Патенты с меткой «моносульфида»

Номер патента: 133470

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Радзиковская, Самсонов

МПК: C01F 17/00

Метки: моносульфида, церия

...полуторный сульфид в шихте по уравнению 2 берется с70%-ным избытком против стехиометрического. Сажа прокаливается притемпературе 400 в течение двух часов и анализируется на содержаниезолы. Приготовленная шихта прессуется в брикеты диаметром 40 - 50 ммв стальных прессформах под давлением 1000 кг/сл 12. Сбрикетированнаяшихта загружается в патрон и помещается в вакуумную печь. По достижении вакуума не менее 5.10 - мм, рт. ст. начинается медленный подъемтемпературы (в течение ЗО - 40 мин) до 1650 Нагрев продолжают допервоначального давления в печи 11 - 2 часа),133470Полученный продукт поступает на размол в шаровую мельницу, фу. терованную твердым сплавом с твердосплавными шарами, Время размола 8 час, Размолотый продукт после просеивается...

Номер патента: 392002

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Камарзин, Короткевич

МПК: C01G 17/00

Метки: германия, моносульфида

...родацида аммония, подаваемыми в зону реакции инертным газом.Кроме того, процесс ведут при соотношении двуокиси германия к углероду, равном 2,5+. +0,5, и температуре 750 - 850 С до полного удаления двуокиси германия из зоны реакции.При осуществлении способа получают продукт высокого качества (он однофазен, фазы беОе, бе, бе 5, отсутствуют).При м ер. 60 г двуокиси германия смешивают с 20 г угля марки БАУ и загружают в кварцевую лодочку. Последшою устанавливают в горизонтальный кварцевый реактор, помещенный в трубчатую электропечь. Реактор соединяют с узлом разложения роданида аммония, Всю систему подключают к баллону с аргоном и продувают в течение 20 чин, тем- пература в узле разложения роданида аммония 180 в 2 С, а в реакторе...

Номер патента: 273819

Опубликовано: 25.02.1977

Авторы: Егидис, Коханова, Редникова, Тараненко

МПК: C07C 148/04

Метки: бис-(2-метилбензил-4-метилфенол, моносульфида

...темперао- до температуры О С, Через хлаждения фильтруют, осадох 25 аллизап с после кислоты 1Изобретение относится к способу очистки бис- (2- А -метилбензил-метилфенол) - моносульфида, полученного по авт.св,176292, Этот сульфид получают с т,пл, 99-103 С, что ограничивает область его применения.Для расширения области его применения и получения неокрашенных и стойких при высохих температурах полимеров технический продукт подвергают очистке, состояшей в том, что сульфид кипятят в бензине с сорбенитом-иликагелем, а затем перекристаллизовывают из уксусной кислоты. Очишеноный продукт имеет т.пл. 111 С.П р и м е р. 20 г бис-(2- аС - метилбен 4-метилфенол)-моносульфида растворив 70 мл бензина галоша при хипяченйи, Затем добавляют 2 г...

Номер патента: 1791390

Опубликовано: 30.01.1993

Автор: Жумашев

МПК: C01G 28/00

Метки: моносульфида, мышьяка

...моносул ьфида мышьяка, т, к. разложение промежуточного соединения происходит уже при 500 С.Понижать температуру ниже 500 С не имеет смысла, потому что не происходит разложение промежуточного соединения и образование моносульфида мышьяка. Поэтому за оптимальный температурный интер 10 15 вал нужно взять 500-600 С, Поднимать выше нет необходимости, ибо точка кипения моносульфида мышьяка - 550 С. Температуры разложения промежуточного 20 соединения и кипения моносульфида мышьяка установлены дополнительно методом дифференциального термического анализа шихты (пример 1).Использование предлагаемого способа получения моносульфида мышьяка обеспечивает по сравнению с существующими способами следующие преимущества: получение моносульфида...

Номер патента: 1820790

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Володин, Каминский, Сосова

МПК: H01L 21/34

Метки: моносульфида, основе, полупроводниковых, самария, тензорезисторов

...материала чувствительного элемента тензорезистора известно и применяется при производствефольговых неметаллических тензорезистоЗ 5 ров для увеличения их электросопротивления, а не для уменьшения ТКС, Никакихданных об изменении ТКС при примененииэтого технологического приема нет. Совокупность существенных признаков предла 40 гаемого изобретения позволяет врезультате их взаимодействия устранить отрицательное влияние оказываемое краевыми участками тензорезистора, что приводитк достижению цели, укаэанной в формуле45изобретения.На фиг.1 изображен тензорезистор и нанем пунктиром отделены удаляемые участки чувствительного слоя элемента (а - подложка, б - контактные площадки, в - тензочув 50 ствительный слой из ЯвЯ); на фиг.2представлена...