Способ изготовления полупроводниковых чувствительных элементов датчиков

Номер патента: 1734136

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Лизин, Нардышев, Соколовский, Стучебников

МПК: H01L 21/98

Метки: датчика, держателем, полупроводникового, соединения, стеклянным, чувствительного, элемента

...осуществления процесса спекания (вместо процесса оплавления) и снижение на 50 - 120 С за счет уменьшения размера стеклочастиц, последнее определяют по отношению 4 Ь" М 1+273 - лг - где о- поверхностная энергия, эрг см;г, М - мол, масса, г; т - температура плавления вещества в макрообьеме, ОС; 0 - диаметр частиц, см; с 1 - плотность, г см з;- скрытая теплота плавления, кал мольПринимая, что все параметры, кроме О, сохраняют свои значения, запишем это соотношение для снижения на 50 - 120 ОС и для снижения на 10 С, а затем, разделив второе соотношение на первое, получаем 050-120 = (0-08 0,2) 010. Снижение на 10 С можно получить при дисперсности около 200 нм, Следовательно, дисперсность (16 40) нм обеспечит снижение на 50 - 120 С.Нижняя...

Номер патента: 1052971

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Белявская, Вайхброт, Головченко, Крупецкий, Легостаев

МПК: G01N 27/02

Метки: полупроводникового, чувствительного, элемента

...первичные и вторичные продукты. В воздухе такими продуктами радиационно-химических реакций могут быть озон и окислы азота, которые являются основным модифицирующим агентом при кислородных эффектах. Таким образом, основой химической защиты, используемой в радиобиологии, является взаимодействиерадиопротекторов и радиосенсибилизаторов с этими веществами, в первую очередь с окислами азота. Наиболее эффективными радиопротекторами в радиобиологии являются серусодержащиевещества органического и неорганического происхождения. Таким образом,универсальность явления кислородного эффекта позволяет разработать новый способ изготовлення полупроводникового газового детектора окисловазота, заключающийся в сенсибилизации полупроводника...

Номер патента: 1569634

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Афанасьев, Козин, Михайлов

МПК: G01L 27/00

Метки: давления, датчиков, испытания, полупроводниковых, чувствительных, элементов

...давления.Одновременно с испытательным даъ лением подается на нагреватель 14 с регулируемого источника 13 тока выходная величина У., в качестве которой может быть ток или напряжение, вызывающая нагрев корпуса 1 до температуры и и, соответственно, чувствительного элемента 6. Информация о текущей температуре я, с термочувствительного элемента 4 поступает в виде. сигнала Хе и подается на сравнивающий элемент 10, где сравнивается с сигналом, поступающим с задатчика 11 температуры; разница поступает на измеритель-регулятор 12, который управляет регулируемым источником 13 токаПо результатам испытаний чувствительного элемента судят о, его эксплуатационных характеристиках.Преимуществом предлагаемого устройства является расширение функциональных...

Номер патента: 1661600

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Белозубов, Козин, Марин, Михайлов

МПК: G01L 27/00

Метки: давления, датчиков, испытания, полупроводниковых, чувствительных, элементов

...диапазон работы датчика, Отклик с испытываемых тензочувствительных и термочувствительных элементов кристалла через зонды 27 поступает на регистрирующую аппаратуру, По результатам испытаний кристалла судят о его эксплуатационных характеристиках. Таким образом в предложенном решении расширяются эксплуатационные возможности устройства за счет обеспечения возможности испытания кристаллов при температурах ниже комнатной, так и при минусовых температурах. Кроме. того кристалл в предлагаемом устройстве можно испытывать на воздействие термоциклов,Использование устройства для испытания чувствительных элементов датчиков позволяет обеспечить следующие преимущества: повысить достоверность результатов испытаний за счет расширения диапазона...

Номер патента: 1506342

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Каскевич, Короташ, Маркова, Сычев

МПК: G01N 27/02

Метки: адсорбционного, линеаризации, полупроводникового, преобразования, характеристики, чувствительного, элемента

...зависимости (фиг. 1) и определяют напряжение Б , при котором совпадают экстремумы. 20На фиг. 2 показана зависимостьвыходного электрического сигнала отконцентрации паров СНЕОН, снятойпри величине напряжения на измерительных электродах 0 = 3,0 В (1), определенной по совпадению экстремумовзависимостей на фиг. 1.При отстройке от 11,= 3,0 В происходит уменьшение области линейности(кривая 2 снята при Б= 7,0 В). 30Напряжение на измерительных электродах адсорбционного полупроводникового чувствительного элемента, определенное по предлагаемому способу,обеспечивает линейность характеристики преобразования при изменении концентрации от 40 до 320 мГ/м.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу линеаризациихарактеристики...