ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 280450ИЗОБЕЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 21 Х 1.1968 ( 1249510/23-26)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано ОЗЛХ.1970. Бюллетень28Дата опубликования описания 10.Х.1970 Кл, 12 д, 17/ МПК В 011 17 ОО УДК 548.55(088.8 омитет по дел изобретении и открытии при Совете Министров СССР. Л. Фар ндинер, . А. Бар аявител СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОДОМЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ 1.1 М)Оз 0 ОРИЕНТАЦИИ2 Предмет изобр 20 Способ получения монодо лов .1 чЬОз 0 ориентаци тем, что, с целью увеличен вышения выхода конечного щенный до нужных размеро 25 гают при 1160 - 1180 С в те под напряжением 15 - 25 в,охлаждают до 1075 - 1125 напряжения на 25 - 40% с лаждением кристалла со 30 30 С/час.етен менных пристали, отличающийся ия размеров и по- продукта, выра- в кристалл отжичение 30 - 60 лшн, затем кристалл С при снижении последующим охскоростью 25 -Изобретение относится к способам получения монодоменных кристаллов .ЮЬО, 0ориентации, являющегося материалом дляквантовой электроники,Известеп способ получения монодоменныхкристаллов .1 ХЬОз 0 ориентациями, заключающийся в том, что выращивание кристалловведут в электрическом поле, когда затравка ирасплав находятся .под постоянным напряжением.Однако известным способом получать круп:ные кристаллы сложно. Кроме того, выходконечного продукта низкий.С целью увеличения кристаллов и повышения выхода конечного продукта, выращенныйдо нужных размеров кристалл отжигают при1160 - 1180 С в течение 30 - 60 мин под напряжением 15 - 25 в. Затем кристалл охлаждают до 1075 - 1125 С при снижении напряжения на 25 - 40% с последующим охлажденнем кристалла со скоростью 26 - 30 град/час.Осуществление предложенного способа позволяет .получить кристаллы длиной до 80 мми диаметром до 20 лтм. Выход конечного продукта 90%,П р и м е р. Для дополнительной монодоменизации на цилиндрической пове 1 рхности кристалла 1 наносят кольцевые пазы на расстоянии 1,5 - 2 млт от краев кристалла.Глубина паза 1 - 2 мм, ширина 1 мм. Кристалл подвешивают на платиновой проволоке в аллундовом стакане. Проволока является отрицательным электродом, а конец кристалла - положительным. Кристалл нагревают 5 до температуры, близкой к температуре Кюри(1160 - 1180 С), и выдерживают при ней 30 - 60 мин под напряжением 15 - 25 в, в зависимости от геометрических размеров образца (10 - 20 мм, 1=40 - 80 мм), Средняя плот ность тока не более 0,5 ла/мм-. Скорость охлаждения не более 30 град/час. Постоянное электрическое поле снимают при температуре 1100 С.Во избежание больших пиротоков при ох лаждении кристалла до 1160 - 1100 С подаваемое а кристалл напряжение уменьшают на 25 - 40%.

Смотреть

Заявка

1249510

В. Л. Фарштендинер, Р. М. Толчинска В. П, Б. А. Баранов, Н. Б. Ангерт

МПК / Метки

МПК: C30B 29/30, C30B 33/00

Метки: 280450

Опубликовано: 01.01.1970

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-280450-280450.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">280450</a>

Похожие патенты