ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваК В 011 171 аявлено 19,1 Х,1969 ( 1361994/22 присоединением заявк Комитет по делам зобретений и открытий при Совете Министров СССР. Пеллер5 Заявите ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАН ретен полполупровтны ие относится ск обл упрсрводников, в части чения монокристалло оди мости.способы получения ь ия выращиванием п ым выравниванием и ие рост кристалла например в артоне, а асти метал- ости к спов германия лур,гии собам и-типаИзв тонокристало Чохральдр предув инертной зоте и др. лов герма скому, зонн сматривающ атмосфере,Предм изобрете 25 Опособ получени.ния и-тиста проводирасплава или зоннчающийся тем, что,держания атомарно30 сталлахгермания я монокристалловмости выращиваниым выравниваниев 1с целью обеспеченго кислорода в мои-типа провод гермаем изотлиия соно,кр- иимос Авторыизобретения В. П. Шаповало Однако при использовании монокристаллов германия и-типа ароводимости для изготовления сплавных и диффузионных диодных и транзисторных структур отрицательно сказываепся на нараметрах полупроводниковых приборов неизбежное запрязнение монокристаллов лепкодиффундирующими рекомбинационными примесями, например медью.Предлагаемый опособ позволяет уменьшить отрицательное влияние рекомбинационных примесей и структурных дефектов. Для этого монокристаллы германия и-типа (проводимости получают выращиванием из расплава или зонным выравниванием в смеси инертного газа с кислородом при парциальном давлении последнего 4 - :6 мм рт, ст, (при общем давлении 760 мм рт. ст.), что обеспечит содержание атомарного кислорода в монокристаллах германия и-типа проводимости (5 - 7) 10" атом(смз,Такое содержание атомарного кислорода вмонокристаллах германия опособствует нейтрализации вредного влияния лепкодиффундирующих рекомбинационных примесей, аа пример меди. Смесь кислорода с инертнымгазом подают сразу же после соприкосновения затравочного кристалла с расплавом.Исследования показали, что структура диода, изготовленного на,исходных кристаллах 10 германия, обогащенных кислородом, имеетсущественно низкие обратные токи при одном и том же обратном напряжении, чем структура диода, изготовленная на основе кристаллов германия, выращенных известным спосо бом Чохральского. По данным исследованиянейтрализация лепкодиффундирующих рекомбинационных примесей и структурных дефектов введенньвм кислородом позволяет значительно снизить обратные токи,и повы сить напряжение пробоя полупроводниковыхструктур.Заказ 3340/7 Изд, Юз 1405 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 3(5 - 7) 10 ц атом/смз для уменьшения отрицательного влияния,рекомбинационных примесей и структурных дефектов, выращивание осуществляют в смеси инертного газа с кислородом при парциальном давлении носледнего 4 - 6 мм рт. ст.

Смотреть

Заявка

1361994

В. П. Шаповалов, В. А. Шершель, В. И. Нижегородов, В. М, Д. Левинзон, В. В. Пеллер

МПК / Метки

МПК: C30B 15/00, C30B 29/08

Метки: 298165

Опубликовано: 01.01.1971

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-298165-298165.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">298165</a>

Похожие патенты