394457
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 394457
Текст
ОП И С А Н И ЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВХ Союз Советсккх Социелнстических Республик;3 цпс ИаОС ОП 3с )идеС, стт)ВдяцлсО 30.11.97 (Л% 653 2,23-26) Кл. С 22100 01)ИСГ)СДИСц 1 З 3 КИ ЛЕ Гоотдаротвеииый комитеСовета Миииотров СССРпо делам нооор текийоткрытии Проори.публкоцдп) 22.Ъ 11.973. й л,с сць Ло 34 У,1 К 669.046.4:548.,5)26 (088,8)Дата Оп блцковдппя Опис яцп 11.Х 11.1973 сцт орызоорстсп, А, Жуховицкий, О. С. Нсчдев, М, Л. Ьсрцштс А. В. Омельчецко Вид меци Московский ордена Трудового Красн институт стали и сплавов дяц" сл,ПОСОБ У НИЯ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛ Эффекти 3 цосленя дефскто иредложециого способа удаопределяется действием более Ринамической силы (1=- - 1 пЕ. ысокой термо 11 зцсстсц спп)соо удаления дефектов ц кристаллх иолуироводнцковых материалов твердых рстворов на основе соединений, напри- мсР )и.3:, ЛпоЯео, напРавленный на УДаление дсидритиои структуры, заключающиися в том, что кристаллы помещают в камеру с инертным газом под давлением 200 - 800 ст, нагревают до высокой температуры (450700 С), цыдсржцвдот при этой температурс в течение 60 - 70 час и ОхлждяОт до исходной тсмпсрдТт РЫ,Известный спосос) ис обеспечивает заметного уменьшения плотности дефектов кристалла дСгосаций, иор и т. п,)Цсльк) данного изобретения является создание спосооа. позволяющего достш нуть более глубокой степенидалсция дефектов тип иор, дислокаций и т. и.Поставленная цель достигается тем, что цагревание, выдержку и охлаждение повторяют периодически более двух раз при давлешш 10 - 10" аг, причем нагрев ведут до температуры 0,8 - 0,9 Т пл 1 кристалла, д охлаждение- до тсопсратмры 0,4 - 0,7 Т пл К кр псталл д. Где СС - рд 3 цоце 1 с КОН- с",ццтряцИИ 3 СИСИ и КрпстЛЛС Ирп тс Мпердурах нагрев 1=0,8 - 0,9 ТилК и То=-0,4 - 0,7 Т пл К соответственно, 1. расстояние МСЖДМ ВДКДИСПОИПЫ)И ПСТОЦПКДМИ И СТОК 1. ми), возникающей ири тсраОцшлиро 3 и 3 и, ПО СраВПсцИЮ с терМОдпнМНЧЕСКОй СИЛОЙ Прп : зотероическс)1 От)киге 1 - 1 пг Где с. . РВПОВЕСИДЯ СОНЦЕЦтРДЦИЯ ВаКацсий около дефект при ,), д также избирдтельной рботой цдкднсионпых источников и стоков ц услоциях термоциклирования ири 13 ЫСОКО) ДДЦССИИИ -- ПРСИММЩССТВЕ 13 ИО С уменьшением общего обьем кристалла, приводящей к сискдиию дефектов решетки.Г 1 ример 1. В стандартной камере для соцдпия высоких ддвлсций ншример, в мультипликаторе тип поршень - цилядр с бензином) с давлением 1 Оо пт периодически пагрсвают и охлаждают кристалл цицкд от=620 К до Т =500 К со скоростью0 град/ Продолжительцость выдержки кристаллов при температурах Т иТ составляет 10 и 30 . соответственно. В результагс трехкратного термоцшслирования плот:ость дислокдций в кристаллах, определяемая по ямкдм травления, умецьшдется цд тричетыре порядка до величины 104 - . 1 О смПример 2. То 2 ке, что в примере 1, (и; для кадмия Т 1 =560 К, Т 2=450 К.Предмет изобретения1. Способ удаления дефектов в кристаллах, например, металлов, нагреванием их до высокой температуры, выдерикой при этой температуре и последующим охлаждение 1 в каме 1( и лгв,спи(.21, 02.ги(1(гггс".г гся 1, 11, целно 1 ост)ксив)1 болсс глукой стоянии )(дллсии 51:1 сфсктоз, и Гревиис, Выдсрхккт и охлахкдсиис повторяюг периодически оолсе ;1 вух раз при давг(си 1 и 10 - 10 пт.2. Способ ио и. 1, от)222 гаогцтгс)г гсм, чт иагрсва:ис всдут ло смпсратуры 0,8- - 0,9 Т пл"1 кристл(111 хеЯкдсиие - ,1 темпера. т( ря О,- 0,7 Т 11,К кр 11 ста(1)11Сос)ии)ель и, ШейченкоЯор)и ктор Л. Ор)овяР(иктор К. Шяняуровя (род Л. Богдяов( ч к579 1)ол. Ле 184,1 1 ирЯк 63) 1 О)(и ЦПППП 1 1 осудЯрстосииого кокитстк Совств Мииис(рои СССР
СмотретьЗаявка
1653112
МПК / Метки
МПК: C30B 29/02, C30B 33/02
Метки: 394457
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-394457-394457.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">394457</a>
Предыдущий патент: 394456
Следующий патент: Электролит для электролитического кадмирования
Случайный патент: Устройство для рафинирования металлов