Патенты с меткой «сегнетоэлектрических»

Диэлектрический усилитель на сегнетоэлектрических конденсаторах

Загрузка...

Номер патента: 101149

Опубликовано: 01.01.1955

Автор: Ремнев

МПК: H03F 11/00

Метки: диэлектрический, конденсаторах, сегнетоэлектрических, усилитель

...форма выполнения этого усилителя.На фиг.1 и 2 - СьСа,С,;нС. - нелинейныс сегнетоэлектрические конденсаторы, образующие в своей совокупности конденсатор насьпцения усилителя. Эти конденсаторы включены в цепь управления, к которой приложено усиливаемое напряжение, параллельно че 1 рез дроссели 1.1 Аа Е, и 1 г з н г 1, а в цепь выхода - последовательно через переходные линейные конденсаторы С . Сва, СапЭффективное разделение управляющего сигнала и питающего напряжения можно получить при значительной разнице частот. Особенно эффективное разделение получается при питании диэлектрического усилителя напряжением высокой радиочастоты в случае усиленияФиг. 1 1 пг. 2 Отв. редакто акаров Ч 33841 от 18/Х 1955 г, Стандартгиз. Объем 0,125 и. л....

Запоминающее устройство на сегнетоэлектрических матрицах

Загрузка...

Номер патента: 147025

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Желудев, Мамонов

МПК: G11C 11/24

Метки: запоминающее, матрицах, сегнетоэлектрических

...1 б воспринятия считываемой информации, связанные на входе с элек. трической цепью прохождения токов переключения перекрестий матрицы, а на выходе - с усилителями 17 считывания, с выхода которых сигнал считывания подается через стробирующие ключи 18 на статический регистр 8.Управление описываемым устройством выполняется полупроводниковыми схемами, причем усилители записи-считывания, связанные с логическими ключами б - 7 и работающие на общую нагрузку - каждая пара на один из 2 электродов матрицы 1, выполнены таким образом, что разнополярные импульсы с транзиторных усилителей 19 и 20 записи и считывания объединяются с помощью трансформаторного выхода 21. Трансформаторная связь схем управления с матрицей благоприятна для...

Способ изготовления сегнетоэлектрических пленок

Загрузка...

Номер патента: 437813

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Веневцев, Севостьянов, Сорокина, Томашпольский

МПК: C23C 14/14, H01F 10/20, H01F 41/20 ...

Метки: пленок, сегнетоэлектрических

...известным способом (меньше, потери больше в 2 - 3 раза). нике.Известен способ изготовления сегнетоэлтрических пленок дискретным испарением.Прежние способы дискретного испаренне обеспечивали формирования достаточсовершенной структуры пленок, поэтомусегнетоэлектрические свойства были славыражены, а для толщин, менее 1000 А,обще не обнаружено пика температурнхода диэлектрической проницаемости и петдиэлектрического гистерезиса.Цель изобретения - улучшение сегнеэлектрических свойств пленок и уменьшеих толщины,екого ли тоние1 лученнои б пленки, е - вдвое Су аетс иал итан ество предлагаемого способа заклюв том, что в качестве исходного мате- берут керамику, например, на основе та бария нестехиометрического состава деленным дефицитом по...

Устройтсво для зонной поляризации сегнетоэлектрических пластин

Загрузка...

Номер патента: 458048

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Гаевский, Лавриненко

МПК: H01G 13/00

Метки: зонной, пластин, поляризации, сегнетоэлектрических, устройтсво

...причем нижний электрод представляет собой жидкий металл, а верхний выполнен в виде двух валиковиз эластичного проводящего материала, кинематически связанных с приводом механизма,перемещающего поляризуемое изделие,Изобретение пояснено чертежами. 20На фиг. 1 приведена схема конструкцииустройства с валиками, играющими роль верхних электродов; на фиг. 2 - вариант устройства с жидким верхним электродом, помещенным в сосуд; на фиг. 3 - вариант устройства 25с открытым верхним жидким электродом.Устройство для зонной поляризации сегнетоэлектрических пластин содержит нижнийжидкий электрод 1, пару проводящих валиков2, прижатых к поверхности поляризуемого 30 изделия 3, спаренных зубчатой передачей и соединенных приводом с двигателем, На...

Способ получения сегнетоэлектрических материалов на основе ниобатов щелочных металлов и щелочноземельных металлов

Загрузка...

