Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом вернейля

Номер патента: 248637

Опубликовано: 15.06.1985

Авторы: Либин, Носоновский, Пищик

МПК: B01J 29/16, C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, методу, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...ся от известного тем, что основная и дополнительная горелки расположены так, что их факелы направлены в ра- бочее пространство печи.Это позволяет уменьшить градиент 26 температур в осевом и радиальном направлениях монокристалла.На чертеже изображено предложенное устройство.25Оно содержит питатель 1 порошка с вводом 2 кислорода и основную горелку, состоящую из центральной трубки 3 с соплом 4,. трубы 5 с соплом 6 и вводом 7 кислорода, трубы 8 с соплом 9 и вводом 10 водорода, Устройство также включает дополнительную горелку, состоящую из трубы 11 с соплом 12 и вводом 13 гаэообразного топлива, печь, состоящую из корундового цилиндрического стакана 14,шамотной изоляции 15, легковеснойтеплоизоляции 16, металлическогокожуха 17 и...

Номер патента: 283983

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вакуленко, Либин, Носоновский

МПК: C30B 11/10

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...винтом 28.Все узлы и детали установки жестко закреплены на станине.Устройство работает следующим образом,Перед окончанием выращивания включают дополнительную горелку 1 б, факел которой омывает пространство между наружной поверхностью стакана 12 и внутренними поверхностями огнеупорных половин - полумуфелями 10 и 11. При нагревании стакана до температуры порядка 1800 в 18 С и по окончании выращивания монокристалла в ростовом блоке несколько снижают температуру основного факела. Затем подвижные полумуфели ростового блока 7 и одного из отяиговых блоков 11 перемещают по направляющим 9 и 15 в положение, необходимое для перемещения готового кристалла в вертикальной плоскости. Стакан при помощи подъемного приспособления 13 приподнимают в...

Номер патента: 283188

Опубликовано: 25.11.1977

Авторы: Багдасаров, Ильин, Седаков, Федоров, Хаимов-Мальков

МПК: B01J 17/08

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...без дополнительного отжима. б 10 ормула изобретен Способ выращивания монокристалло гоплавких окислов направленной кр ллиэацией расплава в молибденовом Изобретение может быть использовано преимущественно для получения монокристаллических пластин корунда.Известен способ выращивания монокристаллов тугоплавких окислов направленной кристаллизацией расплава в молибденовом контейнере,Предложенный способ отличается осуществлением зонной плавки в лодочке вусловиях остаточного дазвления газовойсреды над расплавом 10 , - 5 10ммрт .ст. при соотношении поверхности иобъема расплава не менее 1 -см", скорости перемещения фронта кристаллизации 8-10 мм/ч и осевом температурномградиенте на фронте кристаллизации неболев 1 ф С/мм.Проведение...

Номер патента: 1397555

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Аврутик, Алексиев, Атларски, Бончев, Бородин, Велков, Георгиев, Караризов, Козин, Курлов, Латев, Медко, Миха, Морев, Осипян, Редькин, Россоленко, Столяров, Татарченко, Топчийски, Трифонов, Шишков, Шопова, Яловец

МПК: C30B 15/00, C30B 15/30

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, расплава, тугоплавких

...37 на вал 38. На валу выполнены шпицевые пазы 39 для скольжения шестерни 40, находящейся в зацеплении с шестерней 41, жестко укрепленной на штоке. Полукольцо 42 соединяет верхние торцы вертикальных перегородок. Герметичная полость 43 непосредственно примыкает к датчику 44, имеющему тягу 45. Уплотнение 46 герметизирует полость весового датчика и штока, Штуцеры 47 и 48 служат для ввода и вывода воды.Установка действует следующим образом.Через индуктор, штоки и систему охлаждения камеры пропускают охлаждающую воду. Подают высокочастотное напряжение на индуктор 12, Увеличивают напряжения до расплавления загрузки н тигле 9. Расцепляют электромагнитную муфту 24 с винтом 18, Включают электродвигатель 29 ускоренного перемещения затравки,...

Номер патента: 1031256

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Богдасаров, Елисеев, Емельянов, Ильин, Резников, Старостин, Суходольский, Федоров

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...перемещения в полости нагревателя, токоподводы в верхней части снабжены сухарями и скобами, последовательно охва.тывающими друг друга, образуя гнездо для крепления клина и конца нагревателя, и виполненными в средней части с выемками, в которой установлены сухари между клиньями и концами нагревателя, а нижние полувитки нагревателя расположени в два ряда в шахматном порядке.55 вид нагревателя с токоиодводами ваксонометрии.Устройство содержит камеру, в которой размещены экраны 1, Внутриэкранов неподвижно установлен прутковый нагреватель сопротивления,нитки которого образованы верхними 2 инижними 3 полувитками,причем нижниеполувитки расположены в два ряда вшахматном порядке, а концы 4 нагревателя соединены с токопроводами...