Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур

Номер патента: 1336725

Авторы: Дениженко, Марфель

ZIP архив

Описание

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур по авт. св. 1222145, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено аттенюатором, коммутатором, сумматором и инвертором, при этом первый выход генератора трапецеидального напряжения соединен с вторым входом регистратора через сумматор, к второму входу которого через аттенюатор подключен выход коммутатора, первый и второй управляющие входы которого соединены соответственно с вторым и третьим выходами генератора трапецеидального напряжения, выход регистратора подключен к первому входу коммутатора и через инвертор к второму входу коммутатора.

Заявка

3963063/21, 11.10.1985

Физико-технический институт АН БССР

Дениженко А. Г, Марфель В. С

МПК / Метки

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, структур

Опубликовано: 27.09.2013

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1336725-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-parametrov-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур</a>

Похожие патенты