Горилецкий

Номер патента: 1108787

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Апилат, Вакуленко, Горилецкий, Максимов, Мюлендорф, Радкевич, Черницкий, Эйдельман

МПК: C30B 15/00

Метки: вытягивания, затравку, монокристаллов, расплава

...части 2 камеры. В нижней части камеры размещены тигель 7 с нагревателем 8 и теплоизоляционной футеровкой 9.В верхнюю часть камеры. герметично введен шток 10, связанный своим верхним концом с механизмом 11 его вращения и вертикального перемещения, установленным на карКасе 3. На свободном конце штока 10 нарезана резьба, на которой навинчен эатравкодержатель 12. Затравкодержатель представляет собой накидную гайку 12 с резьбой и свободной от резьбы частью 13 отверстия. Часть 13 отверстия имеет форму усеченнойпирамиды с вершиной, обращенной вниз, и приспособлена для охвата верхнего конца затравки 14, на нижнем торце которой выращивается монокристалл 15.Установка содержит также контейнер 16 (см. фиг,2) из жаростойкого материала и...

Номер патента: 1511979

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Горилецкий, Радкевич, Федько, Эйдельман

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, распиловки

..."Патент", г, Ужгород. ул.Гагарина 101 Произв Предлагаемое изобретение относится к обработке кристаллов, применяемых, в частности, при изготовлении активных и пассивных оптических элементов ИК-лазеров, сцинтилля цион н ых детекторов, акустических звукопроводов и других изделий, и может быть использовано в химической, электронной, электротехнической, ядерной и оптико.-механической промышленности,Целью предлагаемого изобретения являегся повышение производительности процесса распиловки и снижение потерь кристалла при его раскрое.Способ осуществляется следующим образом. Приводят в движение нить против часовой стрелки, подают воду на вращающуюся нить, сообщают нити колебательные движения с определенной амплитудой и частотой в...

Номер патента: 1510411

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Горилецкий, Любинский, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

...обе секции б и 7 нагревателя и расплавляют сырье в тигле 2. Затем соприкасают затравку 14 с расплавом 16, разращивают кристалл 15 по диаметру и вытягивают его в вцсоту при проведении постоянной подпитки измельченным материалом через питатель 8, проходящий через отверстие 1 г экране 9, подвешенном на регулируемых Тягах 10, Подпитывающий материал расплавляется в кольцевой емкости 3, Применение экрана 9 позволяет снизить температуру перегрева расплава, который через отверстия 5 в стенке 4 перетекает в тигель 2. Поток расплава стекает вниз между стенкой тигля 2 и экраном 12 ко дну тигля 2. Преимущества устройства состоят в том, что размещение в тигле экрана позволяет направить поток расплава, текущего из кольцевой емкости, в нижнюю часть...

Номер патента: 1619755

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Виноград, Горилецкий, Панова, Шахова, Шпилинская, Эйдельман

МПК: C30B 29/12

Метки: материал, монокристалла, основе, сцинтилляционный

...55 Установлено, что при регистрации жесткого излучения (Сз 137, Е у 662 кэВ) световой выход (С у) достигает максимального значения при концентрациях Сз 2 СОз (1,6 х х 10) - (8 10) мас. %, как это хорошо видно на приведенной фиг. 1, зависимость 1. При этом величина светового выхода на 30% превышает величину светового выхода Сз: Т с содержанием активатора 4 10мас. оТ 1, принятую за 100%, При введении СзгСОз до 1,6 10 мас.и более 8,0 10мас. % своой од "сцинтилляций снижается. При концентрации Сз 2 СОз до 1,6 10 мас. % значение светового выхода снижается вследствие недостаточности концентрации центров свечения, создаваемых Сз 2 СОз, для наиболее эффективной регистрации у-излучения с энергией 662 кэВ. При концентрации Сз 2 СОз...

Номер патента: 1116763

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Горилецкий, Львович, Неменов, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов

...затравки 15 прекращается.Затем путем снижения температуры радиально разращиват монокристалл 14 до заданного диаметра. Затем включают систему 30автомазированного управления ростом монокристалла. При этом задают следующиезначения:1) Ь Ь - величина вертикального дискретного перемещения кристаллодержателя 3516 (в датчике 8 перемещения кристаллодержателя);2) временные интервалы (в блоке 11 задания временных интервалое).Ьт 1 - время дискретного вытягивания 40монокристалла 14 н величину Ь Ь,62- время, в течение которого осуществляется измерение и сравнение уровнейрасплава и дается коррекция на изменениетемпературы данного нагревателя 2; 45Ь 1 З - время подпитки;Ьц - время выдержки после подпитки;Ьто - общее время цикла;Ь то = ( Л т 1+ Ь т...

Номер патента: 1431392

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Горилецкий, Неменов, Панова, Эйдельман

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, щелочногалоидных

...1 анаьТаким же способом при предлагаемьех,значениях технологических етараметровполучецье моцокристаллы йодистого цезия, н ИК-спектре пропусканил которыхотсутствуют 1 еолосы поглощения кислородсодержащих приееесей,Сравнительные данцьее способов по"лученил нысокопраэрачееьех моееокреесталлов по предлагаемому способу и прототипу представлены н табл,. следует из табл.1 способ ет выращивать нысокопрозкристаллы беэ исцользонасеечньех и агрессивных соеди гряэееяющих Окружающую сред нодительееьее затраты времен отонку расеыеана к нырашина док меееьше, чем у иэнестны н,ерозрачцости монокрис" ида калия, ныращенцых ех технологических пара-, ставлены в табл.2.следует, что выход за начения предлагаемых панодит к усложнению тех" цологического...

Номер патента: 661966

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Горилецкий, Мюлендорф, Радкевич, Эйдельман

МПК: B01J 17/18

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава

...поступает в тигель через отверстие в общей стенке. Однако в связи с тем, что нагреватель расположен коаксиально кольцевой емкости, в которой создается перепад температуры, расплавляемый материал кристаллизуется на стенках емкости и подпитка расплава в тигле прекращается. Цель изобретения - обес рывности подпитки расплава вании твердого измельченно результате предотвращения зации в кольцевой емкости. Это достигается тем, что емкости расположено выше верстие в общей стенке тигл полнено на уровне дна и н полнен из двух секций, од расположена под дном тигл дном кольцевой емкости. На чертеже изображено устройство. Оно содержит камеру 1, в рой установлен тигель 2 и661966 ставитель Т, фирсова Техред В. Серикова ректор В, Петро Редактор Т. К...

Номер патента: 718155

Опубликовано: 29.02.1980

Авторы: Горилецкий, Литичевский

МПК: B01J 3/02

Метки: питатель, сыпучего

...на фиг, 2 - разрез А - А на фиг, 1.Устройство состоит из горизонтального диска 1, над которым эксцентрично установлена шарнирно-закрепленная загрузочная воронка 2. Диаметр воронки составляет 4 - 5 диаметра гранул, Выпускное отверстие загрузочной воронки расположено под углом к диску, причем угол можно изменять путем наклона воронки, Диск снабжен неподвижным спиральным желобом 3, который установлен на расстоянии, не превышающем радиус наименьшей гранулы. Желоб снабжен в центре диска замкнутой петлеи 4 и наружным концентрическим витком 5, связанным со сбрасывающим ножом 6, под которым стоит приемный бункер с транспортной трубой (показан тонкими линиями).Устройство работает следующим образом,к 718 2 Фиг, 1 4- 4 побернугпо Составитель Л....