Досюкова
Способ активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа aii bvi aiv и их твердых растворов
Номер патента: 1286026
Опубликовано: 27.12.2006
Авторы: Веденин, Досюкова, Липницкая, Осинский, Сурвило, Трофимов
МПК: H01L 31/18
Метки: активации, пленок, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых, типа, фоточувствительности
Способ активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа AII BVI AIV BVI и их твердых растворов в шихте, включающий приготовление активирующей шихты, погружение подложек с нанесенными пленками в объем шихты, термообработку пленок в шихте, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет улучшения однородности фотоэлектрических свойств по поверхности пленок, при приготовлении шихту фракционируют, затем в процессе термообработки шихту подвергают воздействию вибрации при частоте 50-100 Гц и амплитуде 1-2 мм, причем используют фракцию шихты с однородным гранулометрическим составом.
Фоторезисторный модулятор
Номер патента: 1140653
Опубликовано: 27.12.2006
Авторы: Брилевский, Веденин, Досюкова, Ковган, Нестерович, Осинский, Трофимов, Ширинский
МПК: H01L 31/08
Метки: модулятор, фоторезисторный
Фоторезисторный модулятор, содержащий светодиод, узел оптической связи и фоторезистор с растровой контактной металлизацией, отличающийся тем, что, с целью устранения паразитных фото- и термоЭДС при одновременном снижении выходного сопротивления модулятора, растровая контактная металлизация фоторезистора выполнена с центральной осью симметрии n-го порядка (n 3), причем ширина электродов прямо пропорциональна расстоянию от оси симметрии.