Способ управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды у1 группы

Номер патента: 1725700

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская

МПК: H01L 21/28

Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа

СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79

Номер патента: 354496

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Осип, Савченко

МПК: H01L 31/16

Метки: деформирования, кристаллов, пластического, типа

...пластичностью кристаллов,Цель достигается за счет того, что на ста дии пластической деформации, осуществляемой с определенной скоростью при заданной температуре, фоточувствительный кристалл облучают двумя источниками света - первичного (с длиной волны в области собственно го поглощения), определяющего дополнительное упрочнение кристалла, и вторичного (с длиной волны в инфракрасной области), приводящего к разупрочнению, величина которого зависит от интенсивности и длины волны 20 вторичного источника.Деформирование осуществляется в закрытой камере на специальной машине. Виды деформации могут быть различными: одноосное сжатие, изгиб, растяжение и т. д, В ка мере поддерживается постоянная температура, при которой для данного...

Номер патента: 177844

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Конвисар, Райский, Сысоев

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: выращивания, группа, монокристаллов, полупроводниковых, селенидов, сульфидов

...подготовленный стехиометрический порошок сульфида кадмия загружают в графитовый контейнер, помещаемый внутрь трубчатого графитового нагревателя, расположенного в автоклаве. После герметизации внутреннего объема его вакуумируют с подогревом для удаления из автоклава влаги и газообразных примесей. В вакуумированный объем автоклава вводят заданное количество сероуглерода, после чего в автоклав из баллона подается аргон до давления 30 - 40 ат. Последующие операции включают плавление порошка сульфида кадмия, некоторый перегрев расплава и затем программное снижение температуры расплава таким образом, чтобы в коническом дне контейнера возникла монокристаллическая затравка, которая разращивается последовательно снизу вверх по объему...

Номер патента: 109850

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Семенов

МПК: B64D 15/02

Метки: давления, засорения, кристаллами, льда, низкого, обледенения, снега, топливных, трд, тэд, устранения, фильтров

...питание двигателя через другой фильтр 4.Отключенный Фильтр 4 под действием горячего воздуха размораживается,Предмет изобретения Устройство для устранения обледенения и засорения кристаллами льда или снега топливных фильтров низкого давления ТРД и ТВД, например, в самолетных топливных системах с применением подогрева, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности непрерывной подачи топлива к двигателю силовой установки самолета, оно выполнено с двумя одинаковыми фильтрами, соединенными параллельно и сблокированными таким образом, что при обледенении одного из фильтров и падении за ним давления в трубопроводе, подводящем топливо к двигателю, автоматически срабатывают сигнализатор давления, реле и электромотор, переключающие кран...

Номер патента: 112847

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Улановский

МПК: H01L 21/00

Метки: выжигания, выпрямительных, группы, мест, одновременного, поврежденных, полупроводниковых, элементов

...последовательно соединенных элемента В и конденсатора С подключены одним концом непосредственно к положительному полюсу источника зарядного напряжения (выпрямительному мостику В 1 и конденсатору С 1), а другим - через пе112847реключатель П к его отрицательному полюсу. В положении переключателя на контакте 1 ток заряда конденсаторов С протекает в проводящем направлении элементов 8.Затем переключатель П пероводится на контакт 2, в результате чего все цепи из последовательно соединенных конде С и выпрямительного элемента В замыкаются накоротко.При этом ток разряда конденсаторов С протекает через выпрямительные элементы В в запирающем направлении и производит выжигаие их поврежденных мест,В предлагаемом устройстве для одновременного...