Способ получения пьезополупроводникового материала на основе соединений а в

СБИХстнчкскях Ркспувянк союэ с социА 3 БСАНБЕ ИЗОБРЕТЕН(67) осудмствкннок плткитнок кдомство ссср (госнлткнт ТОРЖОМУ СВИДЕТЕЛ ф 1) 2848232/28(И) ОЗОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЬЯОПОЛУПРО 4 О 9) Я (31) 7698 Ы А 1(51) ДДЯВЗЗ 94 ЗО 339 46 ДНИКОВСГО МАТЕРИАЛА НА ЯЗОВЮСОЕДИНЕНИЙ А 813 ЭЭ",;(ЭИ ЛС".1 Т 1, К С:ССП а: ПОЛу: ,.1 - . дт:,;р "."СВО "гИ 1;ОЭЬ 1,. (рСТО 1 ЛичЕСКИХ МатЕРИаЛОа На ОСНСВ 8Чнессганиесклх соединений типа А Б иможет найти применение в хлмической и 5з 18 кгссннай посмышлсннсст Пои 1 аизЭОДСье ПьеэЭГ:ОЛУ".РГ)ВОДИ;(08 Ы; ЛаТеоиалсв, используемых в электсанных присарахДРРИЗ(ФСТО ГНЫХ И Са1 лчд (И ( ИЯЧегенил,асатазц 11 х а шираком диапазанд 18,;,- 10перат"р таких ка:, Например, датчи(ивибрации л ус;(срений; (ротарезистаОы и др,Известен способ получения пьезополупровсдниксвсгс материала на Основа соединений А В . вклОцаОщиЙ выращивание 15И, Икристалливскихобразцов и их Г 10 следусщее лег 1 рсвание, сбуславливаОщее павышенле стабильности параметров,Легирана 11.е проводят ксмпенсируОщими.примеся 1 л 1 М 8 Дьо, сересрам или золотом) 20в парах элемента И 1 руппы, входящего всостав полупроводника сера или селе),Недостатком известного с.:"саба является низкое темновое уделыОе сопротивление, не превышающее 1012 Омсм, при 25рабочей температуре, не превыша:ощей 300К, обусловленное низким количеством вводимол при;есл.Известен способ палучени пьезаподдлупрсвадниковагс материала, Г 1 свышая1 Дий кали естс ввоасмой примесСпособц; -" ны 1. 1 саОстдлл 1 дссб;,азцов, их отжиг в парах эле" 1 ента УГГУРПЬлхсяшдгс в состав матвиала 1 пяпанывенин колиестна ввсдимси пс 1 лмеси 3,3на Г 1 аверхнссги кр 1;сталлических отож(енных образцов нанагят слой акцеп.гсрнсипримеси элементагруппа и образец подвергаот повтар 11 ому отж 1 гу. При этсм электричаски нейтральная грлмесь 40способствует увеличени 1 с количества ввв 81 ДЛ аК 8СР 1 ОИ ПРЛМЯ( И,Темновсе удельное сопротивление материала, полученного описанным споссбс 1 л,составляет 1-20 Омсм при температу12ре 300 К, температуань й диапззон работысоставляет 200-453 К.Недостатком известного спссоса является невсзмсж:-Ость да 1 ьнейшеГО повышения темн свого "дельного сапрл Олен я и 50расширения рабочей гемпеатуры,ель изабсетенил - повышение тамнсВОГО уд 8 льОГО сспсстивления и сасшис 8" ние диапазона рабочих температур.Псстаолен 1 ая цдль .;Остигаатся тем, что повторный отжиг ведут гр 1 л с 1 ровремеНом воздействии на образец 11 эстсячОс элэкт; .и Тас,. повтор 1 О 1; отжиге прсисхсд 1 т Осле Ол 1 а кс 1 л 8 сац 1 я дснарнь 1примесеза счет изменения зарядового со стояния примесей и э(стракции данарны: уровней. ПалубаОт материал с темновыл удельным сопротивлением810 Омсь при Л с Диаг 1 азаа;. рабочей температу рь 1 ДО 558 К.П р и,"л е р 1. Получен 8 манскристалл. Сб 38:Яе:СИзвестным способам выращивают мо накристалл селенида кадмия С 038) Образец Диаметрам 15 мм и высотоймм помещают в эарцевую ампулу, за паинаот и подвергают атжигу в парах селв на при теператусе 1173 К в течение 4 ч Получают образец с темновым сопротивле нием р = 4 10 Смсм при 300 К. Н;ЯЕ-срез этого абсазца напылеГием в вакуум((- 5 10 мм рт.ст.) наносят на грани кри сталла слои меди толщиной 5 мк 1 л. Обра зец пс 1 ещаОт н луфельную печь (температурой 513 К. Одновременно к образцу через медные элекграды прикладыва 1 а; постоянное электрическое поле с плотно) стыс така 1 мИС 1 л, Бремя одновременногс воздействия температуры и постоянногс электрического паля составляет 18 мин, пр это 1 полость така в течение всеГО этОГО Вре мани поддеоживают постоянной путе 1уве напсяжения постоннагс электрического палл, пэилсженнаго к об разлу, врез 18 мин пссцесс обработ(и пре кращают ИзепчОт теГ 1 пеодтчрнч( за иси;:,ость удельнсга сопротивления об разца,Темнсвое удельное сопротивление аб раз 18 при 300 К составляет 1,5 10 Омсм диапазон рабочей температуры 200 - 358 К,П р и м е р 2, Палученле манакристалл. Сэ 3;Я:С к 11 звестнь 1 м способам выращивают мс 11 окристалл сульфида кадмия(СНЯ, Образеь размером 20 х 20 х 7 мм помещаот в квар ценуО 3 павлу, запаина)ст и псдверГают От жигу в парах сары при температуре 1273 1 в течение о ч. Получают образец с темновы 1 1 О у,".,ельным сопротивлениемр = 2 10 Ом с," при 300 К, На большле грзни этого образц напыля ст в вакууме10 мм рт ст) сло меди тол;цинсй - 5 .