Способ получения монокристаллов гамазова и устройство для его осуществления
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1825537
Автор: Гамазов
Описание

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью стабилизации положения фронта кристаллизации, при кристаллизации соединений, не содержащих летучих компонентов, скорость опускания кристалла устанавливают по изменению мощности, подводимой к двухслойному спиральному электронагревателю.
3. Устройство для получения монокристаллов, включающее рабочую камеру, помещенный в нагреватель кристаллизационный сосуд, соединенный с механизмом опускания, обогреваемые сосуды для испарения летучих компонентов с трубопроводами для подачи пара в раствор-расплав, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности процесса, однородности и структурного совершенства кристаллов, кристаллизационный сосуд снабжен емкостью для подпитки, соединенной с рабочей камерой капилляром и разделенной на N емкостей, имеющих в дне патрубки с двухсторонними клапанами и стенку по периметру, образующую рабочую полость, соединенную трубопроводом с сосудами для испарения летучих компонентов, в которой размещен двухслойный спиральный электронагреватель с токовводами, проходящими через газоотводные трубки.
4. Устройство по п.3, отличающееся тем, что сосуды для испарения летучих компонентов имеют открытую снизу коаксиальную полость, в которой размещен внутренний электрод, образующий с наружным электродом цилиндрический конденсатор датчика расходомера, управляющего опусканием кристалла.
5. Устройство по пп.3 и 4, отличающееся тем, что кристаллизационный сосуд выполнен разборным и состоит из трубчатого цилиндра, соединенного с теплоотводящим стержнем, торец которого выполняет роль дна и имеет цилиндрическое углубление с диаметрально проходящим пазом трапецеидального сечения с двумя задвижками аналогичного профиля для крепления затравочного кристалла в форме круглой пластины, причем теплопроводность теплоотводящего стержня соответствует теплопроводности кристаллизуемого вещества, а его длина l - соотношению

6. Устройство по пп.3, 4 и 5, отличающееся тем, что, с целью получения профилированных кристаллов или лент, трубопровод для подачи пара проходит через емкость для загрузки легкоплавких компонентов, а нижняя кромка стенки рабочей полости выполнена по форме сечения кристалла или ленты и имеет с внутренней стороны конусность, направленную наружу.
Заявка
4322914/26, 24.09.1987
Кубанский государственный университет
Гамазов А. А
МПК / Метки
МПК: C30B 11/06, C30B 29/40
Метки: гамазова, монокристаллов
Опубликовано: 27.01.2003
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1825537-sposob-polucheniya-monokristallov-gamazova-i-ustrojjstvo-dlya-ego-osushhestvleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения монокристаллов гамазова и устройство для его осуществления</a>
Предыдущий патент: Производные 2-тиазолидинкарбоновой кислоты, содержащие ферроценильное ядро, в качестве стабилизаторов центров скрытого изображения голографических материалов
Следующий патент: Фоточувствительная матричная схема для формирования цветного телевизионного изображения
Случайный патент: Механизм прижима