Прилепо

Номер патента: 1811635

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Буйницкий, Васильев, Вишнепольский, Галактионов, Губанов, Елизаров, Каплар, Кондратьев, Кориндясов, Лалыкин, Макаров, Нафиков, Прилепо, Сербин, Судак, Хлопкин

МПК: G21D 7/04

Метки: атомная, станция

...режимы работы обеспечиваютсяза счет саморегулирования без перемещения стержйей. 15Устройство работает следующим образом,Тепло от активной зоны 1 естественнойконвекцией водяного теплоносителя первого контура с температурой 320 С. передается к горячим спаям ТЭГ 4; охлажденный на15-20 С теплоноситель возвращается на входв активную зону 1. Генерация электрическойэнергии происходит вследствие разноститемператур, поддерживаемой между теплоносителями первого и второго контуров.Схема циркуляции теплоносителя в ТЭ,Гахорганизована по типу трубки Фильда: горячий теплоноситель течет внутри, а холодныйвозвращается по внешней полости, Схема 30организации циркуляции теплоносителяпервого контура аналогична общепринятойсхеме "труба в трубе",...

Номер патента: 1168332

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Белицкий, Новокрещенова, Прилепо, Совков, Урсуляк, Шаповалов

МПК: B22F 3/16, C04B 35/40, H01F 1/34 ...

Метки: иттриевого, поликристаллического, феррограната

...ТгО 57 РеОэ (3) согласно которым для комненсации избытка в 3 моль ортоферрита требуется введения 1 моль окиси железа, 45 а для компенеации недостатка в 5 моль ортоферрита - 1 моль окиси иттрия.В пересчете на массовые проценты для компенсации одного процента избыт ка ортоферрита требуется добавка 50 в шихту 0,27 мас,7. окиси железа а при недостатке одного процента ортоферрита - 0,23 мас.7 окиси иттрия,Заданное содержание ортоферрита в обожженной шихте определяют по 55 экспериментальным зависимостям изменения основных электромагнитных свойств спеченного феррограната(1 ц 88 - тангенса угла диэлектрических потерь, йр 8,1 в тангенса угламагнитных потерь, ДЧ - ширина линииФерромагнитного резонанса, , - плотности) от концентрации ортоферритав...

Номер патента: 971922

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Белицкий, Ковалевский, Прилепо, Урсуляк

МПК: C30B 9/00

Метки: кристаллов, раствора, роста, скорости

...состоящий из компонентов раст-ворителя и кристаллообразующих компонентов нагревают до температуры на 30 - 100 С зОвыше температуры начала кристаллизации,при этой температуре раствор выдерживаютдо полной гомогенизации и в него вводяткапилляр, через который подают инертныйгаэ. 25Скорости подачи газа регулируют такимобразом, чтобы через раствор проходило 5 -10 пузырьков в минуту, Давление в системеподачи газа регистрируют микроманометром,Далее раствор охлаждают до температурыниже температуры кристаллизации, содаваязаданное пересыщение, При этом на внутренних стенках капилляра образуются зародыши кристаллов, которые при своем ростеизменяют его внутренний диаметр. За счет35этого происходит увеличение максимальногодавления в газовой пузырьке....