C30B 11/06 — добавлением по крайней мере одного, но не всех компонентов кристаллической композиции

Номер патента: 108078

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Жванко, Шамовский

МПК: C30B 11/06, C30B 29/12

Метки: монокристаллических, фосфоров, щелочно-галоидных

...способ получениямонокристаллических щелочногалоидных фосфоров позволяет получать новый вид сцинтилляторов соспектром люминесценции, смещенным в красную часть спектра.Это увеличивает эффективностьсцинтилляторов и позволяет использовать в существующих марках фотоэлектронных умножителей болееширокий круг солей, вкл 1 очая бромиды и хлориды щелочных металлов.Предлагаемый способ отличаетсяот общепринятых тем, что, с цельюсмещения люминесценции монокристаллических щелочногалоидных фосфоров в красную часть спектра,в качестве активатора используетсяне таллий, а индий.Выращивание монокристаллов попредлагаемому способу производится из расплавов полностью обезвоженных солей.Процесс осуществляется при высокой температуре в...

Номер патента: 177844

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Конвисар, Райский, Сысоев

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: выращивания, группа, монокристаллов, полупроводниковых, селенидов, сульфидов

...подготовленный стехиометрический порошок сульфида кадмия загружают в графитовый контейнер, помещаемый внутрь трубчатого графитового нагревателя, расположенного в автоклаве. После герметизации внутреннего объема его вакуумируют с подогревом для удаления из автоклава влаги и газообразных примесей. В вакуумированный объем автоклава вводят заданное количество сероуглерода, после чего в автоклав из баллона подается аргон до давления 30 - 40 ат. Последующие операции включают плавление порошка сульфида кадмия, некоторый перегрев расплава и затем программное снижение температуры расплава таким образом, чтобы в коническом дне контейнера возникла монокристаллическая затравка, которая разращивается последовательно снизу вверх по объему...

Номер патента: 193438

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: C30B 11/06, C30B 29/12

Метки: 193438

...кристаллизации к основному реактиву добавляют 0,005 - 0,01 вес. % стабилизирующей примеси НдСе, после чего процесс кристаллизации ведут согласно известной технологии.Способ заключается в следующем.Перед началом кристаллизации в ампулу к основному реактиву (АдС 1) добавляют небольшое количество 0,005 - 0,01 вес. % хлористой ртути (НдС 1 е) квалификации х. ч., которая является стабилизирующей примесью. После этого ампулу с веществом запаивают. Процесс выращивания кристаллов проводят по существующей в промышленности технологии. 2На фиг, 1 показаны кривые спектра пропускания: 1 - чистого незасвеченного хлористого серебра и 2 - стабилизированного 0,005%НдС 1 в после его трехмесячной непрерывной5 засветки солнечным и искусственным...

Номер патента: 261368

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Государственный, Проектный, Черномордин

МПК: C30B 11/06

Метки: ампула, взаимодействия, пара, расплавом

...фиправленную оединения в Предме 15 Ампула для вза вом, выполненная ложения лодочки испаряем ый комп что, с целью интен 20 жения расхода ле ная часть ампул длине лодочки с щель, а летучий к кальном отсеке,25 частью ампулы со длине, тз обретен и я теля Зависимое от авт. свиде Заявлено 14.1 Х.1967 ( АМПУЛА ДЛЯ ВЗАИМО носится к устройствам для ара с расплавом, например, равленной кристаллизации сталлизации диссоцпируючастности полупроводникоИзвестна ампула для взаимодепствия пара с расплавом, выполненная фигурной над местом расположения лодочки с расплавом и содержащая испаряемый компонент.Основными недостатками известной ампулы являются длительность процесса и большой расход летучего компонента,С целью устранения указанных недостатков...

