Багай
Способ травления кристаллов висмута
Номер патента: 1175977
Опубликовано: 30.08.1985
Автор: Багай
МПК: C30B 29/02, C30B 33/00
Метки: висмута, кристаллов, травления
...вершины трещин в кристаллах висмута.Необходимо обеспечить возможность проведения металлографических исследований процесса разрушения кристал 40 лов путем изучения дислокационной структуры вершины трещин в кристаллах висмута.Целью изобретения является увеличение четкости изображения дислокационных ямок травления в вершинах трещин кристаллов висмута.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу травления кристаллов висмута в растворе, содержащем об.ч.:Азотная кислота(50%-ная) 0,02-0,16при заданной температуре и времени, травление ведут при (-5) - (+4) С в течение 30-40 мин,Травление при температуре менее -5 С и времени более.40 мин не приводйт к выявлению на вершинах трещин в кристаллах ямок травления.оПри температуре...
Травитель для полировки монокристаллов висмута
Номер патента: 1142532
Опубликовано: 28.02.1985
Автор: Багай
МПК: C30B 29/02, C30B 33/00
Метки: висмута, монокристаллов, полировки, травитель
...дислокационной структуры,Поставленная цель достигается тем, что травитель для полировки монокристаллов висмута, содержащий азотную, уксусную и плавиковую кислоты, содержит компоненты при следующем соотношении, об.ч.:Азотная кислота(ледяная)Плавиковая .кислота (50%-ная) 0,02-0, 16 20253040 П р и м е р 1. Монокристалл висмута, имеющий Форму цилиндра, плоский торец которого имеет ориентацию 111, а с противоположной стороны ограничен полусферой, в которой сколом обнажена плоскость (111), обрабатывают в травителе, содержащем азотную кислоту (плотность 1,36), уксусную кислоту (ледяную) и плагиковую кислоту (50%-ную), взятые в соотношении (об,ч.) соответственно 4,00:8,00:0,04. Обработку ведут при встряхивании слитка и температуре травителя...