Шершель

Номер патента: 623294

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Дудник, Левинзон, Логинова, Нижегородов, Соколов, Шаповалов, Шершель

МПК: C30B 15/04

Метки: германия, легированных, монокристаллов, типа

...вытягивания монокристаллов, расплавляют шихту, выдерживают расплав 5 - 10 мин, и вытягивают монокристалл из расплава по Чохрольскому на затравку, ориентированную в направлении 31, со скоростью 2 мм/мин при скорости вращения затравки и тигля, соответственно, 30 и 5 обор,/мин.Получают монокристалл германия и-типа проводимости с концентрацией оптически активного атомарного кислорода 6,0 10 в ат, см - з. Однородность распределения оптически активного атомарного кислорода по объему монокристалла составляет (6 0,5) 10" ат, см -623294 Зависимость концентрации оптически активного атомарного кислорода от содержания двуокиси германия в борном ангидриде и соотношения борного ангидрида и двуокиси германия к расплаву германия показана в таблице....

Номер патента: 298165

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Левинзон, Нижегородов, Пеллер, Шаповалов, Шершель

МПК: C30B 15/00, C30B 29/08

Метки: 298165

...полупроводниковых приборов неизбежное запрязнение монокристаллов лепкодиффундирующими рекомбинационными примесями, например медью.Предлагаемый опособ позволяет уменьшить отрицательное влияние рекомбинационных примесей и структурных дефектов. Для этого монокристаллы германия и-типа (проводимости получают выращиванием из расплава или зонным выравниванием в смеси инертного газа с кислородом при парциальном давлении последнего 4 - :6 мм рт, ст, (при общем давлении 760 мм рт. ст.), что обеспечит содержание атомарного кислорода в монокристаллах германия и-типа проводимости (5 - 7) 10" атом(смз,Такое содержание атомарного кислорода вмонокристаллах германия опособствует нейтрализации вредного влияния лепкодиффундирующих рекомбинационных...