Патенты с меткой «монокристаллической»

Номер патента: 574392

Опубликовано: 30.09.1977

Авторы: Зорина, Пронкин

МПК: C01F 7/02

Метки: алюминия, монокристаллической, окиси, поликристаллической, растворения, спеченой

...Растворение наВески полпкрнсталлическоп окиси ал 5 омннп 5 проводят при температуре 280 в 3-С ь течение от 40 до 300 мин. Растворение наьески ыонокристаллической 0 елси а;)5055 пня проводят прп температуре 385"С ь тсчсн)5 с 12 ч.Дл 5 Изу)снн 5 ИроцсссОВ, пронсхо;),ящ)5 х В газоразрядной труокс из по;шкрнсгал;шчсской или ь)онокриста)г)ическои Окис) лОм)5- ния, которая применяется В нронзВОдстВО натриевых ламп высокого давления, необходимо растворение различной степени,П р и м ер 1, Растворение проводят прп оптимальной температуре 385 С В течение 40 мин, прп этом труока пз полкриса)55- ческой окиси алюминия раствор 55 стс) полностью - это неооходнмо для полного хиэшчсского анализа. Производя растворение при температуре 300"С и изменяя...

Номер патента: 976509

Опубликовано: 23.11.1982

Авторы: Воробьев, Пак, Розум

МПК: H05H 7/00

Метки: мишени, монокристаллической, ориентирования

...в плоскости, проходящей через ось вращения и ось пучка 6, 15 остается постоянным, Вид этой ориентационной зависимости й= У ( Ч) опреде-. ляется типом решетки кристалла и положением главных кристаллографических направлений относительно пучка заряженных частиц. Затем изменяют угол наклона 6 и вновь измеряют ориентационную зависимость выхода электромагнитного излучения М/6=Е(Ч), Для полной определенности необходимо измерить также ориентационные зависимости при вращении кристалла вокруг оси, перпендикулярной первой, то есть зависимости Пучок заряженных частиц с угловой расходимостью, удовлетворяющей условию каналирования, направляют на ориентированный кристалл-мишень с известным типом решетки по нормали к его поверхности, Затем, вращая...

Номер патента: 1013769

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Бурханов, Гамула, Ким, Куритнык, Несговоров, Оттенберг, Савицкий, Стаднык, Хайдаров

МПК: G01K 7/02

Метки: монокристаллической, проволоки

...сПособа получения и повышение стабиле ,ности метрологических характеристик проволоки.Указанная цель достигается тем, что проволоку протягивают в вакууме не ниже 6,65104 Па со скоростью 2 10 4- 4.10"м/с через зону, температура которой 2200 + 25 С, при этом используют проволоку, выполненную из сплава, содержашего следуюшие компоненты, вес.Ъ:Калий . 0,019-0,04Кремний 0,019-0;04Молибден ОстальноеПосле получения монокристаллической проволоки, она подвергалась 1микро- и рентгеноструктурному анализу.В табл. 1 приведены результаты анализа..Таблица 1 Качество термометрического материала Прликристаллическая,крупнозернистая структура Поликристаллическая структура с большимй, вытянутыми вдоль оси проволоки зернами Поликристаллическаяструктура...

Номер патента: 1341731

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Басай, Воробьев, Гриднев, Розум, Хлабутин

МПК: H05H 6/00

Метки: мишени, монокристаллической, ориентирования

...оси с шагом ьу(6 1/4 19 ир 9 гги РегистРиРовать Угловые распределения прошедших черезмишень электронов с угловым разрешением У1/2 1 р 9 , Реально этотдиапазон энергий составляет 0,515 МэВ.Толщина монокристаллической мише-.ни для этого диапазона определяетсявозможностью получения дискретногоанизотропного углового распределенияпрошедшего через мишень пучка электронов и составляет величину 0,520 мкм, Гониометрическое устройствопозволяет изменять угол наклона сТОЧНОСТЬЮ 6 Р1/4 УИрэггд . СИСТЕМарегистрации имеет угловое разрешениеживне меньше У /2 и позволяет досбр 9 ггятаточно быстро фиксировать угловыераспределения,Способ ориентирования осуществляется следующим образом,Монокристаллическую мишень, например, кремния, толщиной 2...

Номер патента: 1744690

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Иванов, Рандошкин, Тимошечкин, Чани

МПК: G02F 1/09

Метки: магнитооптическая, монокристаллической, пленки, подложки, способы, структура, феррит-граната

...же 850 и не выше 980 С.Примеры. Материалы подложки выращивались по методу Чохральского в газовой атмосфере азота или аргона.Шихта и режимы синтеза охарактери зованы в табл.1 й - скорость вращения затравкодержателя, 1 - скорость вытягивания монокристалла). Использован иридиевый тигель 3 с размерами 70 х 70 мм и толщиной 2 мм. Второй тигель 5 выполнен 40 из молибдена и имеет размеры 90 х 80 мм с толщиной стенок 8 мм. Материалом прокладки 4 служили оксиды огОЗ, УгОЗ, ЯсгОз в смеси, Толщина прокладки 4 составляла 0,8 - 2 мм, 45Из полученных монокристаллов вырезали подложки толщиной 0,6 - 0,6 мм, которые обрабатывали по стандартной технологии.Пленки феррита-граната выращивали 50 в соответствии с режимами, приведенными в табл.2, в которой...

Номер патента: 475075

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Гринченко, Добровинская, Литвинов, Пищик, Тучинский

МПК: C30B 15/34

Метки: вытягивания, монокристаллической, нити, расплава

...чертеже изображено предлагаемоеустройство, разрез.Оно состоит из тигля 1 с крышкой 2, вкоторой встроен формообразователь 3, состоящий из капиллярных трубок 4, смачиваемых расплавом. Нижние торцыкапиллярных трубок открываются в придонную область тигля, верхние выведены изкрышки. Трубки расположены так, что верхняя часть формообразователя имеет форму уменьшения времени заобразователь выполненров, верхняя часть котоконуса.2. Устроиствося тем. чточгл иляет 90 - 170.3. Устройство по и. 1с я тем, что крышка тигляцевой канавкой вокруг фоснабженной отверстием. конуса с углом при вершине 90-170, Вокруг формообразователя в крышке выполнена кольцевая канавка 5 с отверстиями 6. Над тиглем установлен кристаллодержатель 7 с затравкой 8...

Номер патента: 1496337

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Гогин, Матвеев, Рязанов, Таширов

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: магнитной, монокристаллической, пленки, феррит-гранатовой, шихта

Шихта для получения феррит-гранатовой магнитной монокристаллической пленки с одноосной магнитной анизотропией, содержащая оксид иттрия, карбонат кальция, оксид германия, оксид железа (III), оксид бора и оксид свинца, отличающаяся тем, что, с целью увеличения подвижности цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) и расширения температурной области совпадения коэффициента температурной зависимости напряженности поля коллапса ЦМД с коэффициентом температурной зависимости намагниченности насыщения феррита, в состав дополнительно вводят оксиды европия, туллия и галлия при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: