Датчик электрофизических параметров полупроводниковых материалов
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
ДАТЧИК ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащий цилиндрический СВЧ-резонатор квазистатического типа, на одной из торцевых стенок которого закреплен один конец индуктивного штыря, другой конец которого размещен в соосном с ним отверстии, выполненном в другой торцевой стенке, а также элементы связи цилиндрического резонатора с источником СВЧ-энергии и индикатором и механизм осевого перемещения индуктивного штыря, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и производительности измерений, торцевая стенка, на которой закреплен индуктивный штырь, выполнена в виде концентрически гофрированной металлической диафрагмы, а механизм осевого перемещения индуктивного штыря - в виде катушки индуктивности с соосно расположенным в ней стержнем из магнитного материала, который закреплен одним концом на концентрически гофрированной диафрагме соосно с индуктивным штырем.
Описание
Цель изобретения - повышение точности и производительности измерений.
На чертеже приведена конструкция датчика электрофизических параметров полупроводниковых материалов.
Датчик электрофизических параметров полупроводниковых материалов содержит цилиндрический СВЧ-резонатор 1 квазистатического типа/ индуктивный штырь 2/ элементы 3 и 4 связи цилиндрического СВЧ-резонатора 1 с источником СВЧ-энергии и индикатором (не показаны)/ при этом торцовая стенка цилиндрической СВЧ-резонатора 1/ на которой крепится индуктивный штырь 2/ выполнена в виде концентрически гофрированной диафрагмы 5/ а в другой торцовой стенке выполнено соосное отверстие 6/ механизм осевого перемещения индуктивного штыря 2 также выполнен в виде катушки 7 индуктивности с соосно расположенным внутри нее стержнем 8 из магнитного материала и закрепленным общим концом соосно индуктивному штырю 2.
Датчик электрофизических параметров полупроводниковых материалов работает следующим образом.
Катушка 7 индуктивности запитывается током промышленной частоты/ при этом стержень 8/ жестко связанные с ним концентрически гофрированная диафрагма 5 и индуктивный штырь 2 совершают колебательные движения в направлении оси цилиндрического СВЧ-резонатора 1. Возбужденные в нем СВЧ-колебания в результате осевых перемещений индуктивного штыря 2 модулируют по амплитуде/ пропорциональной нагруженной добротности цилиндрического СВЧ-резонатора 1/ на выходе которого формируются радиоимпульсы резонансной кривой/ соответствующие моменту прохождения индуктивным штырем 2 точки резонанса при прямом и обратном ходе. Радиоимпульсы наблюдаются на экране индикатора измерительной установки. В получающейся последовательности импульсов временной интервал между соседними импульсами прямого и обратного хода штыря характеризует величину воздушного зазора между свободными торцом индуктивного штыря 2 и поверхностью приложенного к датчику исследуемого полупроводникового материала 9/ а информация об удельном сопротивлении полупроводникового материала 9 содержится в амплитуде импульсов. Величина амплитуды колебаний индуктивного штыря 2/ достаточно скомпенсировать глубину максимальных неровностей поверхности полупроводникового материала 9/ констатируется по факту разделения во времени импульсов прямого и обратного хода. Смыкание импульсов соответствует достижению резонанса в крайнем положении индуктивного штыря 2/ исчезновение их - отсутствию резонанса.
Таким образом/ датчик автоматически реагирует на изменение рельефа полупроводникового материала 9/ что не требует необходимости делать на нем специальную шлиф-дорожку.
Рисунки
Заявка
3702988/09, 14.02.1984
Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова при Томском государственном университете им. В. В. Куйбышева
Ахманаев В. В, Данилов Г. Н, Медведев Ю. В, Петров А. С
МПК / Метки
МПК: G01N 22/00
Метки: датчик, параметров, полупроводниковых, электрофизических
Опубликовано: 15.06.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1212156-datchik-ehlektrofizicheskikh-parametrov-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик электрофизических параметров полупроводниковых материалов</a>
Преобразователь параметров емкостного датчика
Номер патента: 657371
Опубликовано: 15.04.1979
Автор: Мручко
МПК: G01R 27/26
Метки: датчика, емкостного, параметров
...делитель 7 частоты на сумматор 10 и суммируется с напряжением, 45 выхода интегратора 6.Просуммированный сигнал поступает на управляемий гене ратор 2. Напряжение, управляющее с выхода Управляемого генератора 2, равно где А - амплитуда сигнала вспомогательного генератора 3;Я - частота выходного напряжения вспомогательного генератора 3; 88А - постоянная составляющая выходного напряжения интегратора б.Выходная частота(о, управляемого генератора намного меньше частоты управлениявспомогательного генератора 3. Управляемый генератор 2 является вэтом случае безынерциальным пропорциональным звеном, а его частота равна где Юс- постоянная составл,ющая выходной частоты управляемого генератора 2;(й, - амплитудное значение девиации выходной частоты...