Номер патента: 291737

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Селиванова, Хейфец

МПК: C30B 11/06, G01N 25/04

Метки: жидкой, коэффициента, л1ежду, нелетучей, примеси, распределения, твердой, фазами

...осуществляют в условиях, при которых перемешивание расплава происходит за счет диффузии. В процессе перекристаллизации производят остановку температурного профиля, При перемещении профиля у фронта кристаллизации в жидкой фазе возникает концентрационная неоднородность примеси, величина которого зависит от величины коэффициента распределения, Для примесей с коэффициентом распределения, меньшим единицы, максимальная концентрация примеси у фронта кристаллизации определяет более низкую величину равновесной температуры плавления.При остановке температурного профиля постепенно пончжается концентрация примеси у фронта кристаллизации из-за диффузии. В реЗаказ 430/2 Издат. М 211 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 1471546

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Виноград, Гуревич, Ковалева, Козлов, Любинский

МПК: C09K 11/55, C09K 11/61, C30B 11/06 ...

Метки: иодида, основе, сцинтиллятора, цезия

...комнатной температуры со скоростью 10 /чаВ таблице представлены свойства кристаллов, полученных по изобретению и данные сравнительных примеров.Из представленных в таблице дан ных следует, что величина послесвечения кристаллов, полученных по изобретению, в 2-9.раз ниже, а интенсивность радиолюминесценции в 2-2,5 раза выше аналогичных характеристик ЗО кристаллов, полученных известным способом. При этом кристаллы не имеют посторонних включений.Повышение скорости нагрева при термической обработке поглотителя выше 15 град/ч приводит к его спеканию, в связи с чем при его дальнейшем применении возможно образование кислород-содержащих примесей в кристалле и повышение интенсивности послесвечения, Снижение скорости нагрева ниже 5 О/ц...

Номер патента: 1208848

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Боднар, Грин, Груцо, Корзун, Маковецкая

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: меди, тройных, халькогенидов

Способ получения тройных халькогенидов меди, включающий взаимодействие расплава металлических элементов, расположенных в зоне синтеза, с парами халькогена, взятого в избытке от стехиометрии и расположенного в противоположном конце запаянной вакуумированной кварцевой ампулы, при температуре зоны синтеза на 21 40oС выше температуры плавления соединения, а зоны халькогена 600 650oС, выдержка при этих условиях в течение 2 3 ч и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью получения больших слитков соединения CuAlSe2 стехиометрического состава и высокой чистоты, избыток селена берут в количестве 3,0 7,5 мг/см3, металлические элементы загружают в кварцевую лодочку, покрытую пиролитическим графитом, после...

Номер патента: 1825537

Опубликовано: 27.01.2003

Автор: Гамазов

МПК: C30B 11/06, C30B 29/40

Метки: гамазова, монокристаллов

1. Способ получения монокристаллов полупроводниковых соединений и их твердых растворов направленной кристаллизацией из раствора-расплава в тепловом поле с градиентом температуры и с добавлением компонентов по мере роста кристалла и его опускания, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса однородности и структурного совершенства кристаллов, кристаллизацию ведут на затравочный кристалл с дополнительным теплоотводом и подпиткой раствора-расплава компонентами из жидкой фазы при его конвективном перемешивании и диффузии компонентов к фронту кристаллизации при двукратном увеличении прямого градиента температуры в диффузионном слое, получаемом за счет двухслойного...

Номер патента: 1839797

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Рычик

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: монокристаллов, ртути, тиогаллата

Способ получения монокристаллов тиогаллата ртути HgGa 2S4 путем охлаждения расплава сульфидов исходных компонентов, взятых с избытком сульфида ртути, в ампуле с противодавлением, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и улучшения их оптической однородности за счет уменьшения дефектов структуры и включений примесных фаз, в расплав дополнительно вводят избыток серы при следующем соотношении компонентов, вес.%: Сульфид ртути 51,827-52,042Сульфид галлия 47,662-47,061 Сера 0,511-0,897а охлаждение ведут направленно путем вертикального опускания ампулы со скоростью 2-30 мм/сутки.

Номер патента: 1839800

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Каплунник, Матвеев, Победимская, Троценко, Тюлюпа, Шевырдяева

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: материал, монокристаллический, нелинейный

Нелинейный монокристаллический материал, содержащий серебро, галлий и селен, отличающийся тем, что, с целью увеличения двупреломления и снижения коэффициента поглощения в области спектрального пропускания, он дополнительно содержит германий в количестве, удовлетворяющем химической формуле AgxGaxGe1-x Se2, где 0,167 x 0,37.