Патенты с меткой «памяти»

Номер патента: 1587594

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Боженко, Мешков

МПК: G11C 21/00

Метки: динамической, памяти, регенерации

...в регистр 6(фиг, 5 о-р). При этом "О" на выходе триггера 9 блокирует работу шифратора 7, на его выходе запроса устанавливается "1" и коммутатор 8 постоянно подключает выход блока 5 к информационному входу регистра 6.Режим регенерации задается установкой "1" на входе 13 (фиг.6 а). Снимается сброс со счетчика 2, коммутатор 3 подключает к выходу 11 информационный выход счетчика, а к выходу 12 - информационный выход шифратора 7, Запись в блок 5 памяти блокируется, Блок 1 начинает генерировать синхросигналы (фиг. 6 б,г). По состоянию счетчика (фиг.бе) из блока 5 выбирается байт признаков внешнего обращения к памяти, который по сигналу 1,6 (фиг.6 г) заносится в регистр 6 (фиг.6 о-р). Если в байте эти признаки присутствуют, то по...

Номер патента: 1587598

Опубликовано: 23.08.1990

Автор: Козлов

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти

...8 - логический "О", У 9 - коммутирует на выход мультиплексора 3 импульсы синхронизации СО, У 10 - логическая 25"1", У 11 - устанавливает параметры псевдослучайного циклического кода, У 12 - логическая "1", У 13 - логическая "1", У 14 - устанавливает начальное состояние счетчика 8, который определяет число циклов обращения к контролируемой памяти, У 15 - логический "О". Таким образом, ключ 10 закрыт, все блоки, входящие в состав устройства, находятся в исходном состоянии, формирователи 17 и 18 в третьем состоянии. Далее к устройству подключается контролируемая память и на вход У подается логическая "1", в результате этого формирователи 17 и 18 открываются и на входы контролируемой памяти поступают сигналы, которые переводят ее в...

Номер патента: 1587599

Опубликовано: 23.08.1990

Автор: Колчанов

МПК: G11C 11/14, G11C 29/00

Метки: доменной, памяти

...запускают и останавливают формирователь кодовых последовательностей и определяют вид преобразования исходной кодовой информации. Блок 12 обработки принимает управляющие слова из первого регистра 20 управления, преобразует кодовую информацию, считываемую из блока 14 памяти, и загружают ее в регистр 13 сдвига. Регистр 13 сдвига по синхросигналам от генератора 2 синхроимпульсов фиг, 1) сдвигает слово принятой информации, преобразуя его в кодовую последовательность, Сформированная кодовая последовательность передается через элементы И группы 22 на те выходы формирователя кодовых последовательностей; которым соответствуют "единицы" в управляющем слове, находящемся во втором регистре 21 управления (фиг. 2).Наличие второго регистра 16...

Номер патента: 1589282

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Горошкин, Король, Крылов

МПК: G06F 12/00, G06F 19/00

Метки: контроллер, памяти

...триггер 9 в нуль, разрешит работу шинного Формирователя 2, сделав тем самым доступной для чтения ЭВМ данных с магистрали 21, Нулевое состояние триггера 9 может быть проанализировано ЭВМ, т.е. ЭВМ может установить, закончил ли контроллер работу по программе и Ьормирование массива или нет. В случае подключения выхода 20 к входу маскируеьых прерываний ЭВМ и при незамаскированности указанного прерывания переключение триггера 9 в нуль автоматически прервет работу ЭВМ для выполнения процедуры чтения массива данных иэ блока 7. Указанное прерывание должно маскироваться во время записи программы работы утройства, когда триггер 9 также находится в нулевом состоянии.Чтение массива данных из блока 7 выполняется следующим образом.При нулевом...

