Способ обработки стеклообразного селена

(50 ВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТ ОС АИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ЬСТВУ ической тк Г.А. Над.асйцгез. 00 ВТОРСКОМУ СВИДЕ(54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ СТЕКЛООБРАЗНОГО. СЕЛЕНА (57) Изобретение относится к способам обработки стеклообразного селена в процессе его получения или эксплуатации и хранения элементов, изготовленных из него, В процессе обработки магнитным полем напряженностью 250- 700 Э увеличивается индукционное время спонтанной кристаллизации стекло- образного селена. Максимальное замедление спонтанной кристаллизации состав.ляет 9,4 года, без магнитной обработки 1,1 года. Способ позволяет уп" ростить и удешевить процесс замедления спонтанной кристаллизации стекло- образного селена. 1 табл.13018 При Напряженность мер поля при эксплуатации ихранении, Э Индукционное время кристаллизации стеклообразногоселена при комнатной температуре, г при напряжениимагнитного поля при закалке, Э 0 200 250 470 700 750, 900 а Ьд 0 1,1 1,1 1,5 1,1 1,1 7 3 8,5 8,7 8,9 9,0 9,1 9,2 91 91 93 91 91 93 200 250 9,1 9,3 470 9,3 700 9,4 9,4 9,4 750 91 91 93 9,4 900Изобретение относится к способам обработки стеклообразного селена в процессе его получения или эксплуатации и хранения элементов, изготовленных из него, и может найти применение 5 в электрографии и других областях полупроводниковой техники, где используются элементы приборов нз стеклообразного селена.Целью изобретения является упроще ние и удешевление процесса, а также уменьшение спонтанной кристаллизации стеклообразного селена.П р и м е р, Для получения стекло- образного селена исходный селен крис таллический или содержащий кристаллические включения помещают в кварцевую ампулу, которую вакуумируют и отпаивают. Затем материал нагревают выше температуры плавления и подвергают 20 охлаждению (закалке) в магнитном поле, создаваемом электромагнитом объемом 70 см, напряженностью 470 Э со скоростью 1 град/с до затвердения25 стеклообразного селена, который в процессе закалки подвергают обработке в магнитном поле напряженностью 250-700 Э, составляет 1,5"-2 года (пример 1 Ь,и д ) при отсутствии последующей обработки в процессе эксплуатации и хранения, Т; стекло образного селена, не подвергнутого обработке магнитным полем в процессе 78 2о(ДО 30 С), При этом доля кристалли ческой фазы в затвердевшем стеклообразном селене ниже чем 10 . При охлаждении без магнитной обработки доля кристаллической фазы в стеклообразном селене в указанных условиях составляет 10 , что соответствует большему количеству центров, способных в дальнейшем вызвать спонтанную кристаллизацию стеклаВ таблице приведены результаты исследований;Индукционное время кристаллизации ( ) стеклообразного селена при ком 1натной температуре после охлаждения в магнитном поле напряженностью 470 Э составляет2 года (пример 1 а) .Далее изготавливают элементы прибора из стеклообразного селена,обработанного предлагаемым способом, помещают на время эксплуатации в магнитное поле напряженностью 470 Э истеклообразного селена увеличивают до 9,3 года (пример 4 г),2 2 7,98 9,0 9,1 9,3 9,3 9,4 9,4 9,4 9,4 9,4 9,4 закалки, но подвергнутого процессу эксплуатации или хранения, составляет 8,5-9,1 г. (примеры Зо, 4 а и 5 а).Максимальное замедление спонтанной кристаллизации стеклообразного селена достигают при закалке и последующей эксплуатации и хранении при помещении в магнитное поле, напряженностью в 700 Э (пример 5 д).3 1301878Формула изобретения Составитель А, ПолозниковТехред М. Ходанич Корректор М. Самборская Редактор И. Шулла Заказ 1195/28 Тираж 370 ПодписноеВНИИПИ Государстввнного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, гУжгород, ул. Проектная, 4 Способ обработки стеклообразного селена, включающий охлаждение расплавленного исходного селена и после дующее физическое воздействие на полученный материал, о т л и ч а ю -4щ и й с я тем, что, с целью упрощения и удешевления процесса, а также уменьшения спонтанной кристаллизации стеклообразного селена; расплав при охлаждении и/или полученный стеклообразный селен помещают в магнитное поле напряженностью 250-700 Э.