Номер патента: 497266

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Кучерова, Ободовская, Пятигорская, Шапиро, Шишов, Школьникова

МПК: C04B 35/495

Метки: металлов, ниобатов, основе, сегнетоэлектрических, щелочноземельных, щелочных

...формуле Ва,.Жо,.МЬОо. согласно уравнению реакции 2 НоКЬО (С 04) э 7,5 Н 20+О,55 гС 204 Н 20+ +0,5 ВаС,04 НО+3,502 Вао,5 Яго ьХЬ 206+ +14 СОе+19 НеООксалоциобиевой кислоты 264,42 Оксалата ба)рия 32,66 Оксалата стронция 25,12Компоненты шихты гомогенизируют в шаровой мельнице в среде этилового спир. та прц весовом соотношении шихта: шары: :спирт=1:1:1,5. Для обеопечения более высокой чистоты готового гпродукта применяют497266 изобретения П редм ет 10 Составитель Т. ВалетоваТехред Е. Подурушина Редактор В. Блохина Корректор Р. Юсипова Заказ 2005 Изд. ЛЪ 1085 Тираж 648 Подписное ЦНИИПИ Госутпврственного коиитета Совета Мннистров СССР по делаи нзооретений и открытий 113035, Мооюва, Ж, Раршокая наб д. 4/5Оол. тип. Костромского управленин...

Устройство для поляризации сегнетоэлектрических материалов

Загрузка...

Номер патента: 532142

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Белинская, Житомирский, Крамаренко, Крюков, Ливенко, Федорук

МПК: H01L 7/00

Метки: поляризации, сегнетоэлектрических

...регулятора 4 температуры и нагревателя 5, а вежду иоляризусмым образцом 1 и источником 2 высокого напряжения включена цепь обратной связи, состоящая из последовательно соедине 5 шых дат п 5 ка б тока поляризации, одиовибратора 7 и вентиля 8.Устройство работает следующим образом.Температура среды, в которой находитсяполяризуемый образец 1, регулируется припомощи системы автоматического регулироВани 55, состоящей из датчика 3, п 1 зОГрахмного регулятора 4 температуры и нагревателя 5, Ток, протекающий через образец 1, измеряетСя датчиком 6 така поляризации, который управляет одновибратором 7, К выходу последнего подключен вентиль 8, управляющий источником 2 высокого напряжения. Пр: увеличении тока выше допустимого значения на иряжеиис на...

Способ изготовления сегнетоэлектрических керамических материалов

Загрузка...

Номер патента: 697461

Опубликовано: 15.11.1979

Авторы: Белова, Гольцов, Клевцов, Панич, Прокопало, Фесенко

МПК: C04B 35/486, C04B 35/645

Метки: керамических, сегнетоэлектрических

...со спекаемым материалом собразованием легкоплавких эвтектических смесей,В частности, при спекании СаТ 1 ОЭи Са 2 гОэ в засыпке А 0 ОЗобразуютсяэвтектики с температурой плавленияна 150-200 К ниже температуры го рячего прессования. Засыпка 2 гО также имеет ограниченное применение, так как при получении, например, керамики на основестаннатов Са, Яг, Ва образует легкоплавкие эвтектики с температуройплавления, более чем на 200 К меньфшей температуры горячего прессованияИспользование же в качестве засыпки СаТ 10 э или Са 2 гОэ меняет состав поверхйостного слоя иэделия,что приводит к необходимости дальнейшей механической обработки иэделий.Целью изобретения является повышение плотности керамического материала и исключение...

Способ синтеза сегнетоэлектрических материалов

Загрузка...

Номер патента: 785271

Опубликовано: 07.12.1980

Авторы: Барчуков, Головнин, Ибраимов, Мовчиков, Полковниченко, Штукарев

МПК: C04B 35/491, C04B 35/626

Метки: сегнетоэлектрических, синтеза

...пьезоэлементов, изготовленных из порошка, синтезированного по известной технологии.Раэбросы составляет: по пьезомодулю 1 4%,по диэлектрической проницаемости + 4,4%,по скорости звука + 0,8% для пьезоэлементов иэ порошков, синтезированных попредлагаемому способу, против соответственно 12,8%, 13,4%, 2,1% для пьезоэлементовиз порошка, синтезированного поизвестному способу. 2. Патент США Ъ 3963631,кп, 252-62,9, 19.76,Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, уп. Проектная 4 г1, ФУ1 03785гранулъ 1 размером 20-200 мкм, термообработку проводят при толщине виброкипяшего слоя 50-200 диаметров грануп, аамплитуда их вертикальных перемещенийпревышает 1,5 толщины виброкипящего5слоя, причем дополнительно создают противоток паров оксида свинца,Нахождение частиц...

