Фонд вноертш

Номер патента: 1045313

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Шабанов, Шенгуров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, проводимости, слоев, структур, типа

...цншии компоцецтцв, мсГ.(Г:П.)явиковая к 31 слОтс 2,0-;Вода Остальцое а тип проводимости ццредслякт из соотццшеия линейных размеров образовавшихся ямок, причем меньшие размеры ямок соотвлствуют слоям р-типы, ы большие п-типа.На фиг. 1 приведена диаграммы, цокызыБаюшд 51 ОГряничеци 51 15)смени т")ЯБ 1 ец 3)я. П,101 НОСТИ ТЦКЯ И КЦЦЦ(сЦТРЯЦИИ 1)пасЗИКОВЦИ кислоты цри рса,тизации изобрстеция; цы фи 2 х 3 крсс)цтц рафия ск(кы эпитыксиалыкй л руктуры р-и-п тица Ны фи. 3 м и к р О ф ц т 0 Г 1) я ф и и я м ц к т р а Б, ) с ц и я д Г 1 я п,1 ы стин с рызг)ичный т)Г 1 цм прцвц,ихО(ти рызц удсльцым сспрц)3 Гзг)сиисм.На фиг. 1 осизцачсно: область 1 фцрми- Г)овация коричневой пленки цы ццвсрхцост; скоса, которая це позволяет цаблкдать ях)к 1,...

Номер патента: 1827694

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Никулов

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, кремния, слоев, структур, эпитаксиальных

...р,- р- области,приложенный к и+и области положительныйпотенциал относительно катода оказывается более низким по сравнению с потенциалом рр+,г р",;" р - области, Это приводит ктому, что во время проявления шлифа и-область структуры не изменяет окраску, а и+область окраску цвета изменяет вследствиеболее легкой окисляемости.Таким образом после проявления шлифа окрашенными являются и", р, р+ рслои. Неокрашенными остаются и-, р слои. Соседствующие р и р -слои имеютразличную окраску и могут быть измереныраздольно.Время выдержки структуры в растворебез подачи напряжения, равное 1 - 3 с,берется минимальным, поскольку естественный окисел, толщина которого не более50 А стравливается практически мгновенно.Нижний предел электрического напряжения...

Номер патента: 789613

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Бадьялов, Буткарев, Власихин, Дегодя, Дюльдин, Еремин, Кузнецов, Майзель, Худорожков, Шаврин

МПК: C22B 1/14

Метки: окатышей, слоя, структуры, формирования

...должно быть не менее 92- 98. Меньшее содержание окатышей данного класса обусловливает попадание значительного количества окатышей мелких Фракций в просветы между крупными и, как следствие. пороэность слоя уменьшается. Это приводит к увеличению выхода класса 1 мм при барабанном испытании готовой продукции на истирание до 9-10%, а также к увеличению аэродинамического сопротивления обжиговых тележек и поэтому является недопустимым. Получение ока тыщей класса 0,040-0,052 мм/мм высот слоя свыше 98 на современных окомко вателях невозможно.При высоте слоя до 0,3 м/м его поперечного сечения крупность 92-98 окатьыей должна быть не менее0,040 мм/мм высоты слоя, Повышение высоты слоя свьые 0,3 м/м.сопровох- дается существенным увеличением его...

Номер патента: 1767582

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Миттенберг, Пашкова, Прохоров, Шаталов

МПК: H01L 21/66

Метки: кремниевых, слоя, структур, толщины, эпитаксиального

...превышающую значение В//1 да, где а - угол разориентации пластины; ЧЧ - толщина эпитаксиального слоя, определенная по максимальной скорости роста, проводят анизотропное травление через полученную маску до появления на профиле травления плоской части параллельной поверхности эпитаксиального слоя, удаляют маску, а затем по высоте ступени между поверхностью эпитаксиального слоя и плоской частью профиля травления определяют толщину эпитаксиального слоя.В некоторых случаях целесообразно вскрывать окно в виде полос, перпендикулярных базовому срезу структуры, причем ширина полос должна превышать значение Ю/тда. Способ основан на том, что эпитаксиальные слои выращиваются на подложках,имеющих отклонение от плоскости (111) на4 или 8 по...

Номер патента: 1819068

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Поборцев, Солонинко, Чарушкина, Чигирь

МПК: H01L 21/66

Метки: дефектов, кремниевых, нижних, оптического, слоев, структур

...СС 14 в течение 5 мин.В результате указанных операций травления на поверхности кристалла образовывался микрорельеф, представляющий собой ямки и бугорки травления и т.н, "Спейсеры", образующиеся по периметру шин металлизации. Средняя величина непланарности составляла 0,70+0,12 мкм, Оценка глубины ямок травления и высоты "спейсеров" и бугорков проводилась на растровом электронном микроскопе типа 1 БМ.После удаления пассивирующего слоя ислоя верхней металлизации проводился контроль дефектов нижнего слоя поликремниевой разводки по способу-прототипу, однако, из-за наличия микрорельефа на поверхности ИМС минимальный размер элементов, доступных для контроля, составлял 5,0 мкм, Затем поверхность кристалла тщательно очищалась на установке...