Голисов
Способ создания легированных областей полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Номер патента: 1083842
Опубликовано: 20.03.1995
Авторы: Болдин, Голисов
МПК: H01L 21/265
Метки: интегральных, легированных, микросхем, областей, полупроводниковых, приборов, создания
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ОБЛАСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ путем окисления кремниевых пластин, вытравливания окон в маскирующем окисле, создания окисла в вытравленных окнах и ионной имплантации бора с последующей его разгонкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик полупроводниковых приборов и интегральных микросхем путем исключения дефектов в областях, легированных бором, выращивают окисную пленку в вытравленных окнах толщиной, определяемой соотношением d = kE,где d - толщина окисла, нм;E - энергия ионного легирования, кэВ;K - коэффициент, равный (3,6 - 4,0) нм/кэВ,после чего проводят ионную имплантацию бора в окисел энергией из диапазона 20-100 кэВ,...
Одновибратор с разрядным триггером
Номер патента: 758488
Опубликовано: 23.08.1980
Автор: Голисов
МПК: H03K 3/2893
Метки: одновибратор, разрядным, триггером
...состоянии. Тиристоры 10, 9 закрыты, времязадающий конденсатор 8 разряжен, транзистор 1 закрыт, транзистор 2 открыт. В связи с тем, что транзистор 2 открыт, на управляющий электрод тиристора 9 подано управляющее напряжение, так как через открытый транзистор 2, диод 7, резистор 3 управляющий электрод тиристора 9 подключен к плюсу источника питания.При подаче входного сигнала на управляющий электрод тиристора 10 оба тиристора 9, 10 откроются и зарядят времязадающий конденсатор 8 до напряжения источника питания. Как только ток заряда конденсатора 8 станет меньше тока удержания тиристоры в открытом состоянии они выключаются. Выключение произойдет и тогда, когда на управляющем электроде тиристора 10 входной импульс еще не закончился и даже...