C30B 13/10 — с добавлением легирующего материала
Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом
Номер патента: 1279279
Опубликовано: 20.11.2002
Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Стоян
МПК: C30B 13/10, C30B 29/40
Метки: insb, антимонида, висмутом, индия, кристаллов, легированного
Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,6 1015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм/ч.