Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
32)3 с.3 Ос от двт. ОВ:)детеьства ЪЗ)5)В:)О 09.Х 11.19711726137/н)шсое;.)Нсц:с 3 351 Вк Ло --11 рцор)тст г. В О 1 17 18 сударственнй камите авета Министраа ССС аа делам изааретений УДК 669.046-172:546.) 088.8).1973. )юлгСТОН), М 6 ЦМОГКО 3)1") 2) )2 и атк ыти 21 Т д 0 1 м О ;110)1)О11.51 4 . 1 .9 )Л вторы 11;)) С) ЦЦ Е, Березенко и К. Л. Мисюра Н, И. Блецкан,яс ) СОБ ПОЛУЧЕНИЯ БЕЗДИСЛОКАЦИОННЬ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ 51 О Е 3 Д)1ОК Д- лупроводнцко;) 1 охр дл ьс ком у, 51 ВЫРЯП 1)ВД)лТ тром, ме:пп;м цвяют )поск,)й Инвестые с, Осооы п 03130 ля)01 13 ьводи 1 ь лислокацин ца по 3 ерхцость растуц 2 его мо;окрцстяля ц 1 цачяльцои стадии его ростя, -")т) условие является необходимым, цо цедост;1- точным для тстои)1 ВОЙ 30 епро;3 ВО 1;1 мостц бездислокаццоццых моцокрцсталлоц с учетом особенностей цх роста в различных крцсталлографических направлениях. Так, например, при выращивании монокристалло 3 в направлении 1110, в которых имеется группа плоскостей (111), параллельных оси выращивацпя, под действием термических,напряженнй легко происходит заронсдение и размножение дислокаций ца цх коццческой и цпиндрической ЧДСТ 51 Х. П:) с:Зобр тецц ЕЦЦЯ ОЕЗДИС,10МЦН 5 ВЫТЯГПВ С.ею,оо полу криста,пов к 30 цд по Т 1 охрял моцокрцстд,пд Зд здт 3 В)и, н Т 51 ГИ ВД;)п 51 П,1 О ОТ.22 П22222202 нных моноЦЗ Р 1 СПЛЯем учдсткд цм дцямстроиссе выа 1)цзяццбеспечен;я капп нцех НВДП меныВ Пкрис ЛЯО кому с выряц 1)метром,ПОДДЕРЖДЦИЕ кого фронт т; о. с цеЦель изоб условий, обе бездислокаци в цаправлени создание теплоых х устойчивый рост кристаллов кремния 30СТЕНИ 51печивающнных мот11101. м,:т 1 Зобретгцие Относится к метяллургцц .10ПР О ВОДИ и КС и.Известны способы получецицпоццых моцокристаллов повытягввяц;ем из расплава,пов которых после затравливНиучасток мо:окрцсталла с диамедиасегрд затравки, ц поддержфЭОЦТ КРНСТЯЛ;1 ИЗДЦ)М 1. Д,51 ЗОГО Ц 15 П) ВЬРЩ 16 ВЦИЦ ОЕЗД 1 Ь,ОКЦЦОЦ)ЫХ МЬОХРСТ 1,1,1 ОВ У 1 ЯЗЯЦНОЙ ОРНЕПТ 3 ЦИЦ Ве,тцчпну О;свого температурного градиенпга В твердоц фдз поддерживают не больше 50 С,с.)2. Пр Ятом предотврягцяется 3:рождсцне делокц:111, В сВязц с чю уВеличцвяется прд)3)одцте ь;Ость процесс.П рм Г р 10 НОкзнстдллэ креъИпя, Орне 3. т;ровнные В прдвлеццц 1101, Вырщцвяют цз рсцлВпО С 10 хрдг скому с нспос) Зов- пнем теплово Опс)ем 1, сост 051 цей цз нагревателя -- :опрот)влецпя цилиндрической формы Высотоц 118 лл; дцдметром 140 лл, пяти )Око 3 х ц дмх пото,очц.х зк 132)НОВ 3 споло)ксццых ц;1 )ысоте 50 ц 100 32,) От нове)3 хцйсгц р;)сл 3). Скорость Вьтя 11 гв 1 ни 5 Н 1)п )ыр 1 щю)дц 3 Оцохр:ст,г 013 ддметром 35 лл линейно 133 е)51 От От 1,0 ЛО 1,0 .).)/)я, Вь 1 ход оезд;) елок ццоц:)и; м Оцокри тллоц состцляет 8)",Ь,396124 Составнтель С. Полякова Тск 1 ед Л. Грачева Корректор Е, Хмеева Редактор К. Вейсбейи Заказ 6507 Изд. М 924 ТП 1)агк 678 ЦНИИПИ Государственного котПтег Совсга Мпннстров СССР по де;ав ИообретегП 1 и открытн 1 Москва, Ж, Раугпокая наб., д, 4/5 Оба. тип. КостОмскоГО управенпЯ нздатег 1 ьств, ногГрафнп и кпнткной торГовлибездислокапионного роста моцокристаллов в направлении 110, величину осевого температурного градиента в твердой фазе поддерживают не больше 50 С/см.
