Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов

ОПИСАЙИЕ ИЗОБРЕТЕН ЙЯ 283983 Союз Соаетскик Социалистическик РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 03.11.1969 ( 1302568/23-26) д, 17/00 с присоединением заявки М ПК В 01 17/00 ПриоритетОпубликовано 14,Х.1970. Бюллетень32Дата опубликования описания 23.ХП,1970 митат по аел изобретений и открытори Совета МинистреСССР К 548.55(088.8) Авторыизобретения Вакуленк. Либин Носоновский,итель РОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ сти производачено для исвыращивании пслов, наприия тугоиз питал пительивающеростр- охватыщиваящеедоповытяочее пакел Основным недостатком такого устявляется невысокое качество выращкристаллов.Для устранения вышеуказанного недостатка 1 предложено устройство, выполненное в виде укрепленных на кристаллизаторе в одномкожухе с ним нескольких отжиговых блоков,каждый из которых состоит из неподвижногои подвижного полумуфелей, между которымис зазором расположен подвижный отжиговыйстакан, дополнительной горелки под стаканом,нескольких неподвижных и одного подвижного столика с фигурными пазами,На фиг. 1 показан общий вид предложенного устройства; на фиг. 2 дан разрез по А - Афиг. 1; на фиг. 3 - вид на подвижный и неподвижные столики,роиства иваемых 20 Порошок исходного продукта из пцтателя 1вместе с кислородом, подводцмым к вводу 2, смешивается в нижней части горелки 8 с водородом, вводимым через ввод 4, образуя факел, направленный в рабочее пространство ростового блока б и 7, где происходит рост кристалла. По окончании выращивания монокрпсталла несколько се 1 нжают температуру факела и подвижныс огнеупорные полумуфелц ростового блока 7 и одного из отжиговых блоков 11 ЗО перемещают по направляющим 9 и 15,25 Изобретение относится к областва монокристаллов и предназнпользования в установках примонокристаллов тугоплавких окмер рубинов, способом ВернейляИзвестно устройство для выраплавких моцокристаллов, состотеля, двух горелок - основной иной, кристаллизатора (печи) иго устройства, в котором в рабство печи направлен полный фвающий растущий кристалл. Устройство состоит пз питателя 1, ввода 2кислорода, основной горелки 8 с вводом 4 водорода, кожуха муфеля б, ростового блока, состоящего из неподвижного б полумуфсля 5 и подвижного 7. установленного на листе 8,направляющих 9, отнсиговых блоков, состоящих из неподвижных полумуфеле 11 10 и подвижных 11, огнеупорных саапов 12 и подьемпого приспособления 13, листов 14 ц на- О правляющих 15, горелок 1 б с вводом 17 газа,вытягивающсго устройства, состоящего пз подвижного столика 18 с фигурным пазом 19, подсвечника 20 с шипом, огнеупорного стержня (свечи) 21, неподвижных столиков 22 с 5 фиксирующим винтом 28.Все узлы и детали установки жестко закреплены на станине.Устройство работает следующим образом,Перед окончанием выращивания включают дополнительную горелку 1 б, факел которой омывает пространство между наружной поверхностью стакана 12 и внутренними поверхностями огнеупорных половин - полумуфелями 10 и 11. При нагревании стакана до температуры порядка 1800 в 18 С и по окончании выращивания монокристалла в ростовом блоке несколько снижают температуру основного факела. Затем подвижные полумуфели ростового блока 7 и одного из отяиговых блоков 11 перемещают по направляющим 9 и 15 в положение, необходимое для перемещения готового кристалла в вертикальной плоскости. Стакан при помощи подъемного приспособления 13 приподнимают в крайнее верхнее полокение. Кристалл вместе с подсвечником 20, шип которого входит в фигурный паз 19, перемещают по нему в одно из крайних положений таким образом, чтобы ось кристалла совпала с осью стакана. После осуществления указанных манипуляций стакан и подвижные полумуфели возвращают в исходное положение, В первый момент отжига горелка работает в максимальном форсированном режиме. Это делается для того, чтобы выравнять температуру во всем объеме крисгалла. Затем, постепенно снижая расход подводимого к дополнительной горелке газа, снижают температуру на кристалле до 100 - 200 С. После освобождения рабочего пространства ростового блока от кристалла на другом подсвечнике вводят новую затравку и производят выращивание. Такое устройство позволяет вести непрерывное выращивание и отжиг благодаря тому, что на один ростовый блок приходится два отжиговых. Если на выращивание кристалла затрачено п час, то на отжиг отводится время в два раза больше, т. е, 2 п час,4Основным преимуществом устройства является то, что кристаллы получают ненапрякенными непосредственно в устройстве для выращивания кристаллов, не затрачивается 5 время на отжиг в отдельном агрегате.Кроме того, в связи с тем, что кристаллтранспортируется в отжиговый блок при высокой температуре, нет необходимости затрачивать энергию для его разогрева, как это де лается при работе с отдельными отяиговымипечами.Полумуфели ростового блока на протяжении всего срока службы работают в стационарном режиме, т, е. без теплосмен, что значи тельно увеличивает срок их службы.Применение данного устройства увеличиваетвыход сортовых кристаллов на 10 - 15 Я, так как не происходит их растрескивание в момент отключения печи.20Предмет изобретенияУстройство для выращивания монокристал 25 лов тугоплавких окислов из порошка исходного продукта в кислородно-водородном пламени по способу Вернейля, включающее питатель, горелку, кристаллизатор и вытягивающиймеханизм, отличающееся тем, что, с целью30 улучшения качества кристаллов, оно выполнено в виде укрепленных на кристаллизаторев одном кожухе с ним нескольких отжиговыхблоков, каядый из которых состоит из неподвижного и подвижного полумуфелей, между35 которыми с зазором расположен подвижныйоткиговый стакан, дополнительной горелки,расположенной под стаканом, и несколькихнеподвижных и одного подвижного столикас фигурными пазами,283983 тт А.А г Составитель Т. Н. Кузьмйнадактор д, Г. Герасимова Техред А, А, Камышникова Корректор Т. А, Уманец пография, пр. Сапунова, 2 Заказ 3667/7ЦНИИПИ Комитета по делам изоМосква, Ж Тираж 480ений и открытий при Совете МРаушская наб., д. 4/5 Подписнотров ССС