Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом

Номер патента: 1279279

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Стоян

Описание

Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,6 1015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм/ч.

Заявка

3780185/26, 01.08.1984

Донецкий физико-технический институт АН УССР

Браташевский Ю. А, Васильков В. М, Дорошенко Н. А, Ковалев Ю. Ю, Стоян А. С

МПК / Метки

МПК: C30B 13/10, C30B 29/40

Метки: insb, антимонида, висмутом, индия, кристаллов, легированного

Опубликовано: 20.11.2002

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1279279-sposob-polucheniya-kristallov-antimonida-indiya-insb-legirovannogo-vismutom.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом</a>

Похожие патенты