Тигель для выращивания монокристаллов

Номер патента: 293765

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лебедь, Мосель, Титова, Яковлев

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, иттриевого, монокристаллов, основе, ферритовых, феррограната, шихта

...кристаллы состава 1 з оба;с АоОз имеют намагниченность насыщения 300 гс, цри этом изменение намагниченности насыщения в интервале темпсрдтур от минус 150 до плюс 90 С составляют мснсс 5%.Прсдмст изобретенияШихта для выращивания ферритовых моно кристаллов на основе иттриевого феррограна. Изобретение отвыращивания фссостава Уз хЫ.,ГеИзвестна шихтатовых монокристалфсррограната, в кты берут в следуюУзОзГе 20 зРЬОРЬ,материалам для монокристаллов осится к рритовы 5 - АтО 2. для выр лов на о оторой ис щих отно ащивания ферриснове иттриевого ходные компоцсцпециях вес %:8,2816,1030,6844,94 Кристаллы имеют на ма щения 1750 гс, которая мсн температур от минус 100 пределах от 200 до 1400 гс вестный состав имеет боль магцичснности насыщения т...

Номер патента: 394317

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Лебедь, Мосель, Муха, Титова, Яковлен

МПК: C01G 49/00, C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов, ферромагнитных, шихта

...расплавекристаллов с общей формулой з .Еео. А 1 1 п. Опь обладающих нченностью насыщения 4 зтМ, не болееузкой линией ферромагнитного рез(ф. м. р.) не более 1 э и полем анизо- не оолее 1 О э. Это достигается тК 1тИв известную шпхту на основе 1 еОз,ГезОз, А 1(ОН)РЬО, РЬР 2 вводят окдия, и разработанный состав шихтыследующее соотношение компонентов: Синтезированные монокрпсталлы имеют15 состав 1 е,з ттс 1 о,о А 1 ю,о 1 п о,зз Рез,75 Оснамагниченностью насыщения 4 тМ 400 гс,К,9 э, шир;ной линии ф.м.р. (измеренияИпроводятся на частоте 500 Мгтт), равной для20 лиска 0,7 э, лля сферы 1 э.П р и и е р. Исходные компоненты шихтыуказанного состава перемешивают путем виброомола, загружают в платпновьп тигельемкостью 250 слтз, закрывают платиновой25...

Номер патента: 1591537

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Литвинов, Пищик, Пузиков

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, монокристаллов, профилированных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ, включающее камеру роста, тигель для расплава с установленным в нем формообразователем в виде закрепленной на основании насадки, соединенной с вертикальным капиллярным каналом и имеющей на поверхности канавки, и затравкодержатель с затравкой, отличающееся тем, что, с целью увеличения прочностных и оптических характеристик монокристаллов в виде изделий неправильной геометрической формы с удлиненными выступами, насадка имеет выступы, канавки расположены в каждом из выступов в направлении их наибольшей длины и выполнены несквозными.

Номер патента: 403235

Опубликовано: 25.04.1976

Авторы: Катрич, Тиман

МПК: B01J 17/24

Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких

...и скорости ия монокристаладан изменения толцины слоя р роста в процессе вырашив р тен их монокСпособ вырешиванияристаллов в вакууме путеца затравки и подачи насырья, отличаюшчто, с целью повышения туг оплавм расп авпения торрошкового тем,к онечн ог о чистот юдут мм пр 01 с асплародукта, кристаллизациюа толшиной не более 5 скорост а, не превышают ок Изобретение может найти применение врадиотехнике, лазерной технике и т.д,Известен способ выращивания мопокристаллов в вакууме путем расплавления торцазатравки и подачи на него порошкового сы- арья. Такой способ исключает возможностьполучения особо чистых монокристаллов изсырья технической чистоты,Цель изобретения состоит в повышениичистоты конечного продукта, Это достигается тем, что...

Номер патента: 683065

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Дубовицкий, Половинкина

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, ориентированных, разъемный, тигель

...И. Однако этот тигель не обеспечивает воспроизводимости структурного совершенства монокристаллов, так как пля каждой операции кристаллизации используется новая затравка.Кроме того, неопределенность пространственноя ориентациии затравочного кристал ла затрудняет выращивание монокрнстал 2лов зюпзцпой ориентации и точной геометррич ес к,1 й ф ч м м.Н лс 1 ц,306)гтеиия является повышениеструктурно о совера 1. яства моиокристаллов поср аством многократного использоваиия одной и той же затравки, управпения процессом затравливания и уменьщения напряжений при кристаллизации.Эго постигается тем, что разъемныйтигель цля выращивания ориентированныхмонокристаллов вертикальной направлеянвйкристаллизацией расплава на затравхевыполнен из...