Способ получения сегнетоэлектрических материалов

Загрузка...

Номер патента: 791701

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Верещак, Пархоменко

МПК: C04B 35/491

Метки: сегнетоэлектрических

...Время синтеза пьезосегнетокерамикив потоке высокотемпературного теплоно-.сителя сокращается с 3-4 ч до 10-210 с, а синтезированные материалы не 25требуют дополнительной прокалки и помольных операций.Пылегазовая смесь, имеющая температуру на выходе из реактора 900-1100 С,фподвергается быстрому охлаждению до тем-ЗОФпературы 300-400 С, а целевые продукты выделяются известными методами (циклоны, рукавные фильтры).П р и м е р 1. Раствор взотнокислыхсоединений свинца, циркония, титана, содержащий в пересчете нв чистые окислыРВО 100%, 2 0, 50%, "1 д 50%, распыляют при помощи пневматического распылителя в лоток высокотемпературного4 О о сравнению с существующим сп предполагаемый позволяет резко 701 4,теплоносителя с 1500 оС,...

Расплав для выращивания сегнетоэлектрических монокристаллов метаниобата свинца

Загрузка...

Номер патента: 875890

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Дугин, Крайзман, Шолохович

МПК: C30B 9/06

Метки: выращивания, метаниобата, монокристаллов, расплав, свинца, сегнетоэлектрических

...температу.ры. Кристаллы отмывают от раствори,теля 101-ным раствором КОН или йаОН. При сравнении примеров 3-8 и 10-12 видно, что наиболее целесообразно использовать в качестве растворителя для РЬО и МЬ 20(1:1) расплав из РЬО и"Ч 2 О в отношении 2;1, так как при использоваНии расплава из РЬО и Ч Ов в соотношении 1:1 хотя ирастут орторомбические (сегнетоэлектрические ) кристаллы РЬ ЙЬ 20, но они менее прочные и при закаливании растрескиваются перпендикулярно оси С.Размерыкристаллов,мм Примечание Кристаллическаяструктура Несегнетоэлектрическая, ромбоэдричес- кая Несегнетоэлектрическая,ромбоэлектрическая 5 х 0,4 х 0,4 Сегнетоэлектрическая, орто,".ромбическая 3 875Иэ примера 1 и 2 следует, что при содержании в исходном расплавв менее 60 мол А...

Способ получения сегнетоэлектрических керамических материалов

Загрузка...

Номер патента: 1034998

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Андреева, Базарова, Бессонова, Доменко, Пичугина

МПК: C01G 21/00, C04B 35/497

Метки: керамических, сегнетоэлектрических

...изделий. Выбранныеусловия изговтовления шихты обеспечивают получение керамики при пониженной температуре спекания поддавлением (т.е. горячего прессования) 1000-1150 ОС в течение 4-хчасов.П р и м е р 1. Для получениякг продукта метаниобата свинца,бария, лантана. состава Ъо/РЬ/ Ва 60/40(РМ)1 у Ва)1 ах )Ьг.-х)6 ОЗгде х = 0,08,у .= 0,4, берут 0,58 кгпятиокиси ниобия и засыпают в репульпатор, в который предварительнозалита смесь растворов нитратов вколичестве 1,08 л (1,12 моль/л)свинца азотнокислого, 3,15 л барияазотнокислого (0,25 моль/л), 0,2 ллантана азотнокислого (0,86 моль/л)и 2 л дистиллированной воды.Суспензию перемешивают в течение0,5 ч, затем сюда же приливают 2 лоаствора карбоната аммония(2,1 моль/л),...

Способ изготовления сегнетоэлектрических элементов памяти

Загрузка...

Номер патента: 1133620

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Булатова, Донцова, Тихомирова, Шувалов

МПК: G11C 11/22

Метки: памяти, сегнетоэлектрических, элементов

...сегнетоэлектрического материала. 15Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ изготовления сегнетоэлектрических элементов памяти, включающий разделение кристалла на плоско параллельные пластины, нанесение на эти пластины токопроводящих полос в виде ортогональных строк и столбцов и членение пластин с нанесенными электродами на подобные 25 части 2 .Недостатком известного способа является низкое качество изготовления, не учитывающее анизотропию характеристик переключения, что приводит к разбросу параметров элементов,Цель изобретения - повышение ка" чества изготовления сегнетоэлектрических элементов памяти.Поставленная цель достигается тем,35 что согласно способу изготовления сегнетоэлектрических элементов...

