Патенты с меткой «сингонии»

Номер патента: 600387

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Абен, Бросман, Каплан

МПК: G01B 11/16

Метки: кубической, монокристаллов, напряжений, образцах, поляризационно-оптический, сингонии, цилиндрических

...=Сг+ С 4 (х 1+ г 1+ С 4 ХС 4 - СХ (х 1+ г 1)1+ (х 1 - г 1) бй. (13)После интегрирования последнего выражения получим линейную систему уравнений дляопределения коэффициентов С 2, С 4, Сб,СгРг(х)+С 4 Р 4(х,1) + .С 4 - С,",1 ХГ - 6(5) 55 где хх у 111 1 (6)60Если измерить разность ходами(х) притзначениях координаты х, т. е. при х;=1, 2 , то из соотношения (4) получим линейную систему уравнений для определения коэффициентов а 0 а 2 а 4 а 2 п 65 21 а - / 61 - Х 111(16) дающем с одной из двух кристаллографических осей 100 или 001 образца. Измеряют по всему. диаметру образца суммарную разность хода излучения, прошедшего через излучения, прошедшего через образец, Лналогично проводят измерения при просвечивании образца под углом Р к оси г в...

Номер патента: 834391

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Андрианова, Афанасьев

МПК: G01B 11/16

Метки: кристаллахкубической, напряжений, поляризационно-оптический, сингонии, способопределения

...света при нормальных и наклонных положениях падения света на образец, измеряют оптическую разность хода пучка и10 его изоклину, по которым определяют на- .пряженияНедостатком данного способа является то, что он требует постановки дополнительных экспериментов, связанных с при 15 менением иммерсионных жидкостей.Наиболее близким к предлагаемому является поляризационно оптический способ определения напряжений в кристаллах кубической сингонии, заключакнцийся в том, что кристалл просвечивают параллельно его кристаллографическим плоскостям (100) и (111) поляризованным лучом света, измеряют оптическую раз 2ь хода и параметр изоклины, по котоопределяют напряжения 1,21.Недостатком известного способа является то, что он не дозволяет...

Номер патента: 1600189

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Агей, Зеленин, Ковшик, Мельников, Тарасевич

МПК: B28D 5/00

Метки: кубической, монокристаллов, пластины, полупроводниковых, резки, сингонии, слитков

Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины кольцевым инструментом, включающий изготовление базового среза слитка, ориентирование плоскости реза по кристаллографической плоскости (001), наклейку слитка на оправку и закрепление их на суппорте станка и перемещение вращающегося инструмента относительно слитка по дуге окружности в плоскости реза, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных изделий за счет снижения их прогиба и уменьшения количества микротрещин и сколов в начале и конце резки, при наклейке слитка базовый срез его располагают в нижнем правом квадранте при наблюдении со стороны приклеиваемого торца под углом 40-45° к...