C30B 1/02 — термической обработкой, например отжигом деформаций

Номер патента: 117540

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Падуров, Селезнев

МПК: C30B 1/02, C30B 29/18

Метки: двойниковых, монокристаллов, сростков

...левые способ получения монокриста перекристаллизации при повыш при нагревании двойниковых уры около 575 они превращаю дении эти монокристаллы снова ричем в решетке кварца возни ностью предлагаемогопроизводят во вращаюриентировкой оси вра особациюющей а.переалловочно оба является то,электрическом поля по отноше.сп ем ни не тол метод может быть приме таллам других веществ,к кристал и зобретен едм Способ п их перекрист ся тем, что рическом пол отношению к лучения монокристаллов из д лизации при повышенной тем ерекристаллизацию производ с соответствующей ориентиро си кристалла.1 оиниковых сростков путем пературе, отл и ч а ю щи йт во вращающемся электкой оси вращения поля по Предлагаетсясростков путем ихИзвестно, чтокварца, до...

Номер патента: 117541

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Румянцев

МПК: C30B 1/02

Метки: кристаллов, перекристаллизации

...способа по п, 1, отл и ристаллу сообщают вместо вращения винтовое частности кристаллов, тличающийся тем, статическом поле при ля.чающееся тем, чперемещение,Изобретение относится к спосооам перекристаллизации кристаллов,обладающих пьезоэлектрическими свойствами.Отличительной особенностью предлагаемого способа ято, что перекристаллизацию ведут в электрическом статическопри вращении или кристалла, или электрического поля.Кроме того, перекристаллизацию можно также производить присообщении кристаллу винтового перемещения,Сущность способа заключается в следующем, Кристалл, общий пьезоэлектрическими свойствами, помещают в статическообразовавшееся между соответствующими электродами, и вращабо сам кристалл, либо электроды (или то и другое...

Номер патента: 1059028

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Данилов, Одарич, Рубан

МПК: C30B 1/02

Метки: гранатов, структур, эпитаксиальных

...виде квадратных пластин с размером ребра 7 мм.Образцы разделены на 3 группы и лодвергнуть 1 обработке: первая группа - в окиси гал" лия при различных режимах; вторая - в окиси алюминия лри различных режимах; третья. - в окиси кремния при различных режимах. Контроль парамет. ров после обработки (измерение гра диента показателя преломления в диф. Фуэионных слоях и толщина этих слоев проведен отдельно в каждом образце элипсометрическим методом.П р и м е р 1, Обработка в порошке оксида галлия. Структуру ЖИГ на подложке ГГГ помещают в мелкощюсперсный порошок окиси галлия (в кераммическом тигле 1, тщательно утрамбовывают порошок в тигле и устанавливают его в отжиговую печь. Температуру поднимают по 150-200 оС/ч до 1100 ОС, далее пленку...