Кутилов

Номер патента: 1105022

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Кутилов, Покрышкин, Сигалов

МПК: G01N 21/47, G01N 21/88

Метки: качества, поверхности, подложек, полупроводниковых

Устройство для контроля качества поверхности полупроводниковых подложек, содержащее смонтированный на станине предметный столик, расположенные на одной оптической оси лазер, коллиматор и полупрозрачное зеркало, видикон и видеоконтрольное устройство, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения качества контроля, оно дополнительно снабжено механизмом разделения потоков, состоящим из штыревых фиксаторов, пневматического сопла и светочувствительных датчиков положения полупроводниковой подложки, блоком импульсов запуска, генератором развертки, ключом, видеоусилителем, первым компаратором, задатчиком уровня срабатывания первого компаратора, первым счетным...

Номер патента: 1724590

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Дьяченко, Казанцев, Ковалев, Копырин, Кутилов, Леонова, Максимков, Пяртман, Славецкий

МПК: C01F 17/00, C02F 1/42

Метки: металлов, растворов, редкоземельных, хлоридов, цинка

...и солянойкислоты 10 - 10 " моль/дм,Способ основан на селективном извлечении анионных комплексов цинка (П)(2 пСз), образуемых в предлагаемом диапазоне концентраций хлоридов РЗМ, за счетих взаимодействия с указанными функциональными группами анионита ВПАП приотсутствии конкурентной сорбции солянойкислоты в предлагаемом диапазоне ее концентраций.Наличие в анионите пиридинового и метилпиридинового азота приводит к повышению емкости анионита, т,е, к увеличениюколичества очищенного продукта на единицу загруженной смолы, Уменьшение концентрации хлорида РЗМ менее 0,5 моль/дмзприводит к недостаточной глубине очисткиот цинка за счет неполного его связыванияв хлоридные комплексы. Увеличение концентрации хлорида РЗМ более 1,5 моль/дмзприводит к...