Теремецкая
Способ выращивания слоев алмаза и устройство для его осуществления
Номер патента: 1577400
Опубликовано: 30.12.1993
Авторы: Алексенко, Ботев, Буйлов, Варнин, Спицын, Теремецкая
МПК: C30B 23/02, C30B 29/04
Метки: алмаза, выращивания, слоев
...выпрямитель мощностью 10 кБт с регулируемым напряжением до 400 В и током до 40 Л. Напряжение подают на стержень 5 и один из токоваодов 2 через реоста 1 20 м. Подогрев подложек осуществпяют при пропускании переменного тока до 600 А через подложкодеркатепь и токовводы 2.П р и м е р. Дпя инициирования роста алмаза по всей площади подложки 3 на нее равномерно нпнося 1 затравки - частицы ал 5 10 15 20 25 30 35 40 50 мазного порошка размером не более 1 мкм так, что среднее расстояние между отдельными частицами составляет 1-2 мкм. После помещения подложек на рабочую поверхность подложкодержателя 1 реактор откачивают до давления 10 атм и продувают газовой смесью в течение 1 ч при зоасходе 2 л/ч, Далее при давлении около 10 атм подают...