Способ измерения внутреннего электрического поля в сегнетоэлектрических материалах

Загрузка...

Номер патента: 1140061

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Жаров, Рудяк

МПК: G01R 29/08

Метки: внутреннего, материалах, поля, сегнетоэлектрических, электрического

...в качестве параметров спонтанной поляризации используют временаи срелаксации, имеющие место йри прило"женин к исследуемому образцу внешнего коммутируемого электрическогополя Е ею в двух различных направлениях, а в качестве расчетного используют соотношение ентр 2 Евнещ 2 ф ( у 1 )2. Способ по п,1, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что времена К, и, Ф релаксации определяют путем снятия временных зависимостей числа скачков переполяризации, Фиксации интервалов 1 и 1 времени возникновенияа половины общего числа скачков и де- . ления найденных значений 1 и Ф на Рь 2.1140061 1 4 20 4 19 166 25 30 110 143 100 4 18 35 127 40 90 3 14 311 45 80 Составитель Л.МорозовРедактор М.Товтин Техред М.Надь Корректор М.Демчик Заказ 258/35 Тираж 748 Подписное...

Способ формирования регулярной структуры сегнетоэлектрических доменов

Загрузка...

Номер патента: 1185291

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Алексеев, Гинзберг, Донцова, Злоказов, Проклов, Тихомирова, Шувалов

МПК: G02B 5/18

Метки: доменов, регулярной, сегнетоэлектрических, структуры, формирования

...границы 5 локальной неоднородности электрического поля, Этот до" мен под действием электрического поля начинает расти за счет бокового движения доменных стенок 10 и 11, Причем сначала передвигается доменная стенка 10, которая находится в области ступени 3 поля Е" а па достижении ею края пластины 1 - доменная стенка 11, расположенная в области пьедестала 4 поля. В процессе этого движения доменная стенка 11, не изменяя сваей конфигурации, последовательно проходит положения б, 7, 8 и т,д. и может быть зафиксирова - на в любом из них, например, в положении 8 снятием воздействия электрического поля. В связи с тем, что скорость бокового движения доменной стенки в сегнетоэлектриках однозначно связана с величиной приложенного...

Способ контроля качества сегнетоэлектрических кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1203429

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Вацеба, Романюк

МПК: G01N 27/72

Метки: качества, кристаллов, сегнетоэлектрических

...б )1(1.ЗИЫЛС НИОХ) и 30 52 1) Х 3)е И 3 10 С.51 Т СС)СО р 5313)С ЭГСКТ 703(Ь, Об.ра 3(.11 110 е)1(3 Н)Т 13 С 3 Л ОИС рОИИ(1 с)С 110 1. О 15(.ТИ(Х),)Л 51, и,")И КЗ ЗГСК ГРОХ 3 с 3 1- НТ:)ЬХ 50,3.Р) 1;1,ОЖСНии ИОС Г 05)ННОГО 3 С К ) )иСОК) с) 30,15. К:, С КТГ)0 . 5 )С.(21 Ь"3 1 5 )С СИ . 0 1(И 01 СТ 7 3:Г) Р Ы 5)3- Н : К З (Т И 3,3(31( ,3 С и 1 ) с 3 И 3 ) : ) В О, 113, и 0 . Торос ре 3 С Ги;) )О С;Х, ) Л ЬсЛОГ: С 3)СЛС Х) ИОСТОЯ)31030 ТОКК З 32 С 1:5 с 1) ИС)1 вс 10 си) изл сзмои):спс м.О х(рктс)м кривых (;)(Г 0 ГО)(с 1 СМ,15 Т 0 КИИ С 11 КС .О 1(310:5, 0)РС.(СГ) Я 10) И с 3 Ч 3 Г) 0 И Х, (15 И Ж (.1 15) О СГ С И 0 1, 1(,- ЖИИ 51 1105151, О 1(.Н) Ь) 13)СКРЗ 1)С 3 ИБ ИХ,1 ВИ; С Н И 51,1 Г 2 К Ж С;5 с 33 И С И ОС Т 11 З 3 с Н Н Ы:. Х с 1 -...

