Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов

Номер патента: 391847

Авторы: Петров, Титова

ZIP архив

Текст

О:сл.;-,Т 1: 1 1 и1 " т;,ба иб 1 б ОПИСАКИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 391847 Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 21,Х,1970 ( 1600632/23-26) 17/04д 49/О сударственныи кемитеавета Министрав СССРе делам изобретенийи еткрытий иоритетубликовано 27,Л.1973. етень32 546.72366;5455 (088.8) та опубликования описания 13.Х 11.1 Авторыизобретени А, Г. Титова и Петро Заявител ВЪРАЩИВАНИЯ фЕРРИТОВЫХМОНОКРИСТАЛЛОВ ШИХТ дмет изобретения ия ферритовых моиттриевого ферроиз раствора в раси свинца и фторися тем, что с целью сти насьпцсния фери экой линии ферв исходную шихтуследующем соотно- % ФОз 619 - 618 з 0,94 - 1,26; РЬО 44,79,присоединением заявки Ъ Изобретение относится к области химической технологии и касается получения магнитных монокристаллических материалов,Известна шихта для получения монокристаллов с намагниченностью насыщения 51750 гс.Однако для создания ограничителей мощности с малым уровнем ограничения требуются монокристаллы с более высоким, чем уиттрийжелезного граната значением намагниченности насыщения при сохранении узкойлинии ферромагнитного резонанса.Цель изобретения - разработка составадля выращивания монокристаллов с общейформулой аз.е 5,5 с,Ог (при х не более 0,7), 15обладающих повышенной намагниченностьюнасыщения, узкой линией ферромагнитногорезонанса и высоким удельным электросопротивлением,Это достигается тем, что в исходную шихту 20вводят окись скандия при следующем соотчошении компонентов, вес. %: гОз 6,19 - 6,18;ГегОз 13,48 - 13,12; 5 сгОз 0,94 - 1,26; РЬО34,63 - 34,65; РЬГг 44,76 - 44,79.П р и м е р. Шихту, содержащую, г: зргОз 2513,55; ГегОз 28,74; ЯсгОз 2,76; РЬО 75,89;РЬГг 98,08, перемешивают путем вибропомола, загружают в платиновый тигель емкостью 160 см, закрывают платиновой крышкой и помещают в печь для выращивания монокристаллов. Печь нагревают до 1300 С со скоростью по 150/час, с выдержкой при 1300 С в течение 10 час. Раствор - расплав охлаждают до 1250 С со скоростью 5 С/час, до 1200 С 1/час, до 1050 С 0,5/час, до 950 С 1,5/час, а затем вместе с выключенной печью,Отделение кристаллов от застывшего расплава производят путем длительного кипячения в водном растворе азотной кислоты. Шихта для выращиван нокристаллов на основе граната кристаллизацией сплаве в присутствии оки стого свинца, отличающая увеличения намагниченно рогранатов при сохранен ромагнитного резонанса, вводят окись скандия при шении компонентов, вес.1 егОз 13,48 - 13,12; ЯсгО 34,63 - 34,65 Р Ь Рг 44,76 -

Смотреть

Заявка

1600632

А. Г. Титова, Р. А. Петров

МПК / Метки

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, ферритовых, шихта

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-391847-shikhta-dlya-vyrashhivaniya-ferritovykh-monokristallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Шихта для выращивания ферритовых монокристаллов</a>

Похожие патенты