Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур и устройство для его осуществления

Номер патента: 961391

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Скаковский, Сушко

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: жидкостной, полупроводниковых, эпитаксии

Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом изотермического смешивания, включающий приготовление двух насыщенных растворов, заливку первого раствора на подложки и последующее наращивание эпитаксиального слоя путем добавления второго раствора, отличающийся тем, что, с целью расширения числа получаемых материалов, снижения температуры наращивания и повышения однородности слоев, материал растворителя каждого из растворов выбирают так, чтобы растворимость полупроводникового материала в первом растворе была выше, чем во втором.

Номер патента: 938642

Опубликовано: 20.06.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, эпитаксии

Устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом сдвига, включающее подвижной контейнер с емкостью для раствора цилиндрической или прямоугольной формы, установленной на подложкодержателе, имеющем ячейку для подложки, отличающееся тем, что, с целью улучшения однородности толщины получаемых слоев, в нижней части емкости выполнен вырез, имеющий в сечении форму сегмента.

Номер патента: 824694

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, эпитаксии

Устройство для жидкостной эпитаксии, включающее камеру для расплава и источника его подпитки, подложкодержатель, установленный на вертикальном валу, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью получения толстых слоев с высокой однородностью свойств и увеличения скорости процесса, подложкодержатель выполнен в виде стакана с плоским дном, внутри которого установлена камера с возможностью осевого перемещения, имеющая в дне щель со скосом в одном направлении и выступы с наружной стороны, обеспечивающие зазор между дном и подложкой.

Номер патента: 531220

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Киеня, Эпштейн

МПК: H01L 23/46

Метки: вентилей, жидкостного, охлаждения, полупроводниковых, принудительного

...стенках радиаторов у каждых двухсмежных радиаторов расположены диаметрально противоположно, благодаря чему образуются кольцевые каналы для протекания охлаждающей жидкости между внешнейповерхностью вентиля и внутренней поверхностью вставки параллельно торцовым стенкам радиаторов.На фиг. 1 показано соединение вентилейи радиаторов, разрез по вертикали; на фиг,2- радиатор, поперечный разрез и вид сверху,Таблеточные вентили 1 и радиаторы 2поочередно соединены в одну цепь, Каждыйрадиатор имеет с противоположных сторонплоско-параллельные посадочные поверхности под вентили и используется для одновременного охлаждения двух вентилей.Для направления потока охлаждающейжидкости между радиаторами последние соединены между собой гидравлически с...

Номер патента: 460826

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Андреев, Жиляев, Ларионов, Никитин

МПК: H01L 21/36

Метки: жидкостной, методом, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксии

...приведения подложки в контакт с расплавамНедостатком этих устройств является то, что при перемещении подложки может происходить либо перетаскивание одного рас плава в другой и их перемешивание, либо частичное сдергивание расплава и механическое повреждение вырашенного слоя стенками контейнера, что ухудшает условия смачивания для следующего расплава и приводит к возникновению дефектов в многослойных полупроводниковых структурах,С целью уменьшения дефектов изготовляемых структур предлагаемое устройство снабжено дополнительной соединенной с контейнером камерой с поршнем, в которую помещены держатели подложек, образующие ка нал, соединяющий камеру с резервуаром для отработанных расплавов. крывается соединительный каналЗаказ 893/79 Тираж...