Способ выращивания монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 369748
Автор: Иностранец
Текст
О П И С А Н И Е 369748ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликК ПАТЕНТУ Зависимый от патентаМ, Кл, В ОЦ 17/18 1201679/23-26) Заявле Х 11 1967 риоритет 06.ХП.1966,1744966, Швейца- рия Комитет п еламткрыти аобретенил при СоветеССС К 669.054-172 (088.8 публиковано 08,1,1973. Бюллетень10 ата опубликования описания 10,1 Ч.1973 иис зобретени Иностранец Хайни Грэнихераявитель ПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТОВ И ТАНТАЛАТОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВуемой длиения крит термообе,на 50 - ения, в тежной окис- снижают у были выращеныниобата лития дианой 30 - 50 мм, нескиванию. Г 1 о описываемому епосо бесцвепные монокристаллы метром 15 - 18 мм и дл тмеющие тенденции к раст Изобретение относится к области получения монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов, используемых для изготовления электрооптических элементов,Известен способ выращивания монокристаллов ниобатов,и танталатов щелочных металлов вытягиванием по Чохральскому в атмосфере воздуха. Однако такой способ не обеспечивает получения бесцветных монокристаллов, не имеющих внутренних напряжений.Отличием предлагаемого способа является осуществление выращивания в атмосфере, содержащей не менее 50 об. % кислорода (в частности не менее 80 об. % кислорода или чистый кислород), влажность которой соответствует давлению насыщеяного водяного пара при температуре 22 - 28 С (в частных случаях при температуре 24 - 26 С и 25 С). Это позволяет получать бесцветные кристаллы, не имеющие тенденции к растрескиванию.По описываемому способу выращиванне монокристаллов производят на установке Чохральского с нагревом тигля при помощи нагревателя сопротивления. Исходный материал в виде порошка помещают в платиновый тигель и расплавляют в проточной атмосфере, представляющей собой влажный кислород или влажную смесь кислорода с инертными газами. Для создания требуемой степени влажности поток газа пропускают перед входомэкамеру через наполненныи водои сосуд при температуре 22 - 28 С. Скорость протекания газа должна обеспечивать его насыщение водяным паром при данной температуре и выбирается 5 в пределах 0,3 - 3,0 л/час, предпочтительно0,5 - 1 л/час.В процессе вытягивания между затравкойи расплавом создают короткое замыканиедля стекания поляризационных зарядов, возникаю щих при переходе в ферроэлектрическуюфазу. Вытягивание производят со скоростью 1 - 2 см/час, скорость вращения затравки 0,2 - 1,0 об/сек,При получении легированных монокристал лов в тигель добавляют 0,1 - 2,0 ат. % ИтиляРг в форме КдзОз или РгзОз. По достижении кристаллом требны тигель опускают для отсоедин 0 сталла от расплава и осуществляюработку кристалла при температур 80 С меньшей температуры плавл чение 12 час также в потоке вла лительной атмосферы. Температуру 5 до комнатной в течение 36 час.369748 Предмет изобретен и я Составитель Т. ФирсоваРедактор Н. Корченко Техред Т, Миронова Корректор О, Усов Заказ 820/10 Изд. Мо 1234 Тираж 678 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 1. Способ выращивания монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов вытягиванием из расплава по Чохральскому в атмосфере, содержащей кислород и влагу, отличающийся тем, что, с целью получения бесцветных монокристаллов, не имеющих тенденции к растрескиванию, выращивание осуществляют в атмосфере, содержащей не менее 50 об.кислорода, влажность которой соответствует давлепгно насьпценного водяного пара при 22 - 28 С.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, чтовыращивание осуществляют в атмосфере, со держащей не менее 80 об.кислорода, влажность которой соответствует давлению насыщенного водяного пара при 24 - 26 С,3. Способ по п. 1, отличающийся тем, чтовыращивание осуществляют в атмосфере кис лорода, влажность которого соответствуетдавлению насыщенного водяного пара при25 С.
СмотретьЗаявка
17449
Иностранна фирма Циба Гейги Швейцари
Иностранец Хайни Грэнихер Швейцари
МПК / Метки
МПК: C30B 15/00, C30B 29/30
Метки: выращивания, металлов, монокристаллов, ниобатов, танталатов, щелочных
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-369748-sposob-vyrashhivaniya-monokristallov-niobatov-i-tantalatov-shhelochnykh-metallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов</a>
Предыдущий патент: Расширитель гинекологический
Следующий патент: 369749
Случайный патент: Способ очистки изопрена