Патенты с меткой «пьезополупроводникового»

Номер патента: 1241373

Опубликовано: 30.06.1986

Авторы: Данов, Ерофеев, Орехов, Парфенов, Ушаков

МПК: G05B 11/06, H02M 3/335

Метки: источника, питания, пьезополупроводникового, стабилизированного, управляющее

...регулируемого узла задержки позволяет обеспечить регулирование положения рабочей точки фазового канала на резонансной Г или, если это необходимо, близкой к ней частоте практически для всех типов усилителей мощности, применяемых в пьезополупроводниковых источниках питания. В .предложенном устройстве (микромодуле) между задающим генератором 7 и промежуточным усилителем 9 мощности введен блок 8 логических ключей, позволяющий подачей стробирующих импульсов на их вход изменять скважность выходных импульсов П и П. Подобное построе - ние оконечной ступени управляющего устройства существенно увеличивает степень его универсальности.Управляющее устройство в составе, стабилизированного пьезополупроводникового источника питания работает следующим...

Номер патента: 1249671

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Ерофеев, Ушаков

МПК: G05B 11/06, H02M 3/335

Метки: выходным, источника, напряжением, питания, пьезополупроводникового

...сигнал фазовой ошибки Ц , начинает формировать У в соотУ ветствии с сигналом У . При этом обеспечивается частотное управление с 45 замкнутым контуром по цепи обратной связи и рабочая точка смещается вдоль рабочего (правого) склона АЧХ в сторону компенсации сигнала ошибки.В известных источниках питания 50 реальная нагрузка всегда ниже номинального значения, т.е. основное время пьезотрансформатор, нагружен током, равным. приблизительно половине номи нального значения. Поэтому наиболее 55 вероятным является положение рабочей точки на середине склона АЧХ (при ,фиксированной величине Б ). В этом 671 4режиме КПД источника в целом является пониженным. Кроме того, несмотря на недогрузку пьезотрансформатора по мощности, его надежностные...

Номер патента: 769836

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Загоруйко, Тиман, Файнер

МПК: C30B 29/46, C30B 33/04

Метки: основе, пьезополупроводникового, соединений

...к об разлу, врез 18 мин пссцесс обработ(и пре кращают ИзепчОт теГ 1 пеодтчрнч( за иси;:,ость удельнсга сопротивления об разца,Темнсвое удельное сопротивление аб раз 18 при 300 К составляет 1,5 10 Омсм диапазон рабочей температуры 200 - 358 К,П р и м е р 2, Палученле манакристалл. Сэ 3;Я:С к 11 звестнь 1 м способам выращивают мс 11 окристалл сульфида кадмия(СНЯ, Образеь размером 20 х 20 х 7 мм помещаот в квар ценуО 3 павлу, запаина)ст и псдверГают От жигу в парах сары при температуре 1273 1 в течение о ч. Получают образец с темновы 1 1 О у,".,ельным сопротивлениемр = 2 10 Ом с," при 300 К, На большле грзни этого образц напыля ст в вакууме10 мм рт ст) сло меди тол;цинсй - 5 .км. Образец псмеща от в муфельну 1 О печь с тдм 1...