Выдай

Номер патента: 1835935

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Будаковский, Выдай, Загарий

МПК: G01T 1/20

Метки: детектор, излучений, ионизирующих, сцинтилляционный

...слоя и улучшение адгезииэтого слоя и подложки, Температура ниже313 К.не обеспечивает необходимого механизма пленки роста паратерфенила из-занедостаточной диффузии осажденных частиц, что приводит к неравномерности светового выхода. Низкая температура подложкине обеспечивает также необходимую адгезию пленки и подложки. Температура более323 К приводит к переиспарению паратерфенила с подложки и нарушению процессаосаждения.Используемая температура испарителя353-363 К является оптимальной для испа.ряемого сырья с учетом других физико-технологических параметров напыления,Температура испарителя ниже 353 К необеспечивает необходимую скорость испарения и механизм роста пленок для получения пленок с требуемым световым выходом.Температура...

Номер патента: 1154383

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Бугай, Выдай, Загарий, Цирлин

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: гамма-излучения, детекторов, мягкого, рентгеновского, термообработки

...высокое значение параметра пик/допина.Цель изобретения - увеличение параметра пик/долина детекторов рентгеновского и мягкого гамма-излученияи сокращение продолжительности термообработки.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу термообработкидетекторов рентгеновского и мягкогогамма-излучения на основе монокристаллов иодистого натрия, активированных таллием, включающему отбор детекторов по задаваемому параметру, ихнагрев до температуры термообработки,выдержку и охлаждение, отбор ведут- гпо концентрации активатора (3-4)10(2-3) 10 мас.7., нагрев - до 80-90 С,а выдержку осуществляют в течение4-5 ч.Сущность способа заключается в том,что при концентрации активатора в основе детектора (3-4) 10 мас.Е наблюдается низкое значение...