Номер патента: 1589325

Опубликовано: 30.08.1990

Автор: Букин

МПК: G11C 29/00

Метки: интегральных, микросхем, оперативной, памяти

...чтения по последнему адресу импульс переполнения счетчика 3 адреса устанавливает триггер 7 записи-чтения в нулевое состояние и открывается элемент И 4. На этом заканчивается нулевой кадр,В первом кадре в режиме записи при нулевом адресе на счетчике 3 адреса триггер 23 еще находится в единичном состоянии, что обуславливает запись 1 по нулевому адресу.Очередной импульс с выхода генератора 1, пройдя через элементы И 4 и 21, устанавливает триггер 23 в нулевое состояние.В последующих кадрах устройство рабо. тает аналогично описанному, при этом 1 в каждом последующем кадре записывается со сдвигом адреса на единицу.Окончание контроля в режиме бегущая 1 характеризуется записью единицы в последнем кадре по последнему адресу, что фиксируется...

Номер патента: 1590089

Опубликовано: 07.09.1990

Автор: Герасимов

МПК: A63F 9/06

Метки: игра, памяти, тренировки

...7 вокруг оси 4, а вместе со шторкойвследствие кинематического сцепления собачки 11 с зубьями 6 храпового механизма поворачивается цилиндр 5. После чего рукоятку 9 отпускают, шторка 7 под действием 40пружины 8 возвращается в исходное положение, а цилиндр окажется повернутым на один сектор. В окне 3 будет установлен новый вариант: очередной номер варианта на цилиндре 5 и соответствующие ему новый цветовой тест и общий символ. Задача играющего запомнить какому порядковому номеру варианта на цилиндре 5 соответствуют цветовой тест на кольцах 12 и 13 и общий символ на лысках 14.Для вспоминания и фиксации цветовыхтестов и символов предназначены дополни 1590089Формула изобретения 40 45 50 55 ная, искать и фиксировать тесты, символы, сверяя...

Номер патента: 1594458

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Ботвиник, Власенко, Сахаров

МПК: G01R 31/303, G11C 29/00

Метки: интегральных, микросхем, памяти

...времени рассасыванияОпределение этого параметра для5каждого элемента проводится отключением питающего напряжения. Оцнакопосле восстановления напряжения питания ввиду существования динамическ:ой 1 Оасимметрии двух плеч триггера инФормация о наличии деФектного элемента.Памяти, если не принять специальныхМер, может быть потеряна.Очевидно что плечо элемента памяги, в состав которого входит транзистор с недостаточным уровнем коэФФициента усиления или с большим токомутечки при отборе тока, из его базсвой цепи, что реализуется при проведении операции "Считывание инФормаКии", при прочих равный условияхвключается большее время, чем плечо,не имеющее такого деФекта,Следовательно, восстановление наПряжения питания в этом случае неПриводит к потере...

Номер патента: 1594516

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Бруевич, Воробьев, Куликов, Садовникова

МПК: G06F 1/04

Метки: памяти, синхронизации

...допустимой, то при настройке следующего, четвертого СС,отрицательные импульсы на вход 25приходят до тех пор, пока на вход 4 1устройства не поступает логическаяединица. Так как на управляющих входах мультиплексора 10 в этот моментприсутствует код 100., то на его выходе оказывается низкий уровень напряжения, поступающий на второй входэлемента ИЛИ 9. При цаличиии возможности увеличения дискретностц наего первом входе также присутствуетнизкий уровень. В результате логический ноль поступает ца первый входэлемента ИЛИ 8,С приходом отрицательного импульса ца вход 25 на обоих входах элемента ИЛИ 8 оказываются низкие уровни и отрицательный импульс с его выхода проходит на вход сброса триггера 3, Так как переключение последнего происходит по...

Номер патента: 1594547

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Козелков, Лозбенев, Пархоменко, Черняев

МПК: G06F 12/00

Метки: адресации, блоков, памяти

...группу выходов 6 устройства, элемент ИЛИ-НЕ 7 и группу Р"триггеров 8;20Устройство работает следующим образом.На сеансе распределения памяти в соответствии с сигналами переключателей 1 сигнал высокого уровня на 25 выходе переключателей 1-4 соответствует состоянию "Блок включен" (исправен), сигнал низкого уровня - "Блок выключен" (неисправен).После сеанса распределения памяти устройство готово к работе в режиме внешних обращений. При этом 3-му адресу обращения (3 =1,2,..,п) всег да соответетвует 1-й блек памяти из числа неотключенных и незанятых блоков памяти.В режиме внешних обращений работа предлагаемого устройства не отличается от работы известного за исключением того, что при любом адресе обращения и соответственно нри сеансе с...

