Езоян

Номер патента: 1256399

Опубликовано: 15.09.1988

Авторы: Атабекян, Геворкян, Езоян, Ерицян, Саркисов

МПК: C09K 11/04

Метки: кристаллов, рубина

...понижаетквантовый выход люминесценции рубина,отжигаются,а оставшиеся температурно"устойчивые центры окраски обуславлибвают возможность дополнительной передачи энергии во 9 буждения к ионамхрома, что приводит к повышению интенсивности фотолюминесценцин,.. Выбор условий облучения .и отжига 25обусловлен необходимостью достижениямаксимального повышения интенсивности фотолюминесценции кристаллов рубина. При этом облучение электронами 29с энергией ниже 2 10 эВ и до дозы ЗОбчменьше 10 эл/смне приводит к увеличению интенсивности люминесценции,а при энергии электронов выше 5 10 эВи дозах больше 10 эл/смобразуются13сложные структурные дефекты, что при- Зводит к снижению интенсивности люминесценции.При температурах отжига ниже 300 Си времени...

Номер патента: 1111515

Опубликовано: 30.04.1985

Авторы: Атабекян, Винецкий, Геворкян, Езоян, Ерицян

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: корунда, монокристаллов

...эл/см температура 1073 К) зачастую приводят к возникновению дефектов в виде дислокационных петель из междоузельных катионов.Целью изобретения является повышение прозрачности монокристаллов вультрафиолетовой области спектра.Поставленная цель достигается тем,что в известном способе обработкимонокриста лов корунда, К -А 1 п 03включающем облучение их потокомэлектронов, обработку ведут потокомэлектронов с энергией 2 ф 10б5 10 эВ дозой 10 - 10 эл/см .Повышение прозрачности достигается благодаря тому, что при облучениикристалла малыми дозами высокоэнергетичных электронов происходит разрушение или изменение зарядового состояния структурных дефектов. Структурные дефекты, например вакансиии междоуэельные ионы, возникают впроцессе выращивания...