км. Образец псмеща от в муфельну 1 О печь с тдм 1 ератцрол 573 К, ОДнснременно к Об разцу ч рез медныд электроды прикладыва;От псстсяннод электрическое поле ( плотностью така 3 мд/см . Врегля однсвре мэннсГО воздействия т 81 лпературь и пОстО.769836 Составитель О,ЗагоруйкоТехред М. Моргентал Корректор О. Кравцова Редактор О.Кузнецова Заказ 3348 Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5ни поддерживают постоянной путем увеличени напряжения постоянного поля, приложенного к образцу. Через 7 мин процесс обработки прекращают. Измеряют температурную зависимость удельного сопротивления образца.Темновое удельное сопротивление образца при 300 К составляет 9 10 Омсм,12 диапазон рабочей температуры 200 - 453 К.П р и м е р 3. Получение монокристалла Еп Яе: Яе: А 9.Известным способом выращивают монокристалл селенида цинка пЯе). Образец размером 15 х 15 х б мм помещают в кварцевую ампулу, хапаивают и подвергают отжигу в парах селенэ при температуре 1223 К в течение 5,5 ч. Получают образец с темновым удельным сопротивлениемр= 3,210 Ом см13 при 300 К, На большие грани этого образца нэпыляют в вакууме510 мм рт,ст.) слои серебра толщиной -5 мкм. Образец помещают в муфельную печь с температурой 763 К. Одновременно к образцу через серебряные электроды прикладывают постоянное электрическое поле с плотностью тока 5 мА/см, Время одновременного воздействия температуры и постоянного электрического поля составляет 20 мин, при этом плотность тока в течение всего этого времени поддерживают постоянной путем увеличения напряжения постоянного поля, приложенного к образцу. Через 20 мин процесс обработки прекращают. Измеряют температурную хавислмость удельного сопротивления образца,Темновое удельное сопротивление образца при температуре 300 К составляФормула изобретенияСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЬЕЗОПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ А В, включающий выращивание кристаллических образцов, их отжиг в парах элемента У группы, входящего в состэа материала, нанесение на поверхность образца слоя акцепторной ет 8 10 Омсм, диэпээон рабочей тем 1 З.перэтуры 200-558 К.Кристаллы на основе соединений АцВУ,полученные предлагаемым способом, могут 5 быть испольховэны в качестве датчиков механических величин в малогабаритной радиоэлектронной аппаратуре, работающей в широком диапаэоне температур. Увеличенное удельное сопротивление полупровод никового материала позволяет увеличитьзначение постоянной времени прибора, ис- пользующего этот матеоиэл ( ь ВС, где Я - сопротивление, С - емкость прибора). Увеличеяие постоянной времени, является 15 важным технико-экономическим преимуществом предлагаемого способа получения пьеэополупроводникового материала на основе соединений А В , так как похволяет измерять медленно меняющиеся процессы 20 и проводить статическую грэдуировку, акроме того, дает возможность отказаться от использования специальных высокоточных, дорогостоящих электрометрических усилителей.25 При этом расширенный температурныйдиапазон работы полученных предлагаемым способом кристаллов позволяет значительно повысить, особенно в области похышенных температур, точность прово димых измерений.(56) Свойства легированных полупроводников; Сб. М,: Наука, 1977, с,95 - 99, 100 - 104, 190 в 1.35 Фйхика и химия кристаллов: Сб, Харьков, 1977, с,52-54,Эпримеси элементагруппы и повторный 40 отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения темнового удельного сопротивления и расширения диапазона рабочей температуры, повторный отжиг ведут при одновременном воздействии на образец 45 постоянного электрического поля с плотностью тока 1 - 5 мА / см и при температуре2