Номер патента: 1594548

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Дзюба, Милейковский, Рябов

МПК: G06F 11/00, G06F 13/00

Метки: обращений, памяти, процессора

...потенциал, который запрещает дальнейшую установку счетчика; элемент И-НЕ 23 пропускает на выход 25 серию импульсов, которые подсчитываются счетчиком 14; элемент И 22 с помощью триггера 20 блокирует поступление тактовой частоты на выход 16 устройства, тем самым приостанавливая работу процессора, Это состояние узел 8 сохраняет до переполнения счетчика 14.В момент переполнения старший разряд счетчика 14 устанавливается в нулевое состояние; врезультате чего элемент И-НЕ 23 блокирует поступлениечастоты на выход 25 узла 8. Далееразрешается прохождение тактовое частоты на выход 16 и с задержкой на,один такт с помощью триггера 21 снимается запрет предварительной установки счетчика 14 по выходу 26.Таким образом, в рассмотренном примере...

Номер патента: 1594602

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Горохов, Драчук, Зиборов, Иванов, Косов, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти, токов, управляющих, формирователь

...известно, что резистор, включенный в эмиттер транзистора, создает в усилителе. отрицательную обратную связь по току, в результате чего ток коллектора транзистора практически точно повторяет форму входного напряжения на его базе, т,е, такой усилитель можно рассматривать как генератор тока. Следовательно, под воздействием напряжения отрицательной полуволны на базе мощного транзистора 1 его коллекторный ток имеет форму синусоидальной полуволны, амплитуда. которой зависит как от амплитуды полуволны входного напряжения,так и от величины сопротивления резистора 10,Одновременно положительная полу- волна выходного сигнала коммутатора 14 через согласующий усилитель 9 открывает транзистор 4, в результате чего коллекторный ток транзистора 1...

Номер патента: 1594604

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Моторин, Прохоров, Теленков, Фомин

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...и 12 и открыванием транзисв 5 и 6 (и-канальные транзисторы) поступление по дине 9 уровня "1". Поскольку при запис 11 все равно необходим этап воздействия на триггерное кольцо, то в этом случае не важно наличиее пар аз ит ной е мс ости на шинах 11 и 12Предлагаемая развязка по считыванию и записи значительно повышает на" дежные характеристики элемента памяти. Подобная организация не ограничивает потребителя При этом выбраны ключевые элементы на транзисторах для записи и считывания различного типа проводимости, что позволяет достичь симметричности и полного топологичес кого покрытия принципиальной схемой ячеистой структуры БМК, Это видно на примере реализации элемента памяти на основе БМК, На фиг. 2 - ячейка БМК, на фиг, 3 - топология...

Номер патента: 1594609

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Ильин, Каюшев, Киселев

МПК: G11C 21/00

Метки: динамической, памяти, регенерации

...предлагаемое устройство, перевод системы в пошаговый режим, тестирование статическими сигналами не ведет к стиранию информации в БИС ОЗУ.Формирование оптимальной временнойдиаграммы выдачи управляющих сигналов осуществляет блок 3.Блок 3 (фиг.3) работает следующим образам.В момент появления сигнала логической "1" на втором входе блока 3 снят запрет с установочных входов счетчика 16 и регистра 18. Счетчик 1 б, тактируемый сигналами высокой частоты с выхода гененатора 15, увеличивать свое содержимое. По сигналам с выхода генератора 15 в регистр 18 записывается информация с выхода постаяннога запоминающего устройства 17, соответствующая адресам микрокоманд, определяемых счетчиком 16 микрокаманд, Таким образом, можно жестко зашить...

