Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур по авт. св. 1222145, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено аттенюатором, коммутатором, сумматором и инвертором, при этом первый выход генератора трапецеидального напряжения соединен с вторым входом регистратора через сумматор, к второму входу которого через аттенюатор подключен выход коммутатора, первый и второй управляющие входы которого соединены соответственно с вторым и третьим выходами генератора трапецеидального напряжения, выход регистратора подключен к первому входу коммутатора и через инвертор к второму входу коммутатора.
Заявка
3963063/21, 11.10.1985
Физико-технический институт АН БССР
Дениженко А. Г, Марфель В. С
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26
Метки: параметров, полупроводниковых, структур
Опубликовано: 27.09.2013
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1336725-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-parametrov-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур</a>
Предыдущий патент: Устройство к прессу для подачи и удаления заготовок
Следующий патент: Сплав для резистивных пленок и способ его получения
Случайный патент: Узел крепления для выработок