Голисов

Способ создания легированных областей полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Номер патента: 1083842

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Болдин, Голисов

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, легированных, микросхем, областей, полупроводниковых, приборов, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ОБЛАСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ путем окисления кремниевых пластин, вытравливания окон в маскирующем окисле, создания окисла в вытравленных окнах и ионной имплантации бора с последующей его разгонкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных микросхем путем исключения дефектов в областях, легированных бором, выращивают окисную пленку в вытравленных окнах толщиной, определяемой соотношением d = kE,где d - толщина окисла, нм;E - энергия ионного легирования, кэВ;K - коэффициент, равный (3,6 - 4,0) нм/кэВ,после чего проводят ионную имплантацию бора в окисел энергией из диапазона 20-100 кэВ,...

Одновибратор с разрядным триггером

Загрузка...

Номер патента: 758488

Опубликовано: 23.08.1980

Автор: Голисов

МПК: H03K 3/2893

Метки: одновибратор, разрядным, триггером

...состоянии. Тиристоры 10, 9 закрыты, времязадающий конденсатор 8 разряжен, транзистор 1 закрыт, транзистор 2 открыт. В связи с тем, что транзистор 2 открыт, на управляющий электрод тиристора 9 подано управляющее напряжение, так как через открытый транзистор 2, диод 7, резистор 3 управляющий электрод тиристора 9 подключен к плюсу источника питания.При подаче входного сигнала на управляющий электрод тиристора 10 оба тиристора 9, 10 откроются и зарядят времязадающий конденсатор 8 до напряжения источника питания. Как только ток заряда конденсатора 8 станет меньше тока удержания тиристоры в открытом состоянии они выключаются. Выключение произойдет и тогда, когда на управляющем электроде тиристора 10 входной импульс еще не закончился и даже...