Способ анодного окисления полупроводниковых пластин в галогенсодержащих электролитах
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
1. Способ анодного окисления полупроводниковых пластин в галогенсодержащих электролитах путем подачи положительного напряжениян на окисляемую пластину, отли-чающийся тем, что, с целью повышения качества окисления, перед подачей положительного напряжения на пластину в непосредственной близости от нее генерируют галоген-радикалы путем подачи отрицательного напряжения 3-10 В на пластину или на дополнительно вводимый электрод.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что отрицательное напряжение, поданное на пластину, выдерживают в течение 5-60 с, после чего полярность меняют.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что отрицательное напряжение на дополнительно вводимый электрод подают в течение всего процесса окисления и этот электрод располагают на расстоянии 5-10 мм от пластины.
Заявка
2227311/28, 04.11.1977
Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина
Алехин Анатолий Павлович, Емельянов Аркадий Владимирович, Лаврищев Вадим Петрович
МПК / Метки
МПК: H01L 21/316
Метки: анодного, галогенсодержащих, окисления, пластин, полупроводниковых, электролитах
Опубликовано: 20.08.2006
Код ссылки
<a href="https://patents.su/5-1840203-sposob-anodnogo-okisleniya-poluprovodnikovykh-plastin-v-galogensoderzhashhikh-ehlektrolitakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ анодного окисления полупроводниковых пластин в галогенсодержащих электролитах</a>