ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 356873 СОюз Советских Социалистических Республик( 1471292/23-2киаявлено 17 Х 111.19 с присоединениемПриоритетОпубликовано 21. сударственныи кемитетавета Министрев СССРпа делам изебретенийи открытий УДК 669.046-172(088.8 973. Бюллетень27описания 4.Х.1973 та опубликования Авторыизобретени Веселкова,И. Блецк, С. Фалькевич, Л, Е, Березенко Б, А. Сахаров и Ю, М. Шашков Заявите НИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМ НИЯ ОСОБ ПО ния снааметром отрыва- повторлю расДля уп чала выр 1,5 - 2 лм ют от рас тносится к металлурги ное затрплава.После осуществления дцесс ведут обычным путемсталлы имеют четырехсе0 Направление каждого сектрезультате двойникования,ми срастания являются пло войникования проПолученные криторное строение. ора, полученного в 11221. Плоскостяскости 1122). изобретени ред ия двойниковых нием из расплава гранной призмы, ленин 1100, отл обеспечения одно всем граням ок у, боковые гра лографическими 15 Способ кремния в ку в виде ванную в тем, что,20 двойников пользуют являются ми 1110).кристаллов на затрав- ориентироичаюи 1 ийся временного таэдра, исни которойплоскостяполучен ытягива четырехнаправ цельюания по затравккристал Изобретение о и полупроводников.Известно, что при выращивании монокристаллов кремния вытягиванием из расплавов на затравку, имеющую форму четырехгранной призмы и ориентированную в направлении 11001, может происходить образование двойников, являющееся, как правило, следствием нарушения режима выращивания. Однако двойникование носит случайный характер.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что с целью обеспечения одновременного двойникования используют затравку, боковые грани которой являются кристаллографическими плоскостями 1110), что дает возможность получать четырехсекторные кристаллы.По предлагаемому способу затравку сечением ЗКЗ лл, ориентированную в направлении 11001 и ограненную плоскостями П 10), приводят в контакт с расплавом, частично оплавляют, а затем поднимают со скоростью более 5 мм,мин до возникновения двойников. рощения процесса затравле ащивают монокристалл ди , длиной 5 - 7 мм, который плава, а затем производят авление на застывшую кап

Смотреть

Заявка

1471292

Н. И. Блецкан, Э. С. Фалькевич, Л. Е. Березенко, А. А. Веселкова, Б. А. Сахаров, Ю. М. Шашков

МПК / Метки

МПК: C30B 15/36, C30B 29/06

Метки: 356873

Опубликовано: 01.01.1972

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-356873-356873.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">356873</a>

Похожие патенты