Способ получения диэлектрических пленок для мдп-структур на основе полупроводниковых соединений aiiibv

Номер патента: 957316

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Гостиев, Малынин, Морозов, Хмара

МПК: H01J 19/30

Метки: антидинатронное, оксида, основе, покрытие, приборов, хрома, электровакуумных, электродов, электролит

...кремнефтористого калия ниже указанного значения приводит к возрастанию содержания в покрытии оксида хрома, что отрицательно сказывается на его стойкости к электронной бомбардировке. Увеличение концентрации кремнефтористого калия выше предельного значения приводит к изменению характера микрорельефа поверхности покрытия в сторону его сглаживания и возрастанию в связи с этим 6 выше допустимых значений. Микрофотографии поверхности антидинатронных покрытий получают методом растровой электронной микроскопии во вторично-электронном изображении с помощью электронного микроскопа типа 15 М - 50 А, Объектом электронномикроскопического исследования являются образцы антидинатронных покрытий на основе хрома и оксида хрома, нанесенных на медную...

Номер патента: 273614

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ильин, Фортовова

МПК: C25D 3/62

Метки: золота, осаждения, основе, сплава, электролит

...0,3 - 5. В раствор хлористого золота вливают нагретый до кипения концентрированный раствор железистосинеродистого калия. Полученный раствор нагревают 15 - 20 яшн. Затем вводят холодный раствор углекислого калия и кипятят це менее четырех часов. Полученный осадок гидроокиси железа отфильтровывают.Для создания кислой среды вводят органическую кислоту (муравьиную, щавелевую, вин ную, лимонную, сульфаминовую), а для стабильности величины рН - восстановцтель (сернистокислый натрий цли гипофосфит). Затем отдельно готовят раствор, содержащий комплексные соединения никеля, кобальта, оло ва или сурьмы с трилоном Б, путем растворения просты.; солей этих металлов в трилоне и вливают в кислый железцстосинеродцстый электролит...

Номер патента: 470557

Опубликовано: 15.05.1975

Авторы: Миловзоров, Савощенко

МПК: C23B 11/00

Метки: окисных, пленок, титане, электролит

...получить на поверхности титана тонкую, плотную, электроизоляционную пленку.Известен электролит для получения окисных пленок на титане, например, при изготовлении анодов электролитических конденсаторов на основе раствора вольфрамовокислого натрия.Окисные пленки на титане, полученные в водном растворе натрия вольфрамовокислого, не обладают достаточной плотностью и электроизоляционными свойствами.С целью улучшения электр оизоляционных свойств окисных пленок предлагаемый электролит дополнительно содержит соль плавиковой кислоты, например фторид натрия, при следующем соотношении исходных компонентов мол.%:)Натрий вольфрамовокислый 43,6 - 44,0 Фторит натрия 0,002 - 0,23 Вода 55,2 - 56,3. В водный раствор вольфрамовокислого атрия в...

Номер патента: 711452

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Бочвар, Капитонова, Киткина, Лысова, Седлецкий

МПК: G01N 27/42

Метки: анодного, изолирования, меди, основе, сплавов, фазы, электролит

...объема, переводят в мерные колбы и определяют содержание в нем меди, марганца, железа, алюминияпо методикам, общепринятым в аналитическойхимии, После выполнения химического анализарассчитывают процентное содержание элементов анодного осадка к убыли массы сплава,а также массовый процент каждого элемента вфазовом осадке.Изучение структуры изолированных фаз осу.ществляют рентгеноструктурньм методом наанодных осадках, выделенных с параллельныхобразцов. Исследование проводят на установкеУУС - 60 в медном Ка.излучении. Идентификация фаз проводится по картотеке АЯТМ.Результаты химического и рентгеноструктурного исследования приведены в таблице. рение основы медных сплавов. Вместе с тем при концентрации свободных молекул аммиа. ка ) 0,5 М и...

Номер патента: 717926

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Быковский, Дудоладов, Кобыляков, Козленков, Лощинин, Миронос, Шаповалов

МПК: C23C 14/28

Метки: двухслойных, основе, пленок, сверхтонких, сплошных, структур

...с и в существенно неравновесных условиях. Пересыщения, развивающиеся при этом, настолько велики, что эффективные размеры устойчивого зародыша должны быть меньше атомных размеров, т.е. рост пленки происходит сразу сплошным слоем. Подавление процессов миграции во время сверхбыстрого осаждения тонких слоев является причиной образования сплошных сверхтонких пленок при испарении вещества импульсным ОКГ. Режим работы импульсного ОКГ при этом не имеет решающего значения, Дальнейшее поведение осажденной пленки зависит от ее толщины с;, температуры подложки 1 з, в еличины пер е грев а ь 1 пленки в момент осаждения, адгезии пленки к подложке, степени соответствия параметморфологическая релаксация первоначально сплошной пленки в дискретную. Время...