Номер патента: 1594610

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Костанди, Подунаев, Полосин, Руденко, Саксонов, Соснин, Шевченко

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти

...табл.1), Следующий импульс с выхода триггера 9 переводит нл короткое время счетчик 1 О в состояние 1, но тут же следует его сброс, посколькуна входе модуля пересчета присутствует единичный код. Сигнал переноса с выхоча счетчика 10 увеличивает содержимое счетчика 11, и устройство переходит к формированию второй зоны тест-программы (г=2) и так далее.Нулевые данные сохраняются нл выходах преобразователей 19 и 20 до тех пор, пока содержимое счетчиков 10 и 11 не сравняется или не превысит содержимое регистра 12. Для ЗУ абьемом 16 четырехрлзрядных слав впервые это происходит в четвертой заве, Содержимое счетчикл 11 и ре-истра 17 сравнивается, и на Выходе сумматора 16 появляется нулевой код. Г 1 ри этом нл Выходе преобразователя 20...

Номер патента: 1594611

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Андреева, Бородин

МПК: G11C 29/00

Метки: блоках, обнаружения, ошибок, памяти

...100 не пропускают сидня.-.ов с выходов триггеров 79 и Яй на схему 91сравнения,Блок 3 обнаружения адреса ошибки,преобразует информацию, псступающуюня вход одновременно с пр.образователем 1 кода на основе мнсгочленах ьх+ 1. При этом через коммутаторы, з15121 и 122 выходы триггеров 103 и 107верхнего (по схеме) и нижгего осгистров соединены с сумматорами по модулю двя 109 и 111 соответственно, атакже через коммутаторы 1 г 7 и 118 ссумматорами по модулю два 110 и 11220соответственно. Ня схему 113 сравнения поступают сигналы с выходовтриггеров 101 в 1 и 105-107,На этапе деления информационногомногочлена, поступающего на декодирующее устройство, на со:тагляющие ггорождающего полинома 8(х) г: блоках1-3 формируются остатки аз делегия.Если...

Номер патента: 1596390

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Батраков, Федосеев

МПК: G06F 12/00, G06F 13/16, G11C 11/00 ...

Метки: буферной, памяти

...памяти заполнен и запись зап рещена), то на входе соответствующего элемента И 32 присутствует высокий потенциал. Поэтому сигнал записи с выхода соответствующего элемента 22 задержки проходит через соответствующий элемент И 32 и элемент ИЛИ 5 на выход 13 устройства, сигнализируя о невозможностиосуществления записи в указанный блок 12 буферной памяти.Чтение информации производится припоступлении на вход 18 устройства управляющего сигнала чтения. Данный сигнал разрешает прохождение адреса выбираемогоблока 12 буферной памяти с входа 16 устроиства через группу 4 элементов И в регистр 9, В результате на соответствующем выходе дешифратора 11 появляется разрешающий потенциал, который поступает на вход элементов И 31 и ЗЗ соответствующего...

Номер патента: 1599898

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Архаров, Герасимов, Гулевский, Настрадин, Рышков

МПК: G11C 11/40

Метки: динамический, памяти, элемент

...областей сопротивление запертого транзистора 3 меньше сопротивления транзистора 1, и обратный ток, проходящий через них создает на транзисторе 3 падение напряжения равное нулю. Переход из первого устойчивого состояния во второе начинается с момента подачи на вход элемента отрицательного импульса, амплитуда которого по абсолютной величине превышает пороговое напряжение МОП транзистора 1. При этом заряжается конденсатор 4 и открывается МОП транзистор 1. Параметры схемы элемента памяти выбраны такими, что после окончания действия на входе информационного сигнала, к моменту прихода импульса от источника питания конденсатор 4, зарядившись через транзистор 3 (величина заряда тока зависит от геометрических размеров стоковой области...

