Досюкова

Способ активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа aii bvi aiv и их твердых растворов

Загрузка...

Номер патента: 1286026

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Веденин, Досюкова, Липницкая, Осинский, Сурвило, Трофимов

МПК: H01L 31/18

Метки: активации, пленок, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых, типа, фоточувствительности

Способ активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа AII BVI AIV BVI и их твердых растворов в шихте, включающий приготовление активирующей шихты, погружение подложек с нанесенными пленками в объем шихты, термообработку пленок в шихте, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения однородности фотоэлектрических свойств по поверхности пленок, при приготовлении шихту фракционируют, затем в процессе термообработки шихту подвергают воздействию вибрации при частоте 50-100 Гц и амплитуде 1-2 мм, причем используют фракцию шихты с однородным гранулометрическим составом.

Фоторезисторный модулятор

Загрузка...

Номер патента: 1140653

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Брилевский, Веденин, Досюкова, Ковган, Нестерович, Осинский, Трофимов, Ширинский

МПК: H01L 31/08

Метки: модулятор, фоторезисторный

Фоторезисторный модулятор, содержащий светодиод, узел оптической связи и фоторезистор с растровой контактной металлизацией, отличающийся тем, что, с целью устранения паразитных фото- и термоЭДС при одновременном снижении выходного сопротивления модулятора, растровая контактная металлизация фоторезистора выполнена с центральной осью симметрии n-го порядка (n 3), причем ширина электродов прямо пропорциональна расстоянию от оси симметрии.