Способ выращивания монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 369748
Автор: Иностранец
Текст
О П И С А Н И Е 369748ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликК ПАТЕНТУ Зависимый от патентаМ, Кл, В ОЦ 17/18 1201679/23-26) Заявле Х 11 1967 риоритет 06.ХП.1966,1744966, Швейца- рия Комитет п еламткрыти аобретенил при СоветеССС К 669.054-172 (088.8 публиковано 08,1,1973. Бюллетень10 ата опубликования описания 10,1 Ч.1973 иис зобретени Иностранец Хайни Грэнихераявитель ПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИОБАТОВ И ТАНТАЛАТОВ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВуемой длиения крит термообе,на 50 - ения, в тежной окис- снижают у были выращеныниобата лития дианой 30 - 50 мм, нескиванию. Г 1 о описываемому епосо бесцвепные монокристаллы метром 15 - 18 мм и дл тмеющие тенденции к раст Изобретение относится к области получения монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов, используемых для изготовления электрооптических элементов,Известен способ выращивания монокристаллов ниобатов,и танталатов щелочных металлов вытягиванием по Чохральскому в атмосфере воздуха. Однако такой способ не обеспечивает получения бесцветных монокристаллов, не имеющих внутренних напряжений.Отличием предлагаемого способа является осуществление выращивания в атмосфере, содержащей не менее 50 об. % кислорода (в частности не менее 80 об. % кислорода или чистый кислород), влажность которой соответствует давлению насыщеяного водяного пара при температуре 22 - 28 С (в частных случаях при температуре 24 - 26 С и 25 С). Это позволяет получать бесцветные кристаллы, не имеющие тенденции к растрескиванию.По описываемому способу выращиванне монокристаллов производят на установке Чохральского с нагревом тигля при помощи нагревателя сопротивления. Исходный материал в виде порошка помещают в платиновый тигель и расплавляют в проточной атмосфере, представляющей собой влажный кислород или влажную смесь кислорода с инертными газами. Для создания требуемой степени влажности поток газа пропускают перед входомэкамеру через наполненныи водои сосуд при температуре 22 - 28 С. Скорость протекания газа должна обеспечивать его насыщение водяным паром при данной температуре и выбирается 5 в пределах 0,3 - 3,0 л/час, предпочтительно0,5 - 1 л/час.В процессе вытягивания между затравкойи расплавом создают короткое замыканиедля стекания поляризационных зарядов, возникаю щих при переходе в ферроэлектрическуюфазу. Вытягивание производят со скоростью 1 - 2 см/час, скорость вращения затравки 0,2 - 1,0 об/сек,При получении легированных монокристал лов в тигель добавляют 0,1 - 2,0 ат. % ИтиляРг в форме КдзОз или РгзОз. По достижении кристаллом требны тигель опускают для отсоедин 0 сталла от расплава и осуществляюработку кристалла при температур 80 С меньшей температуры плавл чение 12 час также в потоке вла лительной атмосферы. Температуру 5 до комнатной в течение 36 час.369748 Предмет изобретен и я Составитель Т. ФирсоваРедактор Н. Корченко Техред Т, Миронова Корректор О, Усов Заказ 820/10 Изд. Мо 1234 Тираж 678 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 1. Способ выращивания монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов вытягиванием из расплава по Чохральскому в атмосфере, содержащей кислород и влагу, отличающийся тем, что, с целью получения бесцветных монокристаллов, не имеющих тенденции к растрескиванию, выращивание осуществляют в атмосфере, содержащей не менее 50 об.кислорода, влажность которой соответствует давлепгно насьпценного водяного пара при 22 - 28 С.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, чтовыращивание осуществляют в атмосфере, со держащей не менее 80 об.кислорода, влажность которой соответствует давлению насыщенного водяного пара при 24 - 26 С,3. Способ по п. 1, отличающийся тем, чтовыращивание осуществляют в атмосфере кис лорода, влажность которого соответствуетдавлению насыщенного водяного пара при25 С.
СмотретьЗаявка
17449
Иностранна фирма Циба Гейги Швейцари
Иностранец Хайни Грэнихер Швейцари
МПК / Метки
МПК: C30B 15/00, C30B 29/30
Метки: выращивания, металлов, монокристаллов, ниобатов, танталатов, щелочных
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-369748-sposob-vyrashhivaniya-monokristallov-niobatov-i-tantalatov-shhelochnykh-metallov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания монокристаллов ниобатов и танталатов щелочных металлов</a>
Способ пропитывания безламельных электродов щелочного аккумулятора солями активных металлов
Номер патента: 133083
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Бондаренко, Позин, Фишман
МПК: H01M 10/28, H01M 10/30, H01M 4/28
Метки: аккумулятора, активных, безламельных, металлов, пропитывания, солями, щелочного, электродов
...его емкости вследствие более полной пропитки активными солями.При пропитывании пористого электрода, спеченного пз порошка металлического никеля, железа, или их смеси, в растворе хлори. стого кадл 1 ия целесообразно вводить в раствор ионы КОз в виде азотнокислого кадмия.Активирование процесса пропитки в хлористом кадмии, так называемого, фольгового электрода, получаемого напеканием пористого слоя из порошка металлического никеля на основу из тонкого листового ник- ля (фольгу), позволяет в несколько раз уменьшить технологическое время изготовления электрода и увеличить его емкость примерно на 406. сред кото- одер 1 ет изобретснпя 1. Способ пропитывания безламельных электродов щелочного аккулятора солями активных металлов, о т л и ч а ю щ...
