Патенты с меткой «тиогаллата»

Способ получения монокристаллов тиогаллата серебра, aggas 2

Загрузка...

Номер патента: 1839796

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Скребнева, Шевырдяева

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46

Метки: aggas, монокристаллов, серебра, тиогаллата

1. Способ получения монокристаллов тиогаллата серебра, AgGaS 2, путем направленной кристаллизации расплава в запаянной ампуле, отличающийся тем, что, с целью получения более однородных и оптических прозрачных кристаллов без трещин и двойников, кристаллизацию ведут под давлением газа в ампуле выше 20 атм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что кристаллизацию ведут из расплава стехиометрического состава.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что кристаллизацию ведут из расплава с добавкой избытка Ag2S по отношению к стехиометрическому составу.

Способ получения монокристаллов тиогаллата ртути

Загрузка...

Номер патента: 1839797

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Рычик

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: монокристаллов, ртути, тиогаллата

Способ получения монокристаллов тиогаллата ртути HgGa 2S4 путем охлаждения расплава сульфидов исходных компонентов, взятых с избытком сульфида ртути, в ампуле с противодавлением, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и улучшения их оптической однородности за счет уменьшения дефектов структуры и включений примесных фаз, в расплав дополнительно вводят избыток серы при следующем соотношении компонентов, вес.%: Сульфид ртути 51,827-52,042Сульфид галлия 47,662-47,061 Сера 0,511-0,897а охлаждение ведут направленно путем вертикального опускания ампулы со скоростью 2-30 мм/сутки.

Способ получения монокристаллов тиогаллата серебра

Загрузка...

Номер патента: 1839799

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Скребнева, Троценко

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46

Метки: монокристаллов, серебра, тиогаллата

1. Способ получения монокристаллов тиогаллата серебра, включающий его синтез путем взаимодействия элементов при нагреве в горизонтально расположенной ампуле и последующую вертикальную направленную кристаллизацию в запаянной ампуле, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптической однородности кристаллов, уменьшения в них трещин и двойников, при синтезе к элементам добавляют индий в количестве 0,04-5 вес.%.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при синтезе элементы берут в стехиометрическом соотношении, соответствующем формуле AgGaS2.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что при синтезе к элементам добавляют избыток AgS2 по отношению к стехиометрии.