Преобразователь параметров трансформаторных датчиков в период электрических колебаний
Номер патента: 1033985
Опубликовано: 07.08.1983
Авторы: Алексеев, Зябиров, Мартяшин, Чернецов
МПК: G01R 27/02
Метки: датчиков, колебаний, параметров, период, трансформаторных, электрических
...ограниченные функциональные возможности, заключающиеся в невозможности преобразования постоянной времени обмоток датчи" ка : Ьх. в частотныйсигнал.Цель изобретения - повышение точности и расширение функциональных возможностей преобразователя параметров трансформаторных датчиков в частотные сигналы.Поставленная цель достигается тем, что в преобразователь, содержащий сумматор, диффернциатор, переключатель, блок сравнения и интегратор, вход которого подключен к выходу блока сравнения, выход трансформаторно" го датчика подключен к первому входу переключателя, а клемма соединения первичной и вторичной обмоток датчика подключена к корпусу, введены вто-. рой переключатель, два управляемыхделителя напряжения и преобразователь напряжения в ток,...
Устройство для преобразования в частоту выходного параметра резистивного датчика
Номер патента: 503363
Опубликовано: 15.02.1976
Авторы: Богородицкий, Златин, Островский, Пох, Шадрин, Элиасберг
МПК: H03K 13/20
Метки: выходного, датчика, параметра, преобразования, резистивного, частоту
...2 на операционном усили теле, делитель, состоящий из образцового резистора 3 и резистивного датчика 4, операционный усилитель 5, делитель в цепи отрицательной обратной связи операционного усилителя 5 иа резисторах 6, 7. Устройство представляет собой преобразователь с переключением ния интегрирования, причем перек примыкающих циклах преобразова ствляется за счет изменения поля пряжения сравнивающего устройств цессе работы устройства линейно-из ся напряжение с выхода интеграто ющееся результатом интегрировани напряжений,о - амплитудное значение знакопере менного импульсного напряжени503363 1 х Рв; - Л4 13 15 Формула изобретения Составитель А. КузнецовТехрсд А, Камышникова Редактор Т, Янова Корректор 3. Тарасова Заказ 14111 б Изд1125...
Устройство для преобразования в частоту выходного параметра резистивного датчика
Номер патента: 600726
Опубликовано: 30.03.1978
Авторы: Островский, Рыжевский, Трифонов
МПК: H03K 13/20
Метки: выходного, датчика, параметра, преобразования, резистивного, частоту
...по 5вателя содержит два практически равных лупериода выходных колебаний, можетпо длительности полупериода. Длитель- быть представлено в виденость каждого полупериода выходных ко- ) 1)ооКмлебаний определяется из условия дости-.ф в эЦф2 П вжения линейно-изменяющихся напряжением10 ъ 2 фФ а ана выходе дифференциального интеграто- где- постоянная времени дифференцира 1 размаха напряжения на выходе де- ального интегратора 1;лителя из образцового резистора 3 и значение сопротивления образцорезистивного датчика 4. вого резистора 3;В процессе работы устройства Разно- я и 9 - значение сопротивления соответполярные перепады напряжения амплиту" ственно резисторов б и 7.)6 Ф Идой цо с выхода сравнивающего уст- " т/2 - длительность полупериода...
Преобразователь выходного параметра резистивного датчика в частоту
Номер патента: 769732
Опубликовано: 07.10.1980
Авторы: Вырыпаева, Гарин, Островский, Трифонов, Фролов
МПК: H03K 13/20
Метки: выходного, датчика, параметра, резистивного, частоту
...через детектор широтно-модулированного сигнала соединен с первым входом сумматора, второй вход которого соеди нен с выходом операционного усилителя, авыход соединен с вторым входом интегратора.Структурная электрическая схема устройства приведена на чертеже.10 Устройство содержит интегратор 1, блоксравнения 2, резпстивный делитель 3 из образцового резистора и резистивного датчика, операционный усилитель 4, резистивный делитель 5, детектор 6 широтно-модулиро ванного сигнала, сумматор 7,В основу принципа деиствия усположен принцип развертывающегразования с переключением напрразвертывания в примыкающихПри наличии напряжения смещенияфа нуля интегратора 1 скважностьсов на выходе блока сравнения 2 ндвум, причем при равенстве...
Предыдущий патент: Устройство для нанесения покрытий
Следующий патент: Слоистый материал для остекления
Случайный патент: Способ изготовления ингредиента курительной смеси из углеводного материала