СмотретьЗаявка
1726137
Н. И. Блецкан, Л. Е. Березенко, К. А. Мисюра
МПК / Метки
МПК: C30B 15/00, C30B 29/06
Метки: бездислокационных, кремния, монокристаллов
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-396124-sposob-polucheniya-bezdislokacionnykh-monokristallov-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния</a>
Машина для циклических испытаний образцов металла на растяжение
Номер патента: 89432
Опубликовано: 01.01.1950
Автор: Яров
Метки: испытаний, металла, образцов, растяжение, циклических
...воздуха, поступаю;него для охлаждения образца, и скорость Охла)кдеция реГулируются Открытием Вент 1 Ля 1 це показанного ца чертеже).Регулировка скорости нагрева образца достигается следующим образом: температура в электропечи задается и поддерЖивается вышезаданной температуры образца. При пере)мещеции кожуха О в крайнее заднее положение доступ сжатого воздуха прекращается и образец воспринимает тепло электропечи, и чем больше разница между температурой в полости электропечи и температурой образца, тем быстрее образец прогревается до задаццой температуры.ПЕрЕГрЕВ Обраэца 1 ИСКЛЮс 12 ЕТС 51, ТВК КЯК ПрИ ПОВЫШЕНИИ ТЕМПЕраТ 5 рЫ Ооразцс 1 ВыцЕ ЗадаНОЙ, КОНТВКТНЬ 1 й ГазЬВВНОМЕтр 19 (фиг. 2) Вклк)чит элсктродВИГатель 20, прВодяши В дВижение...
Шунтирующее устройство преимущественно для интегральных схем с планарными выводами
Номер патента: 820637
Опубликовано: 30.06.1982
Авторы: Лебедев, Липилин, Меркулов, Новиков
МПК: H05F 3/00
Метки: выводами, интегральных, планарными, преимущественно, схем, шунтирующее
...стенок шунта выполнен канал, в который входит фланец носнтеля, образуя жесткое соединение 12.5 Недостатком данного технического ре.щения является то, что устройство состоит из двух различных по конфигурации деталей, для изготовления которых необходима сложная и точная технологическая осО пастка.3нарпыми выводами, содержащем крышкуи основание с элементами фиксации,крышка и основание выполнены 1 -образной формы, фланцы которых служатдля размеценпя выводов интегральной 5схемы, причем крышка и основание снабжены двумя элемецтамп фиксации Г-образной формы, расположенными ца торцорых поверхностях фланцев.На фпг. 1 показано предлагаемое шунтирующес устройство; на фиг, 2 - то же,общий вид.Шунтирующее устройство содержит основание 1 и крышку...
Устройство для резки стеклянных изделий
Номер патента: 404787
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Сковский
МПК: C03B 33/10
Метки: резки, стеклянных
...ушки 7, го рычаг 9 входит в паз 4, резец тся к трубке 12, которую в это от, и на трубку 12 наносят лиажено п Предмет изобретен 15 Устройство для рсодержащее резец,рующий механизм,целью получениякруглых изделий, оп20 виде У-образной пллены шарнирно соеодного из которых СТРОЙСТВО ДЛЯ РЕ Известно устройство для резки стеклянных изделий, содержащее резец, опорный элемент и фиксирующий механизм,Цель изобретения - получение качественной линии реза круглых изделий.Это достигается тем, что опорный элемент выполнен в виде У-образной пластины, на которой закреплены шарнирно соединенные рычаги, на конце одного цз которых установлен резец,На чертеже схематически изобр редлагаемое устройство.Устройство для резки стекла содержит направляющую 1, по...
Электроконтактная установка длятермообработки и правки прокатныхизделий в вакууме1. 9
Номер патента: 432207
Опубликовано: 15.06.1974
Авторы: Козинец, Миропольский, Палей, Паукова, Сосновский, Фейглин, Хейфец, Янковский
Метки: вакууме1, длятермообработки, правки, прокатныхизделий, электроконтактная
...к ня тс 1) мсобрябатывяех.е излслия 9 подастся через токополволы 28, выполнеццые в штангах с захватами 15. Для натяжения Двух изделий от одного цриволд натяжения 14 штанГП с Захвата:ц ссецнсны Осщсй трдвсрсой 29.Барабан 10 размещается нд эстакаде 1.11 еиодвижц,с зажимы 12 кяжлой позиции ,стяцявливдются иссрелствсм Пазов 28 ц солтан 24 на Длину той пары излслий, которая крепится в данной позиции. Зятем В пятроцы 22омсщаются концы излелий 9. После окоц 1 анця 32 Грузкц бя)20 яня Оц полается В камеру 2 загрузки через открыт,п вакуумный здтвор 4,Вакуумный затвор 4 здкрывдется и в камере загрузки создается необхолцмый вакуум. При Достижении в камере загрузки залдццого вакуума открывается вдкуумньш затвор 5, ц барабан 10 с изделиями...
Способ получения корня стружки
Номер патента: 921679
Опубликовано: 23.04.1982
МПК: B23B 1/00
...периферии заготовки.Пример расчета.При обработке образца из заной стали 50 Г с режимами:Скорость резания - Ч= 1,5 и/с;Глубина резания -= 0,2 мм;Подача на один оборот - Б0,1 мм/об;Зльборовый резец имел углы заточкил= 5; д= -10; с. О Диаметр обработанной поверхности2 т60 мм.Примем для расчета:1,=0,4;Р: Р,- ЗО,гуглы резца по капенотвода резг 5 =РвОпределяем рабсэциеФормулам.= Ч + ч гра дусах, а360 11. М9 1000 с Данное условие запи1ог,срЧя, - средняя скороца на путиБсли ф выражено аов мм, то с = и Чд0 и радиусности,отрицательном угле , примени" етные Формулы 1 . 4, а величину ф рассчитывают по Формуле(я 1 иь соя + Ь Р со. Фсо со.А + и Е 1 и Асой) созБ 55111 т- - СОБ СОЯ,2 т эУгол 8 определяем по формулам.Ар= 4,987914Определгем величину...
Предыдущий патент: Способ приготовления растворилого
Следующий патент: Гидроциклон
Случайный патент: Подрельсовое основание железнодорожного пути в зоне примыкания к искусственным сооружениям с безбалластным путем