Номер патента: 1599901

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Лисицын, Марголин

МПК: G11C 29/00

Метки: аварийном, информации, отключении, памяти, питания, полупроводниковой, сохранения

...на резисторе 7 высокий уровень напряжения будет сохраняться на выходе 21 устройства все время, когда напряжение основного источника 1 питания ниже номинального. Память 3 будет при этом находиться в режиме хранения.При снижении напряжения основного источника 1 питания ниже напряжения резервного источника 2 питания, разделительный элемент на диоде 3 закрывается, а разделительный элемент на диоде 4 открывается, обеспечивая непрерывность подачи питания на память 5 и поддержание высокого (запрещающего) уровня на выходе устройства 21.При включении питания (Т 5 фиг. 2) напряжение питания нарастает от нуля до номинального значения. Напряжение на стабилитроне 14 нарастает от нуля до напряжения стабилизации стабилитрона 14 (Тб фиг, 2),...

Номер патента: 1600002

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Бузин, Гапонов, Ильин, Марчук

МПК: H04N 7/18

Метки: изображения, кадр, памяти, теливизионного, цифрового

...а следовательно обеспечить поворот растра,Формула изобретения1. Устройство памяти на кадр цифрового телевизионного изображения, содержащее четыре входных сдвиговых регистра, четыре входных буферных регистра, четыре блока оперативной памяти, четыре выходных сдвиговых регистра и блок управления и синхронизации, при этом выход данных первого - четвертого входных сдвиговых регистров соединен. соответственно с входом данных первого - четвертого буферных регистров, выход данных первого - чет" вертого буферных регистров соединен соответственно с входом данных первого - четвертого блоков оперативной памяти, причем выход данных четвертого выходного сдвигового регистра является выходом устройства, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью...

Номер патента: 1601146

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Козлова, Кокорин, Соснин, Черненко

МПК: C21D 1/78, C22F 1/10

Метки: памяти, системы, сплава, термообработки, формы, эффектом

.... 1 ОО Х).Экспериментально установлено, что при указанных режимах термообработки двухстадийное старение ауст"нита не приводит к ячеисому распаду, Та 1601146 4:распад твердого раствора и отсутствуют выделения на границах зерень ,как фактора, препятствующего согла 5 сованному изменению формы каждого ;зерна под нагрузкой в процессе прямого мартенситного превращения, в связи с чем увеличивается величина неупруГой обратимой деформации. 10Проводят термообработку двух высоконикелевых сплавов Ре-М-Со-Тх. Характеристические температуры мартенситного превращения и величинуеупругой обратимой деформации Е нп, 15 определяют методом прогиба пластинчатых образцов, нагруженных по схеме трехточечного изгиба. Испытываей 1 й на прогиб образец упруго...

Номер патента: 1603183

Опубликовано: 30.10.1990

Автор: Остапенко

МПК: G01B 5/30

Метки: напряженно-деформированного, памяти, проявляющего, состояния, термочувствительных, формы, элементов, эффект

...раскрытьфизический смысл членов уравнения(1) и сопоставить их с (2), то можно записатьл л л С(5) 50 55 5 160Т - температура проведения испытаний.При этом Ч, А, С зависят от напряжений .б, действующих в ТЧЭ, т.е. эти свойства являются термоупругими. Их термоупругость проявляется в изменении численного значения параметра при изменении уровня механических напряжений. Таким образом, способ может быть реализован путем измерения люрого из термоупругих параметров. Однако в качестве конкретного примера рассмотрим осуществление способа путем замера характерных теплот. При увеличении нагрузки в диапазоне 5 с (7 напряжения б , действующие в кристаллах, уменьшаются, а при дальнейшем росте нагрузки в диапазоне б (7 е напряжения 6 в кристаллах...