Способ определения униполярности сегнетоэлектрических кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1276965

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Вацеба, Клим, Романюк, Федорив

МПК: G01N 22/00

Метки: кристаллов, сегнетоэлектрических, униполярности

...в следующем.11 рикладывают вдоль сегнетоэлектрического направления сегнетоэлектрических кристаллов квазистационарное электрическое поле одного направления, регистрируют интенсивность собственного электромагнитного излучения, воэникакяцего при переполяриэации всех доменов, ориентированных противоположно приложенному квази- стационарному электрическому полю, затем изменяют направление квазистационарного электрического поля, регистрируют интенсивность собственного электромагнитного излучения, возникающего при переполяризации всех доменов и по величине отношения первого сигнала к второму определяют степень униполярности и знак преимущественного направления поляризации, который соответствует направлению первого из приложенных...

Способ измерения спектров эпр в сегнетоэлектрических образцах, легированных парамагнитной примесью

Загрузка...

Номер патента: 1283636

Опубликовано: 15.01.1987

Авторы: Гейфман, Сытиков

МПК: G01N 24/10

Метки: легированных, образцах, парамагнитной, примесью, сегнетоэлектрических, спектров, эпр

...дисперсии в наблюдаемом спектре ЭПР.Затем производят регистрацию спектра ЭПР при заданных значениях электрического напряжения и темпера туры.Размеры исследуемого образца составляют Зх 5 х 0,3 мм, вспомогательного - 5 х 7 х 0,3 ммз . Исследуемый образец изготовляют из танталата калия с парамагнитной примесью гадолиния, вспомогательный образец - также танталат калия без парамагнитных примесей, Контактами служат графитовые пленки. При напряжении на исследуемом образце, равном нулю, к вспомогательному образцу прикладывают эл ктрическое напряжение в интервале 0-4,2 кВ при 77 К. Получают зависимость формы линии ЭПР Сй в КТаОзот напряжения на вспомогательном образце с наиболее резким участком винтервале 0=0-1,6 кВ. При 0=4,2 кВ достигается...

Способ определения показателя преломления сегнетоэлектрических кристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1318858

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Ангерт, Кальштейн, Резник, Умаров

МПК: G01N 21/41

Метки: кристаллов, показателя, преломления, сегнетоэлектрических

...преломления соотношениями, описывающими законы сохранения волновых векторов и закон сохранения энергии. Для прямолинейного рассеяния этот закон имеет вид 18858 2и ,и ,и - соответствующие им покаоезатели преломления.Рассеяние на высокочастотной поляритонной ветви в кристалле может бытьзарегистрировано при следующих геометриях рассеяния;Х(ЕУ) Х, (а)1 О или У(7 Х)У, (б),где 2 - направление оптической осикристалла.Из (а) и (б) следует, что направ 15 ление рассеяния должно совпадать сосью Х (для поляризации а ) или с осьюУ (для поляризации о). В этом случаепоказатель преломления и являетсяонеобыкновенным пе.20 Из (1) следует, чтооо Ъ + Фп, (и и)+п (2)Фгде и и п - обыкновенные показатели преломления для предельной длины волны...

Способ определения типа фазового превращения в твердых сегнетоэлектрических кристаллах

Загрузка...

Номер патента: 1343326

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Гриднев, Даринский, Попов

МПК: G01N 25/02

Метки: кристаллах, превращения, сегнетоэлектрических, твердых, типа, фазового

...туры и ичины что,темп тли 3 ю щ с я т п фазового превращения опр висимости Сдс"(Т с целью ности оп турную з диэлектр деляют и пр повышения т 1 яют та е из з скачка ия еря емпе величине (спонтанн параметра перехода ризации Р) в точк а, определенной по сть изкочастРь Т 8/ тных ои п ских пот опр ового перех к ве ину по з от скоро исимо и высот наге Сос гавитель С, Бел Техред Л.Сердюкова ченко Обручар ек оров едакто Подписномитета СССРткрытий 7 каз 48 17/4 Тираж ИИПИ Росуарственного коизобретений и Ж, Раушска по дел 113035, Моск4/5 наб.,Проектная венно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород роизв Изобретение относится к Иэикохимическому анализу и может быть ис -вано при создании и прогпоэиросвойств сегнетоэлектриков ви температур их...

Способ изготовления периодических структур на сегнетоэлектрических кристаллах

Загрузка...

