Вейцар
Способ выращивания нитевидных монокристаллов карбида кремния
Номер патента: 384208
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Вейцар, Инастраи, Иностранна, Клод, Швейцари, Якоб
МПК: C30B 29/36, C30B 29/62
Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов, нитевидных
...О Применяемый раствор имеет концентрацию 0,01 - 2 г железа на 100 г растворителя; время погружения варьируется от 0,5 до 5 мин, После нанесения раствора подлояки супоат для,вьспаривания растворителя и помещают в 15 реакционный объем.Реакпор состотст из водоохл аждае ма гостального кожуха, футерованното муллитом и графитовыми плитами, напревательньсм элементом является графитовый стержень. Под ложечки располагают по вертикали на расстоянии 5 см друг от друта; на каждую подложку наносят элементарный кремний или ЯОг и уголь. Молярное отношение ЯОг, С составляет от 1:1 до 1:10. Уголь полностью или частич но может быть з,амещен газообразными углеводородами (метан, этан, горопаи), Реактор наполняют водородом или смесью из Нг и аргона и...