Номер патента: 1603420

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Долгов, Кирюхин, Кудряшов, Мухортов

МПК: G09B 9/00

Метки: памяти, тренировки

...компараторов 9 и 10 отсутствует. Импульс опроса с выхода счетчика 19 передвинет содержимое в регистре 32 блока 5 на один разряд.Если второе число больше первого, то с выходов одного из компараторов (9 или 10) . к соответствующему первому входу элемента И 11 или 12 будет приложен единичный потенциал. Импульс опросапоступивший с выхода счетчика 19 формирователя 2 на вторые входы элементов И 11 и 12, пройдет через элемент ИЛИ 13 на вход регистра 32 блока 5. Импульс опроса, поступивший несколько раньше на вход С регистра 32, по заднему фронту синхроимпульса произведет запись 1 в регистр 32. 20Поступление следующего импульса опроса (при отсутствии сигнала на выходах компараторов 9 и 1 О) произведет сдвиг 1 в регистре 32 на один разряд.После...

Номер патента: 1605281

Опубликовано: 07.11.1990

Автор: Стыврин

МПК: G11C 29/00

Метки: блоках, интегральной, обнаружения, оперативной, ошибок, памяти

...5, наличие ошибки при поразрядном сравнении, циклы проверкипамяти (записи-считывания и чтения),прямой или инверсный код контрольноготеста и код текущего адреса проверяемой ячейки памяти,Таким оЬразом, повышается достоверность обнаружения неисправностей в 05281 6блоках интегральной оперативной памяти, что позволяет осуществлять функционально-технологический контроль,диагностику и наладку блоков памятипри изготовлении и ремонте, а такжевходной функциональный контроль БИСполупроводниковой оперативной памятив автономном режиме на их рабочихчастотах.Указанные преимущества обусловлены реализацией режимов многократногообращения (циклы записи-считывания)по адресу яцейки памяти с ошибкой,двукратного обращения по каждомуадресу ячеек памяти при...

Номер патента: 1607014

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Прокопенко, Рыжкова, Сидоренко, Тальнова, Хцынский, Ярандин

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...что на управляющей шине 9 напряжение высокого уровня, между областями 2 3 образуется канал, напряжениепрограммирования от программирующейшины 8 поступает на первую. диффузионную область 2, пробивает второй диэлектрический слой 6 и между слоем 7и первой диффузионной областью 2 формируется низкоомное соединение, эле 55мент запрограммирован (записанноесостояние - низкое сопротивление). Использование туннельно-тонкого слоя 6 из диоксида кремния, применение в качестве слоя 7 пленки поликремния позволяет совместить изготовление элемента памяти с технологией ЭС РПЗУ с плавающим затвором, что дает возможность повысить устойчивость и надежность воспроизводимых характеристик элемента памяти, не приводящих к потере информации программирующих...

Номер патента: 1608676

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Гущин, Лисянский, Мирошниченко, Шелехань

МПК: G06F 12/08

Метки: обращением, памяти

...к памятиот первой вычислительной машины поступает запрос ка обращение к памятиот второй вычислительной машины, топод действием низкого потенциала навходе 24 устройства устанавливаетсявысокий потенциал на четвертом входе элемента И 6, на первом входе элемента И 9 и на выходе 45 блокировкивторой вычислительной машины, который блокирует работу второй вычислительной машины до момекта предоставления ей устройством доступа к памяти с целью ликвидации ситуации ложного "зависания" второй вычислительной машины,На выходе элемента И 6 сохраняется низкий потенциал до тех .пор, пока на его первом входе действует низкий запрещающий потенциал,который снимается после окончанияобработки запроса на обращение к памяти от первой вычислительной машины или...

Номер патента: 1608744

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Линник, Пичугин

МПК: G11C 5/02

Метки: блоков, накопитель, памяти, сердечниках, ферритовых

...импульса разрядного тока на время, необходимое для завершения переходных процессов установления тока и затухания помехи в разрядной цепи, При этом, если выбранный ферритовый сердечник находится в состоянии "1", происходит его перемагничивание в состояние 0 , и на вы 11 1бранном разрядном проводе наводится 1 0 ЭДС , соответствующая сигналу " 1 11 . Полезный сигнал с сердечника считывается с выбранного разрядного провода (система 2,5 Д 2 Я) либо со специальной обмотки счйтывания (система 2,5 ЛЗУ). 15Выполнение цепи адресного тока в виде двухпроводной линии, состоящей из адресного провода 5 и печатного проводника 6, по которому адресный ток возвращается к элементам 2 элек троники обрамления,. обуславливает значительное снижение...

