Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1279279
Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Стоян
Описание

Заявка
3780185/26, 01.08.1984
Донецкий физико-технический институт АН УССР
Браташевский Ю. А, Васильков В. М, Дорошенко Н. А, Ковалев Ю. Ю, Стоян А. С
МПК / Метки
МПК: C30B 13/10, C30B 29/40
Метки: insb, антимонида, висмутом, индия, кристаллов, легированного
Опубликовано: 20.11.2002
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1279279-sposob-polucheniya-kristallov-antimonida-indiya-insb-legirovannogo-vismutom.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом</a>
Предыдущий патент: Термопреобразователь для низких температур
Следующий патент: Приемник свч-излучения
Случайный патент: Двухходовой переключатель направления потока пневматически транспортируемого материала