394457

Номер патента: 1645796

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Андреев, Бажанова, Барсук, Берго, Блинов, Загребина, Ковынев, Мирошниченко

МПК: F25J 3/02

Метки: более, гелия, одновременного, тяжелых, углеводородов, этана

...второй гелиевой колонны (не показана), затем дросселируют до 3,9 МПа и подают на отпарку растворенного о жидкости гелия е колонну 13, Отсюда обогащенный гелием газ(10 от сырьевого потока) направляют на дальнейшее концентрирование, а жидкую фазу разделяю нэ дна потока, Одну часть (93 - 95%) жидкой фазы колонны 13 дросселируют до 3,8 МПа и частично испаряю 1 в теплообменнике 4 е диапазоне температур 179 - 191 К, после чего смесь разделяют в сепараторе 11, Жидкости сепараторов 10 и 11, о которых концентрации зтанапропана возросли более чем в 4 и 7 раз соотнетстоенно, после дросселирования и смешения при давлении 1,85 МПа понти полностью испаряют в диапазон: температур 177 - 238 К в теплообменниках б и 3 для конденсации и переохлаждения...

Номер патента: 700442

Опубликовано: 30.11.1979

Авторы: Варужанян, Оганесян

МПК: C01B 33/12

Метки: кварца, кристаллического

...обработка (до 6 ч) и введение К 22 СОз в больших количествах. Прнэтом кремнезем получают в двух модификациях а-кварца и тридимида. При высокой температуре (810 С) процесс успешнозаканчивается за 1 ч при меньшем количестве Х 22 СОз, Целевой продукт получаетсяв этом случае в 3-х модификациях, т. с. ввиде и-кварца, тридимида и кристоба Иг 1.Наиболее оптимальные условия процесса,обеспечивающие 100%-ный выход продукта, соответствуют следующим: температура - 600 С, давление - 8 атм, время -2 ч, ЯО 2. И 22 СОз = 1: 0,01.Предложенный способ позволяет увеличить производительность процесса ооразования кристаллического кварца до300 г/л ч благодаря увеличению количества загрузки в единице объема за счетпредварительного брикетирования...

Номер патента: 1790762

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Гриднев, Попов, Шувалов

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов, зарядом, известным, концентрации, кристаллах, сегнетоэлектрических, точечных

...потенциала по четным степеням поляризации;К - корреляционная постоянная.Предлагаемый способ основан на ис" пользовании различного характера движения сегнетоэлектрических доменных границ, взаимодействующих с точечными дефектами кристаллической решетКи, в электрических полях различной амплитуды В слабых полях, меньших, чем пороговое поле Е, происходит малое упругое смещение доменных границ относительно закрепленных точечных дефектов, т.е. их небольшой прогиб между ближайшими точками закрепления. В этом случае наблюдается слабая зависимость ерш от амплитуды электрического поля, В полях, боль" ших, чем Е, отдельные изогнутые участки доменных границ отрываются от закрепляющих тбчечных дефектов, затем начинается лавинообразное...

Номер патента: 870981

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Богомазов, Литвинов

МПК: G01K 11/12, G01K 11/20, G01K 17/00

Метки: аэродинамической, вакуумной, действия, исследования, криогенного, модели, периодического, поверхности, преимущественно, распределения, температуры, типа, трубе

...хранящимся в емкости 6, включают возбудитель свечения8 термоицдикаторного покрытия, подаютрабочий газ в соппо 2, воздсйствуют намодель в течение 3-10 с потоком газа,истекающего из сопла 2 с заданной скоростью и температурой, одновременно аппаратурой 9 регистрируют распределениетемпературы по интенсивности свечениятсрмоиндикаторного покрытия, после чего модель 3 нагревают до температурыиспарения остатков покрытия, а далеевгкп повторяют при новых заданных режимах обтекания модели 3, не извлекаямодель иэ вакуумной трубы и не останавпивая ее.При осуществлении способа в качестветермоицдикаторных веществ используютазот, углекислый газ и другие газы, име- Оющие низкую температуру плавления конденсата в диапазоне температуре 60-20 СРК,что...

Номер патента: 1031293

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Галяутдинов, Саинов, Хайбуллин, Штырков

МПК: G01J 5/50

Метки: импульсном, кристалла, нагреве, температуры

...воспроизнодимость измеряемой температуры, Цель изобретения - повышение точности и быстродействия способа.Поставленная цель достигается тем, что в способе определения температуры кристалла при импульсном нагреве путем регистрации изменения температурно-зависимого параметра кристалла под действием импульсного нагрева и сравнения с зависимостью изменения этого параметра при непрерывном нагреве 5 10 кристалл облучают пучком электронов с энергией 30 в 1 кэВ и регистрируют изменение интенсивности одного из рефлексов элект 15 ронно-дифракционной картины наотражение.На Фиг, 1 дана схема устройствадля реализации предлагаемого способа, на фиг, 2 приведен график зависимости интенсивности рефлексаб 20 от температуры для монокристалла кр":мния на...