяется П р и м е р. Выращивают монокристаллические пробирки из корунда наружного диаметра 8 мм, внутреннего 5 мм, длиной 40 мм, Для получения изделий используют молибденовый тигель диаметром 80 мм ц...
Устройство для контроля качества кривизны рабочей поверхности ампулы жидкостного уровня
Номер патента: 466384
Опубликовано: 05.04.1975
Авторы: Озембловский, Трейнер
МПК: G01C 9/30
Метки: ампулы, жидкостного, качества, кривизны, поверхности, рабочей, уровня
...изобретения - определение качестваампулы до запайки.Предлагаемое устройство отличается тем,что в него введен узел изменения объема воздушного пузырька в ампуле, выполненный ввиде, например, мембранной коробки,Устройство схематически изображено начертеже.В схему входят контролируемая ампула с 25пузырьком воздуха в жидкости и мембраннаякоробка (узел изменения давления), призма,микроскоп, лампа подсветки (узел измерениясмещения центра объема).Устройство работает следующим образом. 30Путем наклона ампулы 1 выставляют пузырек воздуха в контролируемый участок поверхности и перемещением измерительного узла фиксируют положение двух краев пузырька (в данном измерительном узле в поле зрения микроскопа 4 с помощью призмы 3 образуется...
Способ контроля качества поверхности изделий в форме тел вращения
Номер патента: 911127
Опубликовано: 07.03.1982
МПК: G01B 5/28
Метки: вращения, качества, поверхности, тел, форме
...кромок поверхности изделия.Указанная цель достигается тем,что контролируемое иэделие в форметел вращения, например в виде ци"911127 Формула изобретения Составитель 1" РедкобородыйРедактор Л. Лукач Техред И.Рейвес Корректор М, Коста Заказ 1095/21 Тираж 614 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо целам изобретений и открытий113035, МоскваЖ, Раушская наб., д, 4/5 филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проекгная,4 линдра или катушки, пронатывают понаправляющей поверхности в виде желоба, регистрируют возникающие приэтом в желобе упругие волны, а степень дефектности поверхности изделия определяют по харакгеристикамэтих волн.При качении иэделия в желобе возникают упругие волны Гшум) . Так какконтролируемое изделие опирается нажелоб...
Предыдущий патент: Способ охлаждения горячекатаных труб
Следующий патент: Устройство для формирования косого слоя стеблей лубяных культур
Случайный патент: Способ передачи дальновидения с подвижных установок