Номер патента: 1608752

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Боженко, Крот, Мешков

МПК: G11C 21/00

Метки: динамической, памяти, регенерации

...элементы 15 и 19 на вход установки счетчика 3 (фиг. Зд) и в него заносятся адреса АК. Пример адресации отображен на фиг. Зз. С выхода счетчика адреса АК поступают на выход 9 устройства для адресации динамической памяти.Состояние счетчика 3 сравнивается блоком 6 сравнения с состоянием регистра 4 и блоком 7 сравнения с состоянием регистра 5. Если первый из поступивших по входу 14 АК не является ни единичным, ни нулевым, то блок 7 сравнения вырабатывает сигнал Меньше (фиг. Зи), а блок 6 - сигнал Больше (фиг. Зк), которые поступают на входы разрешения записи соответствующих регистров, и по Т 2, поступающему с выхода элемента И 16, этот АК заносится в оба регистра. Затем, если значение следующего АК превышает значение АК, занесенного в...

Номер патента: 1608755

Опубликовано: 23.11.1990

Автор: Шкадин

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, полупроводниковой

...сра 12) или триггер 14 (при нулевом состоянии триггера 12). При этом выход элемента ИСКЛ ОсАО ЩЕЕ ИЛИ 18 принимает значение логической 1, единичный 25 30 35 40 45 уровень на выходе одного из элементов И 4 - 5 в зависимости от того, какой из пары триггеров 13 - 14 установился в единичное состояние, изменяет состояние триггера 2.С приходом очередного импульса с выхода делителя 2 частоты цчкл повторяется с тем лишь отличием, что при .;равильной записи информации устанавливается в единичное состояние другой триггер из пары 13 - 14, При неправильной записи информации в проверяемую ячейку ОЗУ 22 импульс с выхода несовпадения блока 11 сравнения увеличивает на единицу содержимое счетчика 9 сбоев, однако триггер 12 не изменяет своего состояния,...

Номер патента: 1611979

Опубликовано: 07.12.1990

Автор: Ермаков

МПК: C22F 1/00, C22F 1/10, C22F 1/18 ...

Метки: обладающих, памяти, сплавов, формы, эффектом

...по принципу точно вперед-назад", и поэтому последующие внешние силовые воздействия в.процессе применения в силовых элементах таким образом обработанного сплава практически не сказываются на вели 55 чине и характере обратимого формоизмечения в процессе получения механической работы.Способ Степень деформациисиловых элементов 9-2 б,71, 25-9 ПредлагаемыйИзвестный П р и м е р. Полый цилиндр диаметром 14 мм и толщиной стенки 3 мм из сплава никелида титана марки ТНили ТНМс интервалом температур мартен- ситного превращения от 30 до 150 С размещают горизонтально в емкости с выходом концов через уплотненные фторопластовыми втулками отверстия в боковых стенках. Затем в емкость заливают расплав белого олова и устанавливают верхнюю крышку. В процессе...

Номер патента: 1611980

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Кокорин, Осипенко, Черненко

МПК: C22C 19/03

Метки: памяти, сплав, формы, эффектом

...компонентов, мас.Х: марганец 21-25; галлий26-30; никель остальное. Сплав имееттемпературный диапазон эксплуатации в1,5 раза более широкий, чем известный,а также является ферромагнетиком.2 табл. нитных элементов являются атомы марганца, Упорядочение магнитных моментов марганца ниже точки Кюри Тс,э с ф .приводит к ферромагнетизму предлагаемого сплава и вследствие этого имможно управлять при помощи магнитногополя.П р и м е р. Сплавы выплавляют в Жиндукционной печи в инертной атмосфе-ООре и выливают в медную изложницу, СРКимический состав и характеристические температуры мартенситного превращения представлены в табл. 1 и 2.Как видно из табл. 2, в предлагаемом сплаве в зависимости от термообработки температура начала мартен-.ситного...