Способ внутреннего окисления неблагородных металлов и сплавов
Номер патента: 462885
Опубликовано: 05.03.1975
Авторы: Болгов, Зырянкин, Левенкова, Нам, Поляков, Серебряков, Экстрина
МПК: C22F 1/02
Метки: внутреннего, металлов, неблагородных, окисления, сплавов
...Это позволяет, манипулируя температурами генератора кислорода и зоны окисления установки, создавать условия для преимущественного поверхностного или внутреннего окисления деталей по желанию оператора. Если Т(температура генератора) меньше Т (температура рабочей зоны окисления), то парциальное давление кислорода в камере меньше упругости диссоциации окисла внутреннеокисляемого металла соответствующей рабочей температуре зоны и, следовательно, адсорбируемый на поверхность деталей кислород растворяется и диффузионно проникает во внутрь, не проводя поверхностного окисления. Если Т,) Т то происходит преимущественно поверхностное окисление деталей. Таким образом, мы имеем саморегулирующую систему по кислороду, парциаль462885 Предмет...
Способ получения 5-(2-аминофенилсульфамоил)-4 хлорфурфурилантраниловой кислоты
Номер патента: 496728
Опубликовано: 25.12.1975
Автор: Линкольн
МПК: C07D 5/16
Метки: 5-(2-аминофенилсульфамоил)-4, кислоты, хлорфурфурилантраниловой
...его солей-4 под свободными соединениями и солямиследует понймать в соответствующем случае также и соответствующие соли или соответственно свободные соединения.Описанные реакции проводят известными" способами в присутствии или без разбави 1 телей, преимущественно таких, которые не.реагируют с участниками реакции и могутих растворить, катализаторов или конденсатторов и/или в случае необходимости в атмосфере инертного газа, например азота,,при низких температурах с охлаждением,при комнатной температуре или предпоч,тительно при повышенных температурах ,.и/или при атмосферном или повышенном давленин.Исходные вещества можно получить известным способом, Так, например, 4-хлор2-галогенбенэойную:кислоту вводят в реекцйю с хлорсульфоновой кислотой,...
Способ получения нерастворимой углекислой соли щелочно земельного или тяжелого металла
Номер патента: 704900
Опубликовано: 25.12.1979
Авторы: Башкина, Бромберг, Князева, Кордюкевич, Родимцева, Савельева, Факеев
МПК: C01F 11/18
Метки: земельного, металла, нерастворимой, соли, тяжелого, углекислой, щелочно
...со скоростью 1,03-1,04 л/мин иуглекислый газ со скоростью 0,6-0,6 8 л/минв стехиометрическом соотношении кисходной соли. Температуру реакционной смеси при этом поддерживают равной 40 С. При соблюдении указанныхоусловий в реакционной смеси создаетсярН среды 7,6-8,2. Суспенэию выдерживают в реакторе 20-25 мин, после чегофильтруют через вакуум-фильтр. Составсуспензии:"твердая фаза: сухой карбонатбария ВаСО - 74 г/л; жидкая фаза:нитрат аммония ЯН ХО - 50 г/л, нитраг бария Ва(МО) 1 10%,Осадок промывают на фильтре.дистиллированной водой до отсутствия нитратионов в промывной воде. Пасту с влажностью 35-40% высушиваюг в сушильномаппарате типа "кипящий слой" при температуре 120 С, Выход готового проодукта (бария углекислого)...
Способ выращивания сельскохозяйственных культур в условиях загрязнения почвы тяжелыми металлами
Номер патента: 1773317
Опубликовано: 07.11.1992
Автор: Дзанагов
МПК: A01B 79/02, A01C 7/00
Метки: выращивания, загрязнения, культур, металлами, почвы, сельскохозяйственных, тяжелыми, условиях
...При этом тяжелые металлы перемешиваются с почвой и более прочно сорбируются ее минеральной компонентой;Заделка в верхний генетический почвенныйгоризонт обеспечивает равномерное распределение веществ в плодородном слое, так как здесь происходят максимальные биологические и химические процессы.Способ особенно эффективен на дерново-подзолистых и дерново-глеевых почвах, куда вносятся известковые соединения для нейтрализации кислотности почв.Тяжелые металлы проникают в более глубокие слои, а верхний генетический горизонт содержит их в допустимых пределах (табл.1),Размещенный после такой обработки картофель снижает содержание стронция в 20-25 раз. Так, при посадке картофеля по предлагаемому способу содержание стронцияв клубнях в 0-20...
Предыдущий патент: Расширитель гинекологический
Следующий патент: 369749
Случайный патент: Способ очистки изопрена