Патенты с меткой «иттриевого»

Номер патента: 234570

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Аграновска, Котельникова, Трофимова, Шварц

МПК: C04B 35/40, H01F 1/10

Метки: иттриевого, магнитный, материал, основе, феррограната

...в интервалетемператур от 100 до 400 С, и может применяться для датчиков-преобразователей емкостного типа. к областа на основ относитс матери44 - 45,5 53 - 54,5 киси иттр киси желе или четырехваМп, 811, Т 1 вухвалентногалла Саз+, Со: мет изобретения Магнитныи матер 1 феррограната, отли 20 целью повышения д ной, изменяющейся го поля и температ присадки - соедине четырехвалентного м 25 соотношении компонокиси иттрия окиси железа соединения двухвалентного или четырехвалентного металлаостальное,Данное изобретениеяполучения магнитного ал е иттриевого феррограната.Известен магнитный материал, содержащий окись железа и окись иттрия,Предлагаемый магнитный материал отличается от известного тем, что, с целью повышения диэлектрической постоянной,...

Номер патента: 293765

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лебедь, Мосель, Титова, Яковлев

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, иттриевого, монокристаллов, основе, ферритовых, феррограната, шихта

...кристаллы состава 1 з оба;с АоОз имеют намагниченность насыщения 300 гс, цри этом изменение намагниченности насыщения в интервале темпсрдтур от минус 150 до плюс 90 С составляют мснсс 5%.Прсдмст изобретенияШихта для выращивания ферритовых моно кристаллов на основе иттриевого феррограна. Изобретение отвыращивания фссостава Уз хЫ.,ГеИзвестна шихтатовых монокристалфсррограната, в кты берут в следуюУзОзГе 20 зРЬОРЬ,материалам для монокристаллов осится к рритовы 5 - АтО 2. для выр лов на о оторой ис щих отно ащивания ферриснове иттриевого ходные компоцсцпециях вес %:8,2816,1030,6844,94 Кристаллы имеют на ма щения 1750 гс, которая мсн температур от минус 100 пределах от 200 до 1400 гс вестный состав имеет боль магцичснности насыщения т...

Номер патента: 1168332

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Белицкий, Новокрещенова, Прилепо, Совков, Урсуляк, Шаповалов

МПК: B22F 3/16, C04B 35/40, H01F 1/34 ...

Метки: иттриевого, поликристаллического, феррограната

...ТгО 57 РеОэ (3) согласно которым для комненсации избытка в 3 моль ортоферрита требуется введения 1 моль окиси железа, 45 а для компенеации недостатка в 5 моль ортоферрита - 1 моль окиси иттрия.В пересчете на массовые проценты для компенсации одного процента избыт ка ортоферрита требуется добавка 50 в шихту 0,27 мас,7. окиси железа а при недостатке одного процента ортоферрита - 0,23 мас.7 окиси иттрия,Заданное содержание ортоферрита в обожженной шихте определяют по 55 экспериментальным зависимостям изменения основных электромагнитных свойств спеченного феррограната(1 ц 88 - тангенса угла диэлектрических потерь, йр 8,1 в тангенса угламагнитных потерь, ДЧ - ширина линииФерромагнитного резонанса, , - плотности) от концентрации ортоферритав...