396862

Союз Советских Социатистических Респ убоиК ПАТЕНТУ Зависимый от патента %в.М.Кл В 011 17/28С 01 Ь 3136 Заявлено 12.11.11)71 ( 1658471/23-26) Приоритет 14 Л.1970, Ле 7191/70, Швейцар:я Гасударственный комитет Совета Министров СССР аа делам изобретений и открытийД 1 х 546.28261 (088.8) Опубликовано 29.Ъ 11.1973, Бюллетень ЛЪ 36 Дата опублпкшьдЬдя опсания 11974 Авторыизобретения ИностранцыЭдуард Тальманн и Ганс-Рудольф Штауб(Швецария) За 5 втель Иностранная фирмы сЛОнца АГ (Швейцария) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИГЛОВИДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯИззестеи спосоо получепи 51 игловд 1 ых моиокргтстдллов карбида крехния выращиванием их из паро-газовой смеси на подложке, на которую предварительно наносят слой вещества, содейсгвующего росту кристаллов.ВеЦество, папимер железо, кистью нанос 5 т пд подложку и;и его нсыпдют нд поверхность подложки,Цель изобретения -- достижен;е во зремя олуепия кристаллов прочного крепления и подложке вещества, содействующего росту.Для этого предлагается в наносимый слой дооавлять углерод и лак,Благод 151 испол,зоваию лак 1 и ео ооуглтванию, вещества, содейСтвующие росту кристаллов, находятся на подложке изолирозаИньгми один от другого, Таким образом, в противоположность известным способам предО 5 пвращдется переход отдельных частиц друг и другд.Этим достигают равномерный рост кристаллов. Кроме того, предлагаемый способ обеспечивает раэобмерное раопределенпе концентрации вещества, содействующего росту кри 1 сталлов, по всей, подложке. ВследСтвие включения веществ, содействующих росту кристаллов, в угольном слое до некоторой степени происходит армирование, что повышает продолжительность срока службы,подложки, содерждщей это содейсвующсе росту кристдллов вещество.Пригодными зецествами, содействующимиросту кристаллов, являются метдллы иили металлические соединения также в сочетании друг с другом, Подобные вещества, например железо, никель, марганец, хром, хлорид же.леза, сульфат железа, карбонат железа, окись елеза, оись нкеля, Окис. марганца. Предо почтительно приаеняют железо или соединения железд, например окись железа.В качестве углерода целесообразно испо,п,- зовать активный уголь.Эти два компонента могут применяться в 1 з любом соотношл:Ии, но предпочтительно нс.пользовать их в весовом соотношении от 1:0,5 до 1:2.В качестве лака можно использовать любойсентетический или природный лак, Пригодны, го например, алкидпый лак, поливинилацетдтныйлак, нитролак, по.тиэфирный лак, масляный лак, цапоновый лак, смола.Применяемое количество зависит От того,какова должна быть консистенция наносимого 25 слоя. Целесообразно лак добавлять в такомколичестве, чтобы получилась масса, хорошо наносивая кистью.Эту массу наносят на подложку. Прп нагревании происходит обугливание лака и неорганические частицы заключаются в тонком396862 Предмс Г изобретения Сос Гавитепь В. БезбородоваТсхред А, 1(амышникова Корректор О, Тгорнна Реиктор Ю, Агапова, , аЯД 71 д, о92. Тираж 678 Подписное Ц 11 г 11осударствсв 1 о и козитета Совета МишОров ГССР ИО;С.ае ИапРСтенпй И ОтКРЫтнй москва, )К.зо, 1 аушская наб., д. 4/оОб 1. Тии. Костровского уи,)ав си 151 11 Латедьств, 101 Г 11111 и и капк;:ои т "Г, а угольнох слое. Вследствие этого вцесв 1, содействующие росту кристаллов, при воздейст 13 ии Галогена медленно отпускаются в газовую фазу, ВО время реа 1 кции В реасци 01 нно 1 м Ооъеме юеется всегда достаточное количество ве. шеств, содействующих росту кристаллов.Количество содействующего росту кристаллов вещества, т. е. неорганическеого вещест,ва, панОсимого На подложку, составляет 0,1 - 10 мг/см, п 1 редпочтительно 0,5 - 5 мг/см 2 додлоики.Подложка может быть из углерода, корунда, муллита, керамики и т. д., предпочтительно в качестве подложки применять графитовые пластп 1 ны,П р и 1 м е р 1, 5 г окиси железа смешивают с 5 г порошкообразного активного угля и вводят потом в 50 г цапонового лака (лак на оонове природной смолы), При этом получают хорошо наНосимую маосу, которую наносят кистью на пластины из графита. После упаривания растворителя получают тонкую пленку,П р и м е 1 р 2. 2,5 г окиси железа и 2,5 г окиси марганца сешивают с 5 г активното угля и диспергпруОт потом в полиэфирном лаке, Хорошо наносивую кистью, массу наносят на пла 1 стины,из графита. Полученные в примерах 1 и 2 подложки помещают в реакционнучо печь, причо вертикальное расстояние составляет приблизительно 5 сл. На,подложки наносят поропкообразный крем 1 пий (чистота больше 99,8%) и активный уголь, Из реактора удаляют воздух и пропускают реакционный газ, состоящий из 72% На, 20% х 2 и 8% СН,. Исходные веществ нагревают до 1400 - 1450 С, Прин близителшо по истечении 8 час охлаждают и от: рывают реактор. Получают игловидные моОкрисаллы карбида кремния сред 1 ним диаметроем 2 мкм и длиной и несколько миллиметров. 1 О 1. Спосоо получения игловидных монокристаллов карбида кремгия выращиванием их из наро-газовой смеси на подложке, на которую предваОител:но 11 носят слой вещества, содействуюцего росту кристаллов, отличагощийся 1 З тем, что, с целью достижения во,время, получения крсталлов прочного крепления к подложке вещестг 1 а, содействующего росту, в наносимый слой добавляют углерод и лак. 2 д 2, Способ,по и, 1, отличающийся тем, что в качестве веществ, содействующих росту кристаллов, берут металлы,и/или металличс. ские соединения, например окись железа,3. Способ по,пп. 1,И 2, отличающийся тем,25 что в качестве углерода в нано 1 симом слое применяют активный уголь. 4. Способ по пп, 1 - 3, отличающийся тем,что содействуюцее росту кристалло 1 в вещество и углерод примеяяют в весовом отношении от 1 05 до 1 2 5. Спосоо по пп, 1 - 4, отличаОщийся тем,что наносят 0,1 - 10 мг содейспвующего росту кристаллов вешества на каждый квадрат;ый сьпт 1 стр подложки.