Способ травления кристаллов висмута
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1175977
Автор: Багай
Текст
)4 С 30 В 33/00 29/02 ЫЙ НОМИТЕТ СССР ОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(71) Черновицкий ордена Трудового Красного Знамени государственный университет(56) 1, Иаскольская М.П, и др. О возникновении дислокаций при распространении и слиянии трещин в ионных кристаллах, - Кристаллография, т.6, вып. 4, 1961, с. 605-613.2. Авторское свидетельство СССР по заявке У 3584370/26,кл. С 30 В 33/00, 29/02, 1983. 4) (5 СМУТ б.ч. Азо 5 -Укс Пла 02 -ПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛрастворе, содержащем,ная кислот отност усная кислота (ледяная) виковая кислота (503-на- 9 ту при з мени, что, с изображ ления травле чение аданнои тли целью ения д верши ие вед 30-40 темпе ающ я мэ величения четкос слокацио ах трещи ных ямок тра ристаллов, +4 фС в тет при ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ77 7,0-9,0 0; 1/30; Во всех шес 2; ная канавка /3; 2-3Нет четкост лош еткост опытах не 1 1/6; 1шная кан Имеется ч травления сть, но не на х ямках 0 1 11759Изобретение относится к исследоцанию физических.и химических свойств веществ, в частности к избирательному травлению и полированию кристаллов висмута в процессе их подготовки для металлографического иссле- дования, например, процессов разрушения методом изучения дислокационной структуры вершины трещин.Известен способ выявления дислока-О ционной структуры вершины трещин в ионных кристаллах, заключающийся в том, что, например, кристаллы ЬдГ и МаР травят в растворе РеС 15, а кристаллы ИаС 1 травят в чистом 15 метиловом спирте (11.Однако этот способ не позволяет выявлять дислокационную структуру вершины трещин в кристаллах с ковалентной или металлической связью.Наиболее близким к предлагаемому является способ 121 травления кристаллов висмута состоящий в том, что исследуемые плоскости полируют и избирательно травят при помощи трави теля, содержащего ингредиенты в следующих количествах, Ьб,ч,:Азотная кислота (плотность 1,36) 2,5-5,0Уксусная кислотаЗО(ледяная)Плавиковая кислота (507-ная) О, 02-0, 16РТравление проводят при 16-18 С,Этот способ также не позволяет35 выявлять дислокационную структуру вершины трещин в кристаллах висмута.Необходимо обеспечить возможность проведения металлографических исследований процесса разрушения кристал 40 лов путем изучения дислокационной структуры вершины трещин в кристаллах висмута.Целью изобретения является увеличение четкости изображения дислокационных ямок травления в вершинах трещин кристаллов висмута.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу травления кристаллов висмута в растворе, содержащем об.ч.:Азотная кислота(50%-ная) 0,02-0,16при заданной температуре и времени, травление ведут при (-5) - (+4) С в течение 30-40 мин,Травление при температуре менее -5 С и времени более.40 мин не приводйт к выявлению на вершинах трещин в кристаллах ямок травления.оПри температуре более +4 С и времени менее 30 мин в вершине трещин вытравливается сплошная канавка и нет четкости дислокационных ямок травления.Проводят исследования монокристаллических слитков висмута, содержащих трещину, получаемую путем неполного скола кристалла вдоль плоскости распространения трещин (Ш), В качестве исследуемых берут плоскости, содержещие трещину и составляющие с плоскостью (Ш) угол, близкий к прямому (например опасность типа (101), получаемые электроискровым разрезанием слитковПосле тонкого механического шлифования этих плоскостей их подвергают травлению (см,таблицу). изображения дислокационных ямокв вершине трещин4Продолжение таблицы 1175977 30 Четкость Имеется четкость, но она не всегда воспроизводится; наличие четкости отмечается втрех опытах из пяти,25 0 Четкость 30 0 40 0 10 60 0 Местами легкое растравливание 25 12 Имеется четкость, но не на всех участкахтрещин 30 13 Четкость.40 14 60 Имеется четкость, но на некоторых участкахнет ямок травления Составитель В.ГоловановРедактор Т,Веселова Техред Т.Дубинчак Корректор В,Синицкая Заказ 5315/31 Тираж 357 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП "Патент", г, Ужгород,. ул.Проектная, 4 П р и м е ч а н и е : Охлаждение травителя и стабилизация температурыпроводят при помощи специально изготовленноготерморегулирующего устройства, помещенного в мороэильник бытового холодильника. Травление целесообразно проводить при температуре тающего льда, поскольку при этом нетнеобходимости применять терморегулирующие приспособления.Как видно из данных, приведенныхв таблице ( опыты - 7,9, 10, 13, 14),предложенный способ позволяет выявлять дислокационную структурувершины трещин путем травления исследуемых плоскостей известным травителем в течение 30-40 мин при температуре, близкой к температуре тающего льда (-5) - (+4) С и тем самым обеспечивается воэможность проведения металлограйических исследований процесса разрушения кристалловвисмута.
СмотретьЗаявка
3679671, 23.12.1983
ЧЕРНОВИЦКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
БАГАЙ ИЗИДОР МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 29/02, C30B 33/00
Метки: висмута, кристаллов, травления
Опубликовано: 30.08.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1175977-sposob-travleniya-kristallov-vismuta.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ травления кристаллов висмута</a>
Предыдущий патент: Способ получения борфторида нитрония
Следующий патент: Распределитель питателя кокономотального автомата
Случайный патент: Быстроразъемное электроизолированное соединение трубопроводов