Номер патента: 1782323

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Колесников, Кострицкий, Маньянов

МПК: G03H 1/18

Метки: кристаллах, периодических, сегнетоэлектрических, структур

...меньше, чем для электро нов и голограмма "живет" более длительноевремя, чем время, необходимое для работы ОЗУ. Для получения стабильной (живущей несколько лет), контрастной периодической структуры, полученную "протонобусловленную" фазовую голограмму обрабатывают врасплаве монокарбоновой кислоты, В качестве активной среды может быть взята любая монокарбоновая кислота (оксинафтойная, пальмитиновая, бензойнаяФ и др.), служащая источником ионов Н для топотактической реакции протонного заме,+ +щения О =Н, которая преимущественно протекает в областях с повышенной концентрацией протонов (по эстафетному характеру). Следствием этого является дальнейшее увеличение концентрации протонов в вышеупомянутых областях. Сегнетоэлектрический кристалл...

Способ определения концентрации точечных дефектов с известным зарядом в сегнетоэлектрических кристаллах

Загрузка...

Номер патента: 1790762

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Гриднев, Попов, Шувалов

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов, зарядом, известным, концентрации, кристаллах, сегнетоэлектрических, точечных

...потенциала по четным степеням поляризации;К - корреляционная постоянная.Предлагаемый способ основан на ис" пользовании различного характера движения сегнетоэлектрических доменных границ, взаимодействующих с точечными дефектами кристаллической решетКи, в электрических полях различной амплитуды В слабых полях, меньших, чем пороговое поле Е, происходит малое упругое смещение доменных границ относительно закрепленных точечных дефектов, т.е. их небольшой прогиб между ближайшими точками закрепления. В этом случае наблюдается слабая зависимость ерш от амплитуды электрического поля, В полях, боль" ших, чем Е, отдельные изогнутые участки доменных границ отрываются от закрепляющих тбчечных дефектов, затем начинается лавинообразное...

Способ получения сегнетоэлектрических пленок

Номер патента: 1137775

Опубликовано: 27.11.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/00

Метки: пленок, сегнетоэлектрических

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК, включающий распыление исходного материала в среде кислорода и осаждение его на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических свойств пленок, процесс осаждения проводят циклично, при этом после каждого цикла осаждения температуру подложки и давление кислорода увеличивают до температуры не более 0,8 температуры плавления исходного материала и до давления не более 26664,4 Па соответственно, проводят термообработку пленки, снижают температуру подложки и давление кислорода до первоначальных значений и проводят следующий цикл осаждения.

Устройство для нанесения пленок ионно-плазменным распылением сегнетоэлектрических материалов в вакууме

Номер патента: 1271132

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Левченко

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, ионно-плазменным, нанесения, пленок, распылением, сегнетоэлектрических

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, содержащее диэлектрический держатель с дисковой мишенью, размещенную между ними дисковую электропроводную прокладку, токоподвод и узел разогрева мишени, отличающееся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет повышения равномерности распыления мишени, токоподвод выполнен в виде кольца, примыкающего к боковой поверхности мишени, а диаметр прокладки составляет 0,5-0,75 диаметра мишени.

Способ получения сегнетоэлектрических пленок на диэлектрической подложке

Номер патента: 1600564

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Журавлев, Кислецов, Кусочек, Яббаров

МПК: H01G 4/08

Метки: диэлектрической, пленок, подложке, сегнетоэлектрических

Способ получения сегнетоэлектрических пленок на диэлектрической подложке, включающий нанесение на подложку слоя порошка сегнетоэлектрика и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и упрощения процесса, в качестве диэлектрической подложки используют полимерную пленку, при этом, порошок используют с размерами частиц, выбранными из соотношенияd = (0,1 - 0,0025)h,где d - диаметр частиц порошка;h - толщина полимерной пленки,а термообработку осуществляют однородным скользящим по поверхности подложки разрядом с объемной энергией (2 - 3) х 105 Дж/м3, числом импульсов 5 - 6, частотой следования импульсов 5...

Способ определения остаточной поляризации проводящих сегнетоэлектрических материалов

Номер патента: 1482410

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Батьянов, Новицкий, Садунов, Южбабенко

МПК: G01R 29/22

Метки: остаточной, поляризации, проводящих, сегнетоэлектрических

1. Способ определения остаточной поляризации проводящих сегнетоэлектрических материалов, заключающийся в воздействии на исследуемый образец разнополярным переменным напряжением и определении отношения разности интегралов полного тока, протекшего через образец за время воздействия одной полуволны, и тока проводимости образца за то же время к площади электрода образца, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности, каждая полуволна переменного напряжения представляет собой два одинаковых импульса треугольной или синусоидальной формы, а разность интегралов полного тока и тока проводимости определяется как разность интегралов полного тока за время